Влияние переменного электрического поля на динамику предельно коротких импульсов в полимерном композите с углеродными нанотрубками
Министерства науки и высшего образования РФ, Государственное задание, FZUU-2023-0001
Янюшкина Н.Н.1
1Волгоградский государственный университет, Волгоград, Россия

Email: yana_nn@volsu.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 24 декабря 2025 г.
Принята к печати: 24 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 2 апреля 2026 г.
Представлено исследование динамики предельно коротких оптических импульсов в композитной среде на основе полимера и углеродных нанотрубок (УНТ) под воздействием внешнего переменного электрического поля. На основе модифицированного нелинейного волнового уравнения, учитывающего вклад в плотность электрического тока как полимерной матрицы, так и нанотрубок, проведено численное моделирование эволюции импульсов. Установлено, что внешнее переменное поле является эффективным инструментом управления амплитудой, формой и скоростью распространения импульсов. Детально проанализирована зависимость динамики импульсов от амплитуды и частоты внешнего поля, а также от концентрации и геометрии УНТ в композите. Показано, что варьирование этих параметров позволило изменять характеристики импульса, что открывает перспективы для создания управляемых оптических элементов и сред. Ключевые слова: полимерный композит, углеродные нанотрубки, предельно короткие оптические импульсы, высокочастотное электрическое поле.
- F.X. Kartner. Few-cycle laser pulse generation and its applications (Springer Berlin, Heidelberg, 2004)
- D.R. Carlson, P. Hutchison, D.D. Hickstein, S.B. Papp. Opt. Express, 27 (26), 37374 (2019). DOI: 10.1364/OE.27.037374
- Н.Н. Розанов. УФН, 193, 1127 (2023). DOI: 10.3367/UFNr.2022.12.039297 [N.N. Rosanov. Phys. Usp., 66 (10), 1059 (2023). DOI: 10.3367/UFNe.2022.12.039297]
- W. Kaiser. Ultrashort laser pulses (Springer Berlin, Heidelberg, 2006)
- M.G. Burdanova, G.M. Katyba, R. Kashtiban, G.A. Komandin, E. Butler-Caddle, M. Staniforth, A.A. Mkrtchyan, D.V. Krasnikov, Y.G. Gladush, J. Sloan, A.G. Nasibulin, J. Lloyd-Hughes. Carbon, 173, 245 (2021). DOI: 10.1016/j.carbon.2020.11.008
- M. Moniruzzaman, K.I. Winey. Macromolecules, 39 (16), 5194 (2006). DOI: 10.1021/ma060733p
- M. Sabet. Iran Polym J., 34, 917 (2025). DOI: 10.1007/s13726-024-01419-1
- П. Харрис. Углеродные нанотрубы и родственные структуры. Новые материалы ХХI века (Техносфера, М., 2003)
- S. Iijima. Nature, 354, 56 (1991). DOI: 10.1038/354056a0
- S. Wang, H. Liu, L.-M. Peng. Nature Commun., 8, Article no. 15649 (2017). DOI: 10.1038/ncomms15649
- Y. Wang, G. Sun, X. Zhang, X. Zhang, Z. Cui. Adv. Electron. Mater., 10 (10), 2400124 (2024). DOI: 10.1002/aelm.202400124
- J.-J. Li, K.-D. Zhu. Opt. Express, 20 (6), 5840 (2012). DOI: 10.1364/OE.20.005840
- S.Y. Set, H. Yaguchi, Y. Tanaka, M. Jablonski. J. Lightwave Technol., 22, 51 (2004)
- Y. Chen, Y. Lin, Y. Liu, J. Doyle, N. He, X. Zhuang, J. Bai, W.J. Blau. J. Nanosci. Nanotechnol., 7 (4-5), 1268 (2007). DOI: 10.1166/jnn.2007.308
- C. Hoecker, F. Smail, M. Pick, L. Weller, A.M. Boies. Sci. Rep., 7, 14519 (2017). DOI: 10.1038/s41598-017-14775-1
- T. Fujimori, D. Yamashita, Y. Kishibe, M. Sakai, H. Inoue, T. Onoki, J. Otsuka, D. Tanioka, T. Hikata, S. Okubo, K. Akada, J. Fujita. Sci. Rep., 12, 1285 (2022). DOI: 10.1038/s41598-022-05297-6
- Y.-L. Li, I.A. Kinloch, A.H. Windle. Science, 304, 276 (2004). DOI: 10.1126/science.1094982
- W. Xu, Y. Chen, H. Zhan, J.N. Wang. Nano Lett., 16, 946 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b03863
- R.J. Headrick, D.E. Tsentalovich, E.A. Bengio. Adv. Mater., 30, 1704482 (2018). DOI: 10.1002/adma.201704482
- D. Tsentalovich, R.J. Headrick, F. Mirri, J, Hao, N. Behabtu, C.C. Young, M. Pasquale. ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 36189 (2017). DOI: 10.1021/acsami.7b10968
- J. Lee, Y. Jung, J. Park, H.S. Lee, Y.-K. Kim, C.R. Park, H.S. Jeong, S.M. Kim. Nat. Commun., 10, 2962 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-10998-0
- O.-K. Park, H. Choi, H. Jeong, Y. Jung, J. Yu, J.K. Lee, J.Y. Hwang, S.M. Kim, Y. Jeong, C.R. Park, M. Endo, B.-C. Ku. Carbon, 118, 413 (2017). DOI: 10.1016/j.carbon.2017.03.079
- E.G. Fedorov, A.V. Zhukov, R. Bouffanais, N.N. Konobeeva, E.V. Boroznina, B.A. Malomed, H. Leblond, D. Mihalache, M.B. Belonenko, N.N. Rosanov, T.F. George. Phys. Rev. B, 103 (8), 085111 (2021). DOI: 10.1103/PhysRevB.103.085111
- N.N. Konobeeva, E.G. Fedorov, N.N. Rosanov, A.V. Zhukov, R. Bouffanais, M.B. Belonenko. J. Appl. Phys., 126, 203103 (2019). DOI: 10.1063/1.5128365
- N.N. Konobeeva. Optik, 157, 521 (2018). DOI: 10.1016/j.ijleo.2017.11.133
- Е.Н. Галкина, М.Б. Белоненко. Опт. и спектр., 129 (10), 1280 (2021). DOI: 10.21883/OS.2021.10.51494.1838-21 [E.N. Galkina, M.B. Belonenko. Opt. Spectr., 129 (10), 1280 (2021). DOI: 10.21883/EOS.2022.13.53983.1838-21]
- S.V. Belibikhin, N.N. Konobeeva. Nanosystems: Phys., Chem., Mathem., 15 (1), 60 (2024). DOI: 10.17586/2220-8054-2024-15-1-60-64
- W.Z. Li, S.S. Xie, L.X. Qian, B.H. Chang, B.S. Zou, W.Y. Zhou, R.A. Zhao, G. Wang. Science, 274, 1701 (1996). DOI: 10.1126/science.274.5293.1701
- E. Flahaut, A. Peigney, W.S. Bacsa, R.R. Bacsa, C. Laurent. J. Mater. Chem., 14, 646 (2004). DOI: 10.1039/B312367G
- K. Hata, D.N. Futaba, K. Mizuno, T. Namai. Science, 306, 1362 (2004). DOI: 10.1126/science.1104962
- F.J. Garc'i a-Vidal, J.M. Pitarke, J.B. Pendry. Phys. Rev. Lett., 78, 4289 (1997). DOI: 10.1103/PhysRevLett.78.4289
- Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками (Наука, М., 1989)
- А.В. Елецкий. УФН, 167, 945 (1997). DOI: 10.3367/UFNr.0167.199709b.0945 [A.V. Eletskii. Phys. Usp., 40, 899 (1997). DOI: 10.1070/PU1997v040n09ABEH000282]
- G. Gupta, B. Rajasekharan, R.J.E. Hueting. IEEE Trans Electron Devices, 64 (8), 3044 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2712761
- R.J.E. Hueting, G. Gupta. Electrostatic doping and devices. In: M. Rudan, R. Brunetti, S. Reggiani (eds). Springer handbook of semiconductor devices. (Springer, Cham, 2022), р. 371-389. DOI: 10.1007/978-3-030-79827-7_11
- S. Cristoloveanu, K.H. Lee, H. Park, M.S. Parihar. Solid State Electron., 155, 32 (2019). DOI: 10.1016/j.sse.2019.03.017
- L. Duclaux. Carbon, 40 (10), 1751 (2002). DOI: 10.1016/S0008-6223(02)00043-X
- M.V. Kharlamova, M. Sauer, T. Saito, Y. Sato, K. Suenaga, T. Pichler, H. Shiozawa. Nanoscale, 7, 1383 (2015). DOI: 10.1039/C4NR05586A
- M.I. Paukov, S. Sun, A.A. Vorfolomeeva, A.V. Syuy, R.I. Romanov, M.S. Mironov, A.A. Vyshnevyy, G.A. Komandin, L.G. Bulusheva, A.V. Okotrub, A.V. Arsenin, V. Volkov, Y. Zhang, M.G. Burdanova. Carbon, 230, 119580 (2024). DOI: 10.1016/j.carbon.2024.119580
- L. Britnell, R.V. Gorbachev, R. Jalil, B.D. Belle, F. Schedin, A. Mishcenko, T. Georgiou, M.I. Katsnelson, L. Eaves, S.V. Morozov, N.M.R. Peres, J. Leist, A.K. Geim, K.S. Novoselov, L.A. Ponomarenko. Science, 335 (6071), 947 (2012). DOI: 10.1126/science.12184
- M.D. Bishop, G. Hills, T. Srimani, C. Lau, D. Murphy, S. Fuller, J. Humes, A. Ratkovich, M. Nelson, M.M. Shulaker. Nature Electronics, 3, 492 (2020). DOI: 10.1038/s41928-020-0419-7
- S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices (John Wiley \& Sons, Hoboken, 1968)
- D. Somvanashi, S. Kallatt, C. Venkatesh, S. Nair, G. Gupta, J.K. Anthony, D. Karmakar, K. Majumdar. Phys. Rev. B, 96, 205423 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.96.205423
- J. Shi, H. Chu, Y. Li, X. Zhang, H. Pan, D. Li. Nanoscale, 11, 7287 (2019). DOI: 10.1039/C8NR10174D
- W.-D. Cheng, D.-S. Wu, X.-D. Lim Y.-Z. Lan, H. Zhang, D.-G. Chen, Y-J. Gong, Y-C. Zhang, F.-F. Li, J. Shen, Z.-G. Kan. Phys. Rev. B, 70 (15), id. 155401. DOI: 10.1103/PhysRevB.70.155401
- В.А. Осипов, В.К. Федянин. Полиацетилен и двумерные модели квантовой теории поля (ИОЯИ, Дубна, 1985)
- G.A. Korn, T.M. Korn, Mathematical handbook for scientists and engineers (McGraw Hill, NY., 1968)
- N.R. Sadykov, S.E. Jolnirov. Phys. E: Low-dimensional systems and nanostructures, 128, 114574 (2021). DOI: 10.1016/j.physe.2020.114574
- J.W. Thomas. Numerical partial differential equations-finite difference methods (Springer-Verlag, NY., 1995)