Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2024, выпуск 11 » Статья стр. 1843
<<<>>>
Модель поведения МОП-структур при радиационно-термических обработках
Александров О.В.1, Мокрушина С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 19 сентября 2024 г.
Принята к печати: 26 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 29 октября 2024 г.
PDF версия
Разработана количественная модель влияния радиационно-термических обработок на стойкость МОП-структур к ионизирующему облучению. В основе модели лежат реакции взаимодействия дырок, образующихся при ионизирующем облучении, с водородосодержащими и безводородными ловушками в подзатворном диэлектрике. Захват дырок водородосодержащими ловушками стимулирует разрыв водородной связи и превращение их в безводородные ловушки с меньшим сечением захвата. Модель позволила описать повышение радиационной стойкости МОП-структур при последовательных циклах облучение-отжиг при сохранении интегральной концентрации ловушек. Ключевые слова: МОП-структуры, радиационно-термические обработки, ионизирующее облучение, радиационная стойкость.
  1. К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (БИНОМ, М., 2012)
  2. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (Энергоатомиздат, М., 1988)
  3. T.R. Oldham, F.D. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci.,  50 (3), 483 (2003). DOI: 10.1109/TNS.2003.812927
  4. J.R. Schwank, M.R. Shaneyfelt, D.M. Fleetwood, J.A. Felix, P.E. Dodd, P. Paillet, V. Ferlet-Cavrois. IEEE Trans. Nucl. Sci.,  55 (4), 1833 (2008). DOI: 10.1109/TNS.2008.2001040
  5. D.M. Fleetwood. IEEE Trans. Nucl. Sci.,  65 (8), 1465 (2018). DOI: 10.1109/TNS.2017.2786140
  6. В.Д. Попов, Г.А. Протопопов. Радиационно-термическая обработка МОП-приборов и интегральоных схем (Palmarium Academic Press, 2013)
  7. J.-G. Hwu, Sh.-L. Fu. Solid-State Electron., 32 (8), 615 (1989). DOI: 10.1016/0038-1101(89)90139-1
  8. Г.М. Воронкова, В.Д. Попов, Г.А. Протопопов. ФТП, 41 (8), 977 (2007). DOI: 10.1134/S1063782607080179
  9. P.S. Winokur, M.M. Sokoloski. Appl. Phys. Lett., 28 (10), 627 (1976). DOI: 10.1063/1.88592
  10. P.J. McWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1682 (1990). DOI: 10.1109/23.101177
  11. A.J. Lelis, T.R. Oldham, H.E. Boesch, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36 (6), 1808 (1989). DOI: 10.1109/23.45373
  12. О.В. Александров. ФТП, 55 (2), 152 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2022.12.54516.3947
  13. P.J. McWhorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), 133 (1986). DOI: 10.1063/1.96974
  14. J.M. Benedetto, H.E. Boech. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1318 (1986). DOI: 10.1109/TNS.1986.4334599
  15. P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys., 55 (10), 3495 (1984). DOI: 10.1063/1.332937
  16. D.L. Griscom. J. Appl. Phys., 58 (7), 2524 (1985). DOI: 10.1063/1.335931
  17. A.G. Revesz. J. Electrochem. Soc., 126 (1), 122 (1979). DOI: 10.1149/1.2128967
  18. V.V. Afanas'ev, G.J. Andriaenssens, A. Stesmans. Microelectron. Eng., 59 (1-4), 85 (2001). DOI: 10.1016/S0167-9317(01)00651-7
  19. A. Rivera, A. van Veen, H. Schut, J.M.M. de Nijs, P. Balk. Solid State Electron., 46 (11), 1775 (2002). DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00150-8
  20. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron Dev., 11 (11), 749 (1967). DOI: 10.1109/TED.1967.16102
  21. R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987). DOI: 10.1109/TNS.1987.4337452
  22. H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. McGarrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1191 (1986). DOI: 10.1109/TNS.1986.4334577
  23. J.F. Zhang, H.K. Sii, G. Groeseneken, R. Degraeve. IEEE Trans. El. Dev., 48 (6), 1127 (2001). DOI: 10.1109/16.925238

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme