Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2024, выпуск 10 » Статья стр. 1680
<<<>>>
Формирование наноструктур SmS в матрице анодированного оксида алюминия
Баскаков Е.Б. 1, Супельняк С.И. 1, Хмеленин Д.Н. 1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: baskakov.ras@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 22 июля 2024 г.
Принята к печати: 6 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2024 г.
PDF версия
Матрицы из анодированного оксида алюминия с диаметром пор 40-140 nm и 60-210 nm изготовлены анодированием алюминия двухэтапным методом. Представлено распределение оксидных ячеек и пор матриц по диаметру. Установлено, что увеличение времени травления привело к росту статистического максимума среднего диаметра пор от 108 до 155 nm. Установлено, что увеличение диаметра пор в процессе травления сопровождается сохранением размеров оксидных ячеек и снижением средней толщины стенок ячеек. Методом магнетронного распыления получены наноструктуры SmS, образовавшиеся в порах матриц и уходящие на среднюю глубину 120 nm. Предположено образование проводящего канала в виде тонкого слоя SmS, соединяющего наноструктуры SmS и барьерный слой анодированного оксида алюминия. Измерено сопротивление наноструктур SmS в матрице анодированного оксида алюминия с Ni-металлизацией, которое составило 23 и 22 Ω. Ключевые слова: анодированный оксид алюминия, сульфид самария, магнетронное напыление, наноструктуры.
  1. J.W. Diggle, T.C. Downie, C.W. Goulding. Chem. Rev., 69, 385 (1969)
  2. G.E. Thompson, G.C. Wood. Treatise on Mater. Sci. Technol., 23, 250 (1983). DOI: 10.1016/B978-0-12-633670-2.50010-3
  3. G.D. Sulka. Highly Ordered Anodic Porous Alumina Formation by Self-Organized Anodizing. In A.Eftekhari (ed.). Nanostructured Materials in Electrochemistry, Ch.1 (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co, 2008), DOI: 10.1002/9783527621507.ch1
  4. C.E. Alvey. The Mechanical Properties of Porous Anodic Oxide Films on Aluminium (The University of Manchester Institute of Science and Technology, Manchester, 1974)
  5. F. Keller, M.S. Hunter, D.L. Robinson. J. Electrochem. Society, 100 (9), 411 (1953). DOI: 10.1149/1.2781142
  6. J.P. O'sullivan, G.C. Wood. Proceed. Royal Society of London. A. Mathem. Phys. Sci., 317 (1531), 511 (1970). DOI: 10.1098/rspa.1970.0129
  7. H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh, H. Asoh, M. Nakao, T. Tamamura. Appl. Phys. Lett., 71 (19), 2770 (1997). DOI: 10.1063/1.120128
  8. S. Shingubara, Y. Murakami, K. Morimoto, T. Takahagi. Surf. Sci., 532, 317 (2003). DOI: 10.1016/S0039-6028(03)00433-3
  9. H.M.H. Masuda, M.S.M. Satoh. Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1B), L126 (1996). DOI: 10.1143/JJAP.35.L126
  10. X.Y. Han, W.Z. Shen. J. Electroanalytical Chem., 655 (1), 56 (2011). DOI: 10.1016/j.jelechem.2011.02.008
  11. C. Cheng, A.H.W. Ngan. Nanotechnology, 24 (21), 215602 (2013). DOI: 10.1088/0957-4484/24/21/215602
  12. A.И. Воробьева, Е.А. Уткина. Микроэлектроника, 34 (3), 181 (2005). [A.I. Vorobyova, E.A. Outkina. Russ. Microelectron., 34 (3), 147 (2005). DOI: 10.1007/s11180-005-0023-6]
  13. S. Ono, M. Saito, H. Asoh. Electrochim. Acta, 51 (5), 827 (2005). DOI: 10.1016/j.electacta.2005.05.058
  14. J. Liang, H. Chik, J. Xu. IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron., 8 (5), 998 (2002). DOI: 10.1109/JSTQE.2002.804238
  15. В.М. Федосюк. Вес. Нац. акад. навук Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук, 66 (1), 37 (2021). DOI: 10.29235/1561-8358-2021-66-1-37-46
  16. H. Masuda, K. Fukuda. Science, 268 (5216), 1466 (1995). DOI: 10.1126/science.268.5216.1466
  17. K.X. Wang, Z. Yu, V. Liu, M.L. Brongersma, T.F. Jaramillo, S. Fan. Acs Photonics, 1 (3), 235 (2014). DOI: 10.1021/ph4001026
  18. S. McNamee, D. Wagner, E.M. Fiordaliso, D. Novog, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 30 (7), 075401 (2018). DOI: 10.1088/1361-6528/aaf30a
  19. K. Koshelev, S. Kruk, E. Melik-Gaykazyan, J.H. Choi, A. Bogdanov, H.G. Park, Y. Kivshar. Science, 367 (6475), 288 (2020). DOI: 10.1126/science.aaz3985
  20. L.D. Hicks, T.C. Harman, X. Sun, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 53 (16), R10493 (1996). DOI: 10.1103/PhysRevB.53.R10493
  21. D. Li, Y. Wu, P. Kim, L. Shi, P. Yang, A. Majumdar. Appl. Phys. Lett., 83 (14), 2934 (2003). DOI: 10.1063/1.1616981
  22. A. Stranz, U. Sokmen, J. Kahler, A. Waag, E. Peiner. Sensors and Actuators A: Phys., 171 (1), 48 (2011). DOI: 10.1016/j.sna.2011.01.022
  23. X. Zou, X. Chen, H. Huang, Y. Xu, W. Duan. Nanoscale, 7 (19), 8776 (2015). DOI: 10.1039/c5nr01892g
  24. И.А. Смирнов, В.С. Оскотский. УФН, 124 (2), 241 (1978). DOI: 10.3367/UFNr.0124.197802b.0241 [I.A. Smirnov, V.S. Oskotskii. Sov. Phys. Usp., 21, 117 (1978). DOI: 10.1070/PU1978v021n02ABEH005517]
  25. М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ЖТФ, 70 (5), 136 (2000). [M.M. Kazanin, V.V. Kaminskii, S.M. Solov'ev. Tech. Phys., 45 (5), 659 (2000). DOI: 10.1134/1.1259698]
  26. A. Sousanis, P.F. Smet, D. Poelman. Materials, 10 (8), 953 (2017). DOI: 10.3390/ma10080953
  27. В.В. Каминский, С.А. Казаков, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова, М.А. Гревцев. ФТТ, 57 (2), 264 (2015). [V.V. Kaminskii, S.A. Kazakov, M.V. Romanova, N.V. Sharenkova, M.A. Grevtsev. Phys. Solid State, 57 (2), 277 (2015). DOI: 10.1134/S106378341502016X]
  28. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (Энергоатомиздат, М., 1987)
  29. А.Ю. Степанова, И.В. Запороцкова, А.Н. Белов. Вестник ВолГУ, 10 (5), 114 (2011)
  30. Д.О. Ильин. Синтез и люминесцентные свойства нанопористых структур анодированного оксида алюминия (Уральский федеральный ун-т им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, 2015)
  31. В.И. Стрелов, Е.Б. Баскаков, Ю.Н. Бендрышев, В.М. Каневский. Кристаллография, 64 (2), 281 (2019). DOI: 10.1134/S0023476119020292 [V.I. Strelov, E.B. Baskakov, U.N. Bendryshev, V.M. Kanevskii. Crystallography Reports, 64 (2), 311 (2019). DOI: 10.1134/S1063774519020299]
  32. В.Г. Бамбуров, О.В. Андреев, В.В. Иванов, А.Н. Воропай, А.В. Горшков, А.А. Полковников, А.Н. Бобылев. ДАН, 473 (6), 676 (2017)
  33. Z. Fang, Y. Wang, X. Peng, X. Liu, C. Zhen. Mater. Lett., 57 (26-27), 4187 (2003). DOI: 10.1016/S0167-577X(03)00287-8
  34. N. Nuntawong, M. Horprathum, P. Eiamchai, K. Wong-Ek, V. Patthanasettakul, P. Chindaudom. Vacuum, 84 (12), 1415 (2010). DOI: 10.1016/j.vacuum.2009.12.020
  35. W. Cheng, Y. Zhou, X. Guan, Y. Hui, S. Wang, X. Miao. Mater. Manufacturing Processes, 31 (2), 173 (2016). DOI: 10.1080/10426914.2015.1019130
  36. Х.Т. Динь, Н.В. Лушпа, К.В. Чернякова, И.А. Врублевский. Докл. БГУИР, 4 (122), 79 (2019)
  37. В.А. Мошников, Е.Н. Соколова, Ю.М. Спивак. Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2, 13 (2011)
  38. A.V. Matveev, A.V. Nartova, N.N. Sankova, A.G. Okunev. Microscopy Research and Technique, 87 (5), 991 (2024). DOI: 10.1002/jemt.24480
  39. А.В. Матвеев, М.Ю. Машуков, А.В. Нартова, А.Г. Окунев. Тез. докл. Восемнадцатой Национальной конференции по искусственному интеллекту с международным участием КИИ-2020 (М., Россия, 2020), с. 230
  40. H. Masuda, K. Fukuda. Science, 268 (5216), 1466 (1995). DOI: 10.1126/science.268.5216.1466
  41. А.И. Воробьева, Е.А. Уткина, А.А. Ходин. Микроэлектроника, 36 (6), 437 (2007). [A.I. Vorobyova, E.A. Outkina, A.A. Khodin. Russ. Microelectron., 36 (6), 384 (2007). DOI: 10.1134/S1063739707060054]
  42. Е.О. Гордеева, И.В. Росляков, А.И. Садыков, Т.А. Сучкова, Д.И. Петухов, Т.Б. Шаталова, К.С. Напольский. Электрохимия, 54 (11), 999 (2018). DOI: 10.1134/S0424857018130194 [E.O. Gordeeva, I.V. Roslyakov, D.I. Petukhov, T.B. Shatalova, K.S. Napolskii, A.I. Sadykov, T.A. Suchkova. Russ. J. Electrochem., 54 (11), 990 (2018). DOI: 10.1134/S1023193518130165]
  43. Е.Б. Баскаков, В.И. Стрелов. Кристаллография, 66 (6), 925 (2021). DOI: 10.31857/S0023476121060059 [E.B. Baskakov, V.I. Strelov. Crystallography Reports, 66 (6), 1078 (2021). DOI: 10.1134/S1063774521060055]
  44. Н.Д. Томашов, М.Н. Тюкина, Ф.П. Заливалов. Толстослойное анодирование алюминия (Машиностроение, М., 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme