Предложен и апробирован технологический маршрут изготовления туннельных сверхпроводниковых структур с использованием жидкостного селективного травления алюминия для разрыва электрического контакта по нижнему слою трехслойной туннельной структуры и формирования подвешенного над поверхностью подложки мостика. Продемонстрировано, что по предложенному технологическому маршруту формирование трехслойной структуры может производиться всеми методами нанесения пленок, включая магнетронное распыление, а не только термическим распылением, как это делалось ранее. Для отработки технологии изготовлены образцы с туннельными переходами Al/AlO_x/Nb. Изготовленные структуры измерены при температурах до 2.8 K, отношение дифференциального сопротивления в области нулевого напряжения к нормальному сопротивлению достигает 12. Исследованы туннельные структуры сверхпроводник-изолятор-палладий-изолятор-сверхпроводник. Исследована проблема негативного влияния палладия на туннельные барьеры на основе алюминия и предложены методы решения данной проблемы. Ключевые слова: сверхпроводниковые туннельные структуры, туннельный барьер, сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник, болометры на холодных электронах, нормальный металл-изолятор-сверхпроводник-изолятор-нормальный металл, жидкостное травление, магнетронное распыление.