Вышедшие номера
Тонкие пленки гексаферрита BaM (BaFe12O19) на подложках Al2O3(01-12): кристаллическая структура и магнитные свойства
Russian Science Foundation, No. 22-22-00768, https://rscf.ru/en/project/22-22-00768/ (accessed on 13 January 2022)
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Spin, No. 122021000036-3
Кричевцов Б.Б.1, Коровин А.М.1, Сутурин С.М.1, Левин А.А.1, Соколов Н.С.1, Федоров В.В.2, Телегин А.В.3, Шишкин Д.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: boris@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 21 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 9 января 2025 г.

Эпитаксиальные пленки гексаферрита BaM (BaFe12O19) толщиной 50 nm выращены на подложках R-среза сапфира α-Al2O3 (01-12) методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (LMBE). Исследованы их кристаллическая структура, магнитные свойства до и после проведения послеростового отжига. Обнаружено, что в отожженных пленках, полученных методом LMBE, легкая ось магнитной анизотропии отклонена от нормали к поверхности, что дает возможность переключать намагниченность как нормальным, так и тангенциальным магнитными полями, и приводит к зависимости формы петель гистерезиса от ориентации поля в плоскости пленки. Ключевые слова: гексаферриты, тонкие пленки, процессы намагничивания, лазерная молекулярно-лучевая эпитаксия.