"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте
Сукач Г.А., Кидалов В.В., Котляревский М.Б., Потапенко Е.П.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности --- избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700oC) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы --- гексагональной.
  1. Strite S., Morkoc H. // J. Vac. Sci. Technol. 1992. Vol. B10. P. 1237--1266
  2. Monemar B., Pozina G. // Progress in Quantum Electronics. 2000. Vol. 24. P.239--290
  3. DeLouise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1993. Vol. A11. P. 609--615
  4. Georgobiani A.N., Kotljarevsky M.B., Aminov U.A., Kidalov V.V., Rogozin I.V. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 1997. Vol. A388. P. 431--437
  5. Сукач Г.А., Кидалов В.В., Власенко А.И., Котляревский М.Б., Потапенко Е.П. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2002. Вып. 37. С. 65--76
  6. Абдуллаев Г.В., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980. 280 с
  7. Orton J.W., Lacklison D.E., Baba-ali N. et al. // J. of Electronics Materials. 1994. Vol. 24. N 4. P. 263--268
  8. Morkoc H., Strite S., Gao G.B., Lin M.E., Sverdlov B., Burns M. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 77. N 3. P.1363--1398
  9. He Z.Q., Ding X.M., Hou X.Y., Wang Xun // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 3. P.315--317
  10. Mizuta M., Fujieda S., Matsumoto Y, Kawamura T. // Jap. J. Appl. Phys. 1986. Vol. 25. P. L945--L948

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.