Монокристаллы AlN, выращенные методом сублимации на подложках SiC, имеют относительно высокую плотность дефектов кристаллической структуры. Увеличивая длину слитка, можно получать кристаллы хорошего структурного качества. Чтобы понять процессы, ведущие к уменьшению плотности дефектов, использован метод просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено, что плотность дислокаций, проникающих от интерфейса, уменьшается за счет дислокационных реакций, формирования малоугловых границ и скольжения дислокаций по базисной системе (0001)<1120>. Кристалл AlN толщиной 2.5 mm был выращен на затравке SiC диаметром 64 mm при использовании источника AlN, содержащего присадку SiC. Ключевые слова: дислокации, монокристалл AlN, подложка SiC, просвечивающая электронная микроскопия.