Вышедшие номера
Высокоградиентная асферизация подложек тонкопленочными покрытиями Al/Si
Российский научный фонд, 21-72-30029
Министерство образования и науки Российской Федерации, FFUF-2024-0022
Дуров К.В. 1, Минеев С.М.2, Полковников В.Н.1, Чхало Н.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: zevs2801@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 15 мая 2024 г.
Принята к печати: 15 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 27 июля 2024 г.

Рассмотрены вопросы пленочной асферизации. В качестве асферизующего покрытия предложена нанесенная на сферическую поверхность многослойная структура Al/Si. Подбором соотношения материалов в периоде произведен поиск состояния, при котором напряжения в многослойной структуре минимизировались. При этом период структуры 9-10 nm соответствует зеркалам нормального падения для диапазона длин волн 17-19 nm, представляющим интерес для солнечной астрономии. С помощью прецизионных фигурных диафрагм между магнетроном и подложкой был сформирован асферический профиль покрытия с максимальным перепадом высот ~1.3 μm. Ключевые слова: тонкие пленки, магнетронное напыление, внутренние напряжения, асферизация.