Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование электрического сопротивления пленок галлия на реконструированной поверхности Si(111)
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, FWFW-2021-0002
Цуканов Д.А.
1,2, Рыжкова М.В.
1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия 
2Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия
2Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия
Email: tsukanov@iacp.dvo.ru, ryzhkova@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 25 апреля 2024 г.
Принята к печати: 25 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 27 июля 2024 г.
Представлены результаты исследования кристаллической структуры и электрического сопротивления подложек кремния Si(111) после осаждения галлия на предварительно сформированные поверхностные реконструкции в системах Ga/Si(111), Tl/Si(111), Au/Si(111). Для исследования изменений структуры кристаллической решетки поверхности использован метод дифракции медленных электронов, а для измерения электрического сопротивления подложек в условиях in situ - четырехзондовый метод. Рассмотрено влияние концентрации адсорбированных атомов галлия на структурные и электрические свойства пленок. Показана роль поверхностных реконструкций в качестве буферного слоя для последующего роста сверхтонких пленок. Ключевые слова: адсорбция, поверхностная реконструкция, электрическое сопротивление, дифракция медленных электронов, четырехзондовый метод измерения сопротивления подложки.
- W.F. Leonard, S.F. Lin. Thin Solid Films, 28, L9 (1975). DOI: 10.1016/0040-6090(75)90285-0
- C.B. Duke. Appl. Surf. Sci., 65/66, 543 (1993). DOI: 10.1016/0169-4332(93)90717-P
- V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov. Surface Phases on Silicon (Chichester, Wiley, 1993)
- H.W. Yeom, S. Takeda, E. Rotenberg, I. Matsuda, K. Horikoshi, J. Schaefer, C.M. Lee, S.D. Kevan, T. Ohta, T. Nagao, S. Hasegawa. Phys. Rev. Lett., 82, 4898 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.4898
- E. Rotenberg, H. Koh, K. Rossnagel, H.W. Yeom, J. Schafer, B. Krenzer, M.P. Rocha, S.D. Kevan. Phys. Rev. Lett., 91, 246404 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevLett.91.246404
- K. Sakamoto, H. Kakuta, K. Sugawara, K. Miyamoto, A. Kimura, T. Kuzumaki, N. Ueno, E. Annese, J. Fujii, A. Kodama, T. Shishidou, H. Namatame, M. Taniguchi, T. Sato, T. Takahashi, T. Oguchi. Phys. Rev. Lett., 103, 156801 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevLett.103.156801
- T. Uchihashi, P. Mishra, M. Aono, T. Nakayama. Phys. Rev. Lett., 107, 207001 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevLett.107.207001
- Y. Fukuya, I. Matsuda, M. Hashimoto, K. Kubo, T. Hirahara, S. Yamazaki, W.H. Choi, H.W. Yeom, S. Hasegawa, A. Kawasuso, A. Ichimiya. Surf. Sci., 606, 919 (2012). DOI: 10.1016/j.susc.2012.02.006
- I. Matsuda, F. Nakamura, K. Kubo, T. Hirahara, S. Yamazaki, W.H. Choi, H.W. Yeom, H. Narita, Y. Fukuya, M. Hashimoto, A. Kawasuso, M. Ono, Y. Hasegawa, S. Hasegawa, K. Kobayashi. Phys. Rev. B, 82, 165330 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.82.165330
- V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin, T.V. Kasyanova, M.A. Cherevik, I.V. Pisarenko, V.G. Lifshits. Phys. Rev. B, 66, 165401 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.66.165401
- K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Katayama. Surf. Sci. Reps., 35, 1 (1999). DOI: 10.1016/S0167-5729(99)00005-9
- D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, D.V. Gruznev, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Nanotechnology, 19, 245608 (2008). DOI: 10.1088/0957-4484/19/24/245608
- H.-M. Zhang, Y. Sun, W. Li, J.-P. Peng, C.-L. Song, Y. Xing, Q. Zhang, J. Guan, Y. Zhao, S. Ji, L. Wang, K. He, X. Chen, L. Gu, L. Ling, M. Tian, L. Li, X.C. Xie, J. Liu, H. Yang, Q.-K. Xue, J. Wang, X. Ma. Phys. Rev. Lett., 114, 107003 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevLett.114.107003
- N. Briggs, B. Bersch, Y. Wang, J. Jiang, R.J. Koch, N. Nayir, K. Wang, M. Kolmer, W. Ko, A.D.L.F. Duran, S. Subramanian, C. Dong, S. Shallenberger, M. Fu, Q. Zou, Y.-W. Chuang, Z. Gai, A.-P. Li, A. Bostwick, C. Jozwiak, C.-Z. Chang, E. Rotenberg, J. Zhu, A.C.T. van Duin, V. Crespi, J.A. Robinson. Nat. Mater., 19, 637 (2020). DOI: 10.1038/s41563-020-0631-x
- D.Z. Metin, L. Hammerschmidt, N. Gaston. Phys. Chem. Chem. Phys., 20, 27668 (2018). DOI: 10.1039/c8cp05280h
- L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. J. Alloys Compd., 969, 172453 (2023). DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.172453
- H. Okamoto, M.E. Schlesinger, E.M. Mueller. ASM Handbook Volume 3: Alloy Phase Diagrams (ASM International, 2016)
- M.Y. Lai, Y.L. Wang. Phys. Rev. B, 60, 1764 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.60.1764
- E.Z. Luo, S. Heun, M. Kennedy, J. Wollschlager, M. Henzler. Phys. Rev. B, 49, 4858 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevB.49.4858
- T. Kanagawa, R. Hobara, I. Matsuda, T. Tanikawa, A. Natori, S. Hasegawa. Phys. Rev. Lett., 91, 036805 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevLett.91.036805
- D.A. Tsukanov, S.G. Azatyan, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko, O.A. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Appl. Surf. Sci., 476, 1 (2019). DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.01.063
- D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, D.A. Tsukanov, E.A. Borisenko, L.V. Bondarenko, M.V. Ivanchenko, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surf. Sci., 603, 3400 (2009). DOI: 10.1016/j.susc.2009.10.001
- S. Hasegawa, X. Tong, S. Takeda, N. Sato, T. Nagao. Prog. Surf. Sci., 60, 89 (1999). DOI: 10.1016/S0079-6816(99)00008-8
- O. Pfennigstorf, K. Lang, H.-L. Gunter, M. Henzler. Appl. Surf. Sci., 162, 537 (2000). DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00247-6
- S. Hasegawa, S. Ino. Surf. Sci., 283, 438 (1993). DOI: 10.1016/0039-6028(93)91016-I
- P. Kumar, M. Kumar, B.R. Mehta, S.M. Shivaprasad. Appl. Surf. Sci., 256, 480 (2009). DOI: 10.1016/j.apsusc.2009.07.036
- L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, D.V. Denisov, A.V. Matetskiy, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.S Zhdanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Mol. Syst. Des. Eng., 8, 604 (2023). DOI: 10.1039/d2me00251e
- M.L. Tao, Y.B. Tu, K. Sun, Y.L. Wang, Z.B. Xie, L. Liu, M.X. Shi, J.Z. Wang. 2D Mater., 5, 035009 (2018). DOI: 10.1088/2053-1583/aaba3a
- M. Jalochowski, E. Bauer. Surf. Sci., 213, 556 (1989). DOI: 10.1016/0039-6028(89)90312-9
- S.S. Lee, H.J. Song, N.D. Kim, J.W. Chung, K. Kong, D. Ahn, H. Yi, B.D. Yu, H. Tochihara. Phys. Rev. B, 66, 233312 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.66.233312
- A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, J.-P. Chou, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surf. Sci., 668, 17 (2018). DOI: 10.1016/j.susc.2017.10.010
- S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. 2D Mater., 4, 025020 (2017). DOI: 10.1088/2053-1583/aa57f9
- Y. Ke, F. Zahid, V. Timoshevskii, R. Xia, D. Gall, H. Guo. Phys. Rev. B, 79, 155406 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.79.155406
- T. Yamanaka, S. Ino. Phys. Rev. Lett., 89, 196101 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevLett.89.196101
- L.V. Bondarenko, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Phys. Rev. B, 101, 075405 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.101.075405
- I. Chizhov, G. Lee, R.F. Willis. Phys. Rev. B, 56, 12316 (1997). DOI: 10.1103/PhysRevB.56.12316
- Fritz Haber Institute of the Max Planck Society, "LEEDpat4" software https://www.fhi.mpg.de/958975/LEEDpat4
- К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (Наука, М., 2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
