Исследовано возникновение дефектной моды в запрещенной зоне одномерного фотонного кристалла с диэлектрическим заполнением, обусловленной объемным нарушением периодичности структуры при наличии проводящих нанослоев, нанесенных на изолирующие подложки. Экспериментальные данные подтверждают результаты расчетов амплитудно-частотных характеристик, выполненных с использованием метода матрицы переноса, демонстрируют возникновение дефектной моды в запрещенной зоне в X-диапазоне частот при толщинах проводящих слоев 100-140 nm и величинах поверхностного сопротивления в диапазоне значений 7-200 Ω/sq. Реализация эффекта прозрачности фотонного кристалла с проводящим нанослоем на частоте дефектной моды или эффекта подавления дефектной моды достигается выбором соотношения между продольным размером нарушения и длиной стоячей волны. Описана зависимость коэффициента поглощения электромагнитной волны в проводящем нанослое от направления распространения волны через фотонный кристалл, степень проявления которого определяется величиной напряженности электрического поля в месте расположения нанослоя. Ключевые слова: фотонный кристалл, проводящий нанослой, амплитудно-частотные характеристики, дефектная мода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.