Влияние наночастиц оксида металла на электрофизические характеристики квази-2D-графен-нанотрубных пленок
Russian Science Foundation , 24-79-10316
Слепченков М.М.
1, Барков П.В.
1, Левицкий С.Г.
1, Глухова О.Е.
1,21Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Первый государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова, Москва, Россия

Email: slepchenkovm@mail.ru, barkovssu@mail.ru, levickysg@gmail.com, glukhovaoe@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 28 декабря 2025 г.
Принята к печати: 28 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 2 апреля 2026 г.
В рамках теории функционала плотности в приближении сильной связи проведено in silico исследование энергетических и электрофизических свойств гибридных квази-2D-углеродных пленок при наличии на их поверхности наночастиц оксидов металлов. Гибридные углеродные пленки образованы ковалентно связанными графеном и одностенными нанотрубками, вертикально ориентированными по отношению к плоскости графена. В качестве оксидов металлов рассмотрены оксиды титана и гафния, являющиеся ярковыраженными диэлектриками. По величине энергии связи оценена термодинамическая устойчивость исследуемых структур. Электрофизические свойства оценены по величине электрического сопротивления. Проведен анализ распределения малликенового заряда в системе "графен-нанотрубная пленка + оксид металла". Ключевые слова: углеродные пленки, теория функционала плотности в приближении сильной связи, оксиды металлов, электрическое сопротивление, парциальный заряд.
- V. Georgakilas, J.A. Perman, J. Tucek, R. Zboril. Chem. Rev., 115, 4744 (2015) DOI: 10.1021/cr500304f
- O.S. Ayanda, A.O. Mmuoegbulam, O. Okezie, N.I. Durumin Iya, S.E. Mohammed, P.H. James, A.B. Muhammad, A.A. Unimke, S.A. Alim, S.M. Yahaya, A. Ojo, T.O. Adaramoye, S.K. Ekundayo, A. Abdullahi, H. Badamasi. J. Nanopart. Res., 26, 106 (2024). DOI: 10.1007/s11051-024-06006-2
- D. Jariwala, V.K. Sangwan, L.J. Lauhon, T.J. Marks, M.C. Hersam. Chem. Soc. Rev., 42, 2824 (2013). DOI: 10.1039/C2CS35335K
- R. Atif, F. Inam. Beilstein J. Nanotechnol., 7, 1174 (2016). DOI: 10.3762/bjnano.7.109
- P.N. Nirmalraj, P.E. Lyons, S. De, J.N. Coleman, J.J. Boland. Nano Lett., 9, 3890 (2009). DOI: 10.1021/nl9020914
- S. Nardecchia, D. Carriazo, M. C. Gutierrez, M. L. Ferrer, F. del Monte. Chem. Soc. Rev., 42, 794 (2013). DOI: 10.1039/C2CS35353A
- C.-Y. Lin, Z. Zhao, J. Niu, Z. Xia, Synthesis. J. Phys. D Appl. Phys., 49, 443001 (2016). DOI: 10.1088/0022-3727/49/44/443001
- M.M. Slepchenkov, P.V. Barkov, D.A. Kolosov, O.E. Glukhova. C, 9 (2), 51 (2023). DOI: 10.3390/c9020051
- A. Gbaguidi, S. Namilae, D. Kim. Nanotechnology, 31, 255704 (2020). DOI: 10.1088/1361-6528/ab7fcc
- X. Zhao, L. Qiu, D. Kong, Y. Huang, J. Liu. Materials, 16, 6571 (2023). DOI: 10.3390/ma16196571
- M.R. Zakaria, M.F. Omar, M.S. Zainol Abidin, H. Md Akil, M.M.A.B. Abdullah. Compos. -A: Appl. Sci. Manuf., 154, 106756 (2022). DOI: 10.1016/j.compositesa.2021.106756
- S. Pyo, Y. Eun, J. Sim, K. Kim, J. Choi. Micro Nano Syst. Lett., 10, 9 (2022). DOI: 10.1186/s40486-022-00151-w
- V.T. Dang, D.D. Nguyen, T.T. Cao, P.H. Le, D.L. Tran, N.M. Phan, V.C. Nguyen. Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol., 7, 033002 (2016). DOI: 10.1088/2043-6262/7/3/033002
- X. Wu, F. Mu, H. Zhao. J. Mater. Sci. Technol., 55, 16 (2020). DOI: 10.1016/j.jmst.2019.05.063
- W. Du, Z. Ahmed, Q. Wang, C. Yu, Z. Feng, G. Li, M. Zhang, C. Zhou, R. Senegor, C.Y. Yang. 2D Mater., 6, 042005 (2019). DOI: 10.1088/2053-1583/ab41d3
- B. Liu, J. Sun, J. Zhao, X. Yun. Adv. Compos. Hybrid Mater., 8, 1 (2025). DOI: 10.1007/s42114-024-01074-3
- J. Sheng, Z. Han, G. Jia, S. Zhu, Y. Xu, X. Zhang, Y. Yao, Y. Li. Adv. Funct. Mater., 33, 2306785 (2023). DOI: 10.1002/adfm.202306785
- C. Le, X. Xudong, L. Mengya, L. Hao, Z. Xiahong, Y. Gui. APL Mater., 9, 041110 (2021). DOI: 10.1063/5.0045100
- Z. Li, Z.H. Li, Y. Zhang, X. Xu, Y. Cheng, Y. Zhang, J. Zhao, N. Wei. ACS Sens., 9, 2499 (2024). DOI: 10.1021/acssensors.4c00170
- Y. Li, Q. Ai, L. Mao, T. Gong, Y. Lin, G. Wu, W. Huang, X. Zhang. Sci. Rep., 11, 21006 (2021). DOI: 10.1038/s41598-021-00307-5
- T. Xu, J. Jiang. Phys. Chem. Chem. Phys., 25, 5066 (2023). DOI: 10.1039/D2CP04797G
- M. Gao, Z.L. Huang, B. Zeng, T.S. Pan, Y. Zhang, H.B. Peng, Y. Lin. Appl. Phys. Lett., 106, 051601 (2015). DOI: 10.1063/1.4907642
- M. Lan, X. Jia, R. Tian, L. Feng, D. Shao, H. Song. Carbon, 219, 118850 (2024). DOI: 10.1016/j.carbon.2024.118850
- K. Xiong, C. Ma, J. Wang, X. Ge, W. Qiao, L. Ling. Ceram. Int., 49, 8847 (2023). DOI: 10.1016/j.ceramint.2022.11.039
- G. Zhang, O.E. Glukhova. Comput. Mater. Sci., 184, 109943 (2020). DOI: 10.1016/j.commatsci.2020.109943
- A. Van Duin, S. Dasgupta, F. Lorant, W.A. Goddard III. J. Phys. Chem. A, 105, 9396 (2001). DOI: 10.1021/jp004368u
- M. Elstner, D. Porezag, G. Jungnickel, J. Elsner, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Suhai, G. Seifert. Phys. Rev. B, 58, 7260 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevB.58.7260
- DFTB+. Available online: https://dftbplus.org/ (accessed on 1 February 2024)
- S. Datta. Quantum Transport: Atom to Transistor (Cambridge University Press: Cambridge, London, UK, 2005), p. 404
- Materials Project Available online: https://next-gen.materialsproject.org/ (accessed on 1 February 2024)
- R.S. Mulliken. J. Chem. Phys., 23, 1833 (1955).