Вышедшие номера
Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP2
Власов А.С.1, Аксенов В.1, Анкудинов А.В.1, Берт Н.А.1, Калюжный Н.А.1, Лебедев Д.В.1, Салий Р.А.1, Пирогов Е.В., Минтаиров А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 28 июня 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 9 января 2025 г.

Исследованы слои GaInP2, выращенные методом эпитаксии из металл-органических соединений на подложках GaAs (100) при температуре 720oС, соотношении потоков V/III групп 15-150 и разориентации подложки 0 и 6o. Измерены структурные (рентгеновская дифракция, просвечивающая электронная микроскопия и рамановская спектроскопия) и оптические (фотолюминесценция) свойства вместе с измерениями поверхностного потенциала (кельвин-зондовая микроскопия) слоев толщиной 500 nm. Показано наличие атомного упорядочения со структурой CuPt B, соответствующей монослойной сверхрешетке GaP1/InP1 вдоль направления [111] B, и вариации степени упорядочения eta=0.05-0.56 в зависимости от условий роста. Измерения поверхностного потенциала выявили уменьшение встроенного электрического поля, подавление релаксации кристаллической решетки, обусловленной разной симметрией подолжки и слоя (мартенситного перехода), и фиксацией (пинингом) уровня Ферми с уменьшением eta, что демонстрирует возможности контроля сегнетоэлектрических свойств атомно-упорядоченных слоев GaInP2. Ключевые слова: GaInP2, кельвин-зондовая микроскопия, атомное упорядочение, пьезоэлектрические эффекты.
  1. P. Bellon, J.P. Chevalier, G.P. Martin, E. Dupont Nivet, C. Thiebaut, J.P. Andre. Appl. Phys. Lett., 52, 567 (1988)
  2. A. Gomyo, T. Suzuki, S. Iijima. Phys. Rev. Lett., 60, 2645 (1988)
  3. Spontaneous ordering in semiconductor alloys (Springer Science+Business Media, N. Y., 2002)
  4. A. Zunger, S. Mahajan. Handbook on Semiconductors (Elsevier, Amsterdam, 1994). V. 3A
  5. C.S. Jiang, H.R. Moutinho, D.J. Friedman, J.F. Geisz, M.M. Al-Jassim. J. Appl. Phys., 93, 10035 (2003)
  6. A.V. Ankudinov, N.A. Bert, M.S. Dunaevskiy, A.I. Galimov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, A.V. Myasoedov, N.V. Pavlov, M.V. Rakhlin, R.A. Salii, A.A. Toropov, A.S. Vlasov, E.V. Pirogov, M.A. Zhukovskyi, A.M. Mintairov. Appl. Phys. Lett., 124, 052101 (2024)
  7. S. Froyen, A. Zunger, A. Mascarenhas. Phys. Rev. B, 53, 4570 (1996)
  8. A.M. Mintairov, A.V. Ankudinov, N.A. Kalyuzhnyy, D.V. Lebedev, S.A. Mintairov, N.V. Pavlov, A.I. Galimov, M.V. Rakhlin, R.A. Salii, A.A. Toropov, A.S. Vlasov, D. Barettin, M. Auf der Maur, S.A. Blundell. Appl. Phys. Lett., 118, 121101 (2021)
  9. P.A. Balunov, A.V. Ankudinov, I.D. Breev, M.S. Dunaevskiy, A.S. Goltaev, A.I. Galimov, V.N. Jmerik, K.V. Likhachev, M.V. Rakhlin, A.A. Toropov, A.S. Vlasov, A.M. Mintairov. Appl. Phys. Lett., 122, 222102 (2023)
  10. T. Suzuki, A. Gomyo, S. Iijima, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, T. Yuasa. Jpn. J. Appl. Phys., 27, 2098 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.