Многомодовые полупроводниковые лазеры с поверхностной распределенной обратной связью
Золотарев В.В.1, Лешко А.Ю.1, Малец В.Н.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Zolotarev.bazil@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 7 июня 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 9 января 2025 г.
Разработаны многомодовые полупроводниковые лазеры с поверхностной распределенной обратной связью (РОС), излучающие на длине волны 1040 nm. Период РОС составил 20 μm. Данная конструкция позволяет отказаться от сложных технологических процессов двухэтапной эпитаксии и электронной литографии. Для образцов лазеров с просветляющими покрытиями на зеркалах продемонстрировано сужение спектра генерации до двух конкурирующих мод, расположенных по обе стороны от брэгговской длины волны. Его температурная стабильность составила менее 0.1 nm/K. Наличие конкурирующих мод Фабри-Перо свидетельствует о недостаточной величине коэффициента связи для разработанных образцов. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, распределенная обратная связь, спектр генерации, резонатор лазера.
- И.С. Шашкин, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, Н.В. Воронкова, В.А. Капитонов, К.В. Бахвалов, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, П.С. Копьев. ФТП, 55 (4), 344 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50736.9565
- Y. Zhao, Z. Wang, A. Demir, G. Yang, S. Ma, B. Xu, C. Sun, B. Li, B. Qiu. IEEE Photonics J., 13 (3), 1500708 (2021). DOI: 10.1109/JPHOT.2021.3073732
- Z. Dong, Y. Zhao, Q. Zhang, C. Wang, W. Li, S. Liu, X. Ma. J. Semicond., 37 (2), 024010 (2016). DOI: 10.1088/1674-4926/37/2/024010
- A. Maab dorf, C.M. Schultz, O. Brox, H. Wenzel, P. Crump, F. Bugge, A. Mogilatenko, G. Erbert, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 370, 226 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.08.012
- C.M. Schultz, P. Crump, H. Wenzel, O. Brox, A. Maab dorf, G. Erbert, G. Traankle. Electron. Lett., 46 (8), 580 (2010). DOI: 10.1049/el.2010.3347
- S.O. Slipchenko, D.A. Vinokurov, N.A. Pikhtin, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov, Z.I. Alferov. Semiconductors, 38, 1430-1439 (2004). DOI: 10.1134/1.1836066
- J. Decker, P. Crump, J. Fricke, A. Maab dorf, M. Traub, U. Witte, T. Brand, A. Unger, G. Erbert, G. Trankle. IEEE Photonics Technol. Lett., 27 (15), 1675 (2015). DOI: 10.1109/LPT.2015.2435251
- V.V. Zolotarev, A.Y. Leshko, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, V.S. Golovin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Semicond. Sci. Technol., 35 (1), 015009 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab5435
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.