Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2025, выпуск 5 » Статья стр. 937
<<<>>>
Влияние нановключений FeS на фотоэлектрические характеристики CdS:Fe
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 22-22-00194
Стецюра С.В. 1, Харитонова П.Г. 1, Захаревич А.М. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: haritonovapg@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 января 2025 г.
В окончательной редакции: 2 января 2025 г.
Принята к печати: 2 января 2025 г.
Выставление онлайн: 24 апреля 2025 г.
PDF версия
Проведена модификация поверхности монокристаллического CdS органическим покрытием арахината железа, полученным по технологии Ленгмюра-Блоджетт, с последующим отжигом полученной гибридной структуры. Показана возможность формирования гетерофазной структуры разбавленного магнитного полупроводника CdS-FeS, имеющего расширенный диапазон свойств. Проведено исследование химического состава до и после модификации поверхности CdS органическим покрытием. Варьирование числа нанесенных монослоев арахината железа позволило изменять параметры ограниченного источника железа в необходимых пределах, обеспечивая формирование на заданной глубине нановключений ферромагнитной фазы заданного размера. Прогнозирование размеров фазы FeS и ее распределения по глубине было осуществлено посредством моделирования одновременного протекающих процессов диффузии Fe, образования и преципитации наноразмерных включений магнитной фазы. Определено оптимальное количество монослоев в покрытии (25-35), которое обеспечивает образование преципитатов размером более 3 nm на глубине не менее 0.21 μm, и рост фоточувствительности полученного материала в 20-40 раз. Ключевые слова: гетерофазный материал, наноразмерные преципитаты, фоточувствительность, слои Ленгмюра-Блоджетт.
  1. J. Cibert, D. Scalbert. Spin Phys. Semicond., 157, 389 (2008). DOI: 10.1007/978-3-540-78820-1_13
  2. W. Zaleszczyk, E. Janik, A. Presz, P. D uzewski, S. Kret, W. Szuszkiewicz, J.F. Morhange, E. Dynowska, H. Kirmse, W. Neumann, A. Petroutchik, L.T. Baczewski, G. Karczewski, T. Wojtowicz. Nano Lett., 8 (11), 4061 (2008). DOI: 10.1021/nl802449g
  3. F. Matsukura, H. Ohno. Nanomagnetism and Spintronics, ed. Teruya Shinjo (Elsevier, Nanomagnetism and Spintronics, 277, 2009), DOI: 10.1016/B978-0-444-53114-8.00007-8
  4. W. Dobrowolski, J. Kossut, T. Story. Handbook Magn. Mater., 15, 289 (2003). DOI: 10.1016/S1567-2719(03)15003-2
  5. A. Bukhtiar, B. Zou. Mater. Adv., 5 (17), 6739 (2024). DOI: 10.1039/D4MA00523F
  6. D. Li, X. Zhang, W. He, Y. Peng, G. Xiang. Sci. China Mater., 67, 279 (2024). DOI: 10.1007/s40843-023-2657-2
  7. J. Li, X. Zhang, J. Lu, W. He, Y. Nie, Y. Peng, G. Xiang. Nanoscale, 15 (5), 2206 (2023). DOI: 10.1039/D2NR05244J
  8. Y. Fan. J. Phys.: Conf. Series, 2608, 012046 (2023). DOI: 10.1088/1742-6596/2608/1/012046
  9. R. Khan, I. Shigidi, S. Al Otaibi, K. Althubeiti, S.S. Abdullaev, N. Rahman, M. Sohail, A. Khan, S. Iqbal, T. Del Rosso, Q. Zaman, A. Khan. RSC Adv., 12 (55), 36126 (2022). DOI: 10.1039/D2RA06637H
  10. F. Pan, C. Song, X.J. Liu, Y.C. Yang, F. Zeng. Mater. Sci. Eng.: R: Reports, 62 (1), 1 (2008). DOI: 10.1016/j.mser.2008.04.002
  11. B. Sharma, R. Lalwani, R. Das. Optik, 281, 170831 (2023). DOI: 10.1016/j.ijleo.2023.170831
  12. P. Li, C. Zhang, J. Lian, S. Gao, X. Wang. Solid State Commun., 151 (22), 1712 (2011). DOI: 10.1016/j.ssc.2011.07.042
  13. S.V. Stetsyura, P.G. Kharitonova. St. Petersburg State Polytechnical Univer. J. Phys. Mathem., 16 (1.2), 236 (2023). DOI: 10.18721/JPM.161.236
  14. L.A. Hernandez, F.Marti n, E. Berrios, G. Riveros, D.M. Gonzalez, E. Gonzalez, S. Lizama, F. Hernandez. Arabian J. Chem., 13 (12), 8758 (2020). DOI: 10.1016/j.arabjc.2020.10.006
  15. Y. Li, S. Chen, K. Zhang, S. Gu, J. Cao, Y. Xia, C. Yang, W. Sun, Z. Zhou. New J. Chem., 44 (34), 1144 (2020). DOI: 10.1039/D0NJ01424A
  16. K. Kaur, G.S. Lotey, N.K. Verma. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 25 (6), 2605 (2014). DOI: 10.1007/s10854-014-1918-y
  17. С.В. Стецюра, П.Г. Харитонова, И.В. Маляр. Прикладная физика, 5, 66 (2020). [S.V. Stetsyura, P.G. Kharitonova, I.V. Malyar. Appl. Phys., 5, 66 (2020).]
  18. S. Chandramohan, A. Kanjilal, S.N. Sarangi, S. Majumder, R. Sathyamoorthy, T. Som. Appl. Phys. A, 99 (4), 837 (2010). DOI: 10.1007/s00339-010-5598-z
  19. H.R. Dizaji, M. Ghasemian, M.H. Ehsani. Surf. Rev. Lett., 19 (2), 1250012 (2012). DOI: 10.1142/S0218625X12500126
  20. J.H. Al-Zahrani, M. El-Hagary, A. El-Taher. Mater. Sci. Semicond. Processing, 39, 74 (2015). DOI: 10.1016/j.mssp.2015.04.042
  21. B. Lohitha, S. Thanikaikarasan, S. Roji Marjorie. Mater. Today: Proceedings, 33 (7), 3068 (2020). DOI: 10.1016/j.matpr.2020.03.513
  22. Z.K. Heiba, A.M. El-naggar, M.B. Mohamed, A.M. Kamal, M.M. Osman, A.A. Albassam, G. Lakshminarayana. Optical Mater., 122, 111788 (2021). DOI: 10.1016/j.optmat.2021.111788
  23. N. Badera, B. Godbole, S.B. Srivastava, P.N. Vishwakarma, L.S. Sharath Chandra, D. Jain, M. Gangrade, T. Shripathi, V.G. Sathe, V. Ganesan. Appl. Surf. Sci., 254 (21), 7042 (2008). DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.218
  24. S.V. Stetsyura, P.G. Kharitonova, E.G. Glukhovskoy. St. Petersburg State Polytechnical Univer. J. Phys. Mathemat., 15 (3.3), 250 (2022). DOI: 10.18721/JPM.153.349
  25. С.В. Стецюра, Е.Г. Глуховской, А.В. Козловский, И.В. Маляр. ЖТФ, 85 (5), 116 (2015). [S.V. Stetsyura, E.G. Glukhovskoy, A.V. Kozlowski, I.V. Malyar. Tech. Phys., 60 (5), 746 (2015). DOI: 10.1134/S1063784215050266]
  26. А. Mycielski. J. Appl. Phys., 63 (8), 3279 (1988). DOI: 10.1063/1.340813
  27. А.Г. Роках. Письма в ЖТФ, 10 (13), 820 (1984)
  28. С.В. Булярский, В.В. Светухин, О.В. Приходько. ФТП, 33 (11), 1281 (1999). [S.V. Bulyarskii, V.V. Svetukhin, O.V. Prikhod'ko. Semiconductors, 33 (11), 1157 (1999). DOI: 10.1134/1.1187839]
  29. С.В Стецюра, И.В. Маляр, А.А. Сердобинцев, С.А. Климова. ФТП, 43 (8), 1102 (2009). [S.V. Stetsyura, I.V. Malyar, A.A. Serdobintsev, S.A. Klimova. Semiconductors, 43 (8), 1064 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609080193]
  30. С.Г. Юдин, В.В. Боднарчук, В.В. Лазарев, А.И. Смирнова, С.В. Яблонский. Жидкие кристаллы и их практическое использование, 19 (4), 50 (2019). DOI: 10.18083/LCAppl.2019.4.50 [S.G. Yudin, V.V. Bodnarchuk, V.V. Lazarev, A.I. Smirnova, S.V. Yablonskii. Liquid Crystals and their Application, 19 (4), 50 (2019). DOI: 10.18083/LCAppl.2019.4.50]
  31. А.Г. Роках, С.В. Стецюра. Неорганические материалы, 33 (2), 198 (1997). [A.G. Rokakh, S.V. Stetsyura. Inorganic Mater., 33 (2), 153 (1997).]
  32. М.К. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. Фотохимические реакции в полупроводниках типа А2В6. В кн. Физика соединений А2В6, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (Наука, М., 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme