Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетическими ионами
Комаров Ф.Ф.1, Ювченко В.Н.1
1Белорусский государственный университет, Научно-исследовательское учреждение Института прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко, Минск, Белоруссия
Email: paliichuk@pfp.bsu.unibel.by
Поступила в редакцию: 25 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.
Впервые рассмотрена применимость модели термического пика для описания процессов дефектообразования и трекообразования в полупроводниковых кристаллах. Рассмотрено влияние таких параметров модели, как теплоемкость, теплопроводность, коэффициент электрон-фононной связи как функций температуры. Сравнение теоретических данных с результатами экспериментов для кристаллов InP и Ge, облучаемых тяжелыми ионами сверхвысоких энергий, свидетельствует об адекватности этого подхода и возможности получать количественные данные для таких характеристик, как температура локальной области около траектории иона, диаметры расплавленной области и экспериментально регистрируемой трековой области. В частности, предсказанный теоретически диаметр цилиндрической расплавленной области, образующейся при прохождении ионов Xe+ с энергией 250 MeV в InP, составляет 20 nm, а диаметры регистрируемых методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения треков составляют 7-15 nm.
- Fleischer R.L. // MRS Bulletin. 1995. Vol. 20. N 12. P. 17--19
- Bitensky I.S., Parilis E.S. // Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B. 1987. Vol. 21. P. 26--29
- Watson C.C., Tombrello T.A. // Rad. Eff. 1983. Vol. 89. P. 263--266
- Белый В.А., Комаров Ф.Ф. // ЖТФ. 1998. Т. 68. С. 42--45
- Лифшиц И.М., Каганов М.И., Танатаров Л.В. // Атомная энергия. 1959. Т. 16. N 4. С. 391--402
- Wang Z.G., Dufour C., Paumier E. et al. // J. Phys. 1994. Vol. 6. P. 6733--6750
- Toulemonde M., Dufour C., Meftah A. et al. // Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B. 2000. Vol. 166--167. P. 903--912
- Waligorski M.P.R., Hamm R.N., Katz R. // Int. J. Radiat. Appl. Instrum. Pt D. 1986. Vol. 11. P. 309--319
- Каганов М.И., Лифшиц И.М., Танатаров Л.В. // ЖЭТФ. 1956. Т. 31. С. 232--237
- Dufour C., Paumier E., Toulemonde M. // Rad. Eff. and Defects in Solids. 1993. Vol. 126. P. 119--122
- Landolt M., Bornstein J. Series "Numerical data and functional relationships in science and technology". Berlin; Heidelberg, 1982. Vol. 17a. 642 p
- Booth W., Grant I. // Nucl. Phys. 1965. Vol. 63. P. 481--484
- Kamarou A.A., Malafei D.A., Shchehlik V.S. // Proc. 2nd Intern. Conf. CFDM-98 ("Finite-difference Methods: Theory and Applications"). Minsk, 1998. Vol. 2. P. 56--62
- Herre O., Wesch W., Wendler E. et al. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. N 8. P. 4832--4837
- Gaiduk P.I., Komarov F.F., Tishkov V.S. et al. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61. N 23. P. 15785--15788
- Vlasukova L.A., Komarov F.F., Gaiduk P.I. et al. // Vacuum. In Press
- Colder A., Marty O., Canut B. et al. // M. Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B. 2001. Vol. 174. P. 491--496
- Canut B., Bonardi N., Ramos S.M. // M. Nucl. Instr. and Meth. Phys. Res. B. 1998. Vol. 146. P. 296--301
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук