Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Длительность стадии формирования разрядного канала при электрическом пробое твердых диэлектриков

Рожков В.М.¹

¹Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, Россия Siberian State University of Telecommunications and Information Science, Novosibirsk, Russia

Siberian State University of Telecommunications and Information Science, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 июня 2002 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведен расчет длительности стадии формирования разрядного канала для диэлектриков толщиной 0.01-0.5 mm с использованием терминов лавинно-стримерной теории электрического пробоя. Предполагается, что в этой стадии статистическое время запаздывания - это время от момента, когда испытательное напряжение достигло уровня пробивного, до момента возникновения стримера, а время формирования - от момента возникновения стримера до момента замыкания электродов каналом разряда.

Рожков В.М. // Электротехника. 2000. N 3. С. 37--40
Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей). М.: ГИФМЛ, 1958. 907 с
Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М.: Высшая школа, 1966. 224 с
Hiroshi Y., Taniya F., Yasuo S. // J. Phys. D. 1993. Vol. 26. N 8. P. 1328
Воробьев Г.А., Несмелов Н.С. // Изв. вузов. Физика. 1979. N 1. С. 90--98
Справочник по электротехническим материалам. Т. 2 / Под ред. Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. М.: Энергия, 1974
Вершинин Ю.Н. // ЖТФ. 1989. Т. 59. Вып. 2. С. 170--174
Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.
Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977 367 с
Рожков В.М. // Электротехника. 1997. N 5. C. 54--58

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель