Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2003, выпуск 5 » Статья стр. 69
<<<>>>
Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия
Тихов С.В.1, Шоболов Е.Л.1, Левичев С.Б.1, Байдусь Н.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: fdp@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
PDF версия
Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два-три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя.
  1. Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Подлепецкий и др. // Зарубежная электронная техника. 1988. N 2 (321). С. 3--39
  2. Petersson L.G., Dunnetum H.M., Fogelbery J. et al. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58. N 1. P. 404--416
  3. Johansson M., Lundstrom I., Ekedahi L.D. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. N 1. P. 44--51
  4. Гаман В.И., Дробот П.И., Дученко М.О. и др. // Поверхность. 1996. N 11. С. 64--73
  5. Тихов С.В., Лесников В.П., Подольский В.В. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65 (11). С. 120--125
  6. Гаман В.И., Дученко М.О., Калыгина В.М. // Изв. вузов. Физика. 1988. N 1. С. 69--83
  7. Слободчиков С.В., Салихов К.Н. // ФТП. 2000. Т. 34 (3). С. 290--296
  8. Тихов С.В., Павлов Д.А., Шиляев П.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28 (9). С. 1--5
  9. Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Б.Н. и др. // ФТП. 2002. Т. 36 (5). С. 582--586
  10. Карпович И.А., Аншон А.В., Филатов Д.О. // ФТП. 2001. Т. 32 (9). С. 1089--1095
  11. Звонков Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35 (1). С. 92--97
  12. Родерик Э.К. Константы металл--полупроводник. М., 1982. 207 с
  13. Chesters S. et al. // Proc. of Institute of Environmental Sciencs. 1990. Vol. 316
  14. Фредер Е. Фракталы. М.: Мир, 1991. 256 с
  15. Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N. et al. // Nanotechnology. 2001. N 12. P. 405--429
  16. Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28 (8). С. 28--32

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme