Исследована возможность формирования ферромагнитных слоев GaMnAs методом ионной имплантации марганца с использованием ускорителя с вакуумно-дуговым источником и последующего импульсного лазерного отжига. Показано, что имплантация ионов Mn с дозами 2-5· 10¹⁶cm^-2 и последующий отжиг с плотностью энергии ~ 300 mJ/cm² позволили получить ферромагнитные полупроводниковые слои с температурой Кюри вплоть до 120 K. Методами вторичной ионной масс-спектрометрии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучены профили распределения марганца и изменения состава матрицы GaAs. Исследование оптических свойств слоев, включая спектры КРС, подтвердило наличие связанной плазмон-фононной моды, что характерно для сильнолегированных полупроводников p-типа. Гальваномагнитные измерения выявили аномальный эффект Холла и отрицательное магнетосопротивление при температурах ниже температуры Кюри. Полученные результаты показали перспективность использования ускорителя с вакуумно-дуговым источником ионов для создания ферромагнитных полупроводниковых структур. Ключевые слова: ионное легирование, импульсный лазерный отжиг, ферромагнетизм, разбавленный магнитный полупроводник, GaMnAs, ускоритель с вакуумно-дуговым источником.