Вышедшие номера
Многомодовые полупроводниковые лазеры с поверхностной распределенной обратной связью
Золотарев В.В.1, Лешко А.Ю.1, Малец В.Н.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Zolotarev.bazil@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 7 июня 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 9 января 2025 г.

Разработаны многомодовые полупроводниковые лазеры с поверхностной распределенной обратной связью (РОС), излучающие на длине волны 1040 nm. Период РОС составил 20 μm. Данная конструкция позволяет отказаться от сложных технологических процессов двухэтапной эпитаксии и электронной литографии. Для образцов лазеров с просветляющими покрытиями на зеркалах продемонстрировано сужение спектра генерации до двух конкурирующих мод, расположенных по обе стороны от брэгговской длины волны. Его температурная стабильность составила менее 0.1 nm/K. Наличие конкурирующих мод Фабри-Перо свидетельствует о недостаточной величине коэффициента связи для разработанных образцов. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, распределенная обратная связь, спектр генерации, резонатор лазера.
  1. И.С. Шашкин, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, Н.В. Воронкова, В.А. Капитонов, К.В. Бахвалов, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, П.С. Копьев. ФТП, 55 (4), 344 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50736.9565
  2. Y. Zhao, Z. Wang, A. Demir, G. Yang, S. Ma, B. Xu, C. Sun, B. Li, B. Qiu. IEEE Photonics J., 13 (3), 1500708 (2021). DOI: 10.1109/JPHOT.2021.3073732
  3. Z. Dong, Y. Zhao, Q. Zhang, C. Wang, W. Li, S. Liu, X. Ma. J. Semicond., 37 (2), 024010 (2016). DOI: 10.1088/1674-4926/37/2/024010
  4. A. Maab dorf, C.M. Schultz, O. Brox, H. Wenzel, P. Crump, F. Bugge, A. Mogilatenko, G. Erbert, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 370, 226 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.08.012
  5. C.M. Schultz, P. Crump, H. Wenzel, O. Brox, A. Maab dorf, G. Erbert, G. Traankle. Electron. Lett., 46 (8), 580 (2010). DOI: 10.1049/el.2010.3347
  6. S.O. Slipchenko, D.A. Vinokurov, N.A. Pikhtin, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov, Z.I. Alferov. Semiconductors, 38, 1430-1439 (2004). DOI: 10.1134/1.1836066
  7. J. Decker, P. Crump, J. Fricke, A. Maab dorf, M. Traub, U. Witte, T. Brand, A. Unger, G. Erbert, G. Trankle. IEEE Photonics Technol. Lett., 27 (15), 1675 (2015). DOI: 10.1109/LPT.2015.2435251
  8. V.V. Zolotarev, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, V.S. Golovin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Semicond. Sci. Technol., 35 (1), 015009 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab5435

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.