Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изготовление и исследование структур нормальный металл-изолятор-сверхпроводник Al/AlOx/Nb
Российский научный фонд, Конкурс 2023 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 23-79-10262
Министерство науки и высшего образования РФ , Конкурс крупных научных проектов по приоритетным направлениям научно-технологического развития, 075-15-2024-538
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Москва, Россия
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Москва, Россия
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия
Email: markina_ma@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 15 мая 2024 г.
Принята к печати: 15 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 1 июля 2024 г.
Представлены разработка, изготовление и исследование структур на основе туннельных переходов нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Произведен анализ морфологии трехслойной структуры Al/AlOx/Nb методами просвечивающей электронной микроскопии, просвечивающей растровой электронной микроскопии и электронной дифракции. Для формирования туннельных переходов использована технология Selective Niobium Etching and Anodization Process. Достигнут параметр качества изготовленных структур - отношение R_d/R_n(V = 0)= 53 при температуре 2.8 K, теоретически ожидаемое значение составляет 54. Разработан дизайн структур из последовательно-параллельного электрического соединения пар туннельных контактов. Изготовлены интегральные структуры термометров, dR/dT которых в 2.5, 5 и 12.5 раз больше, чем одиночного туннельного перехода. Ключевые слова: туннельный переход, нормальный металл-изолятор-сверхпроводник (НИС), цепочки НИС контактов, SNEAP (от англ. "Selective Niobium Etching and Anodization Process"), плазмохимическое травление, просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ).
- J. Clarke, G.I. Hoffer, P.L. Richards. Rev. Phys. Applique, 9 (1), 69 (1974). DOI: 10.1051/rphysap:019740090106900
- D. Golubev, L. Kuzmin. J. Appl. Phys., 89 (11), 6464 (2001). DOI: 10.1063/1.1351002
- М. Тарасов, Л. Кузьмин, Е. Степанцов, И. Агуло, А. Калабухов, М. Фоминский, Z. Ivanov, T. Claeson. Письма в ЖЭТФ, 79 (6), 356 (2004). [M. Tarasov, L. Kuz'min, E. Stepantsov, I. Agulo, A. Kalabukhov, M. Fominskii, Z. Ivanov, T. Claeson. J. Experim. Theor. Phys. Lett., 79 (6), 298 (2004). DOI: 10.1134/1.1759413]
- J. Niemeyer. PTB-Mitt, 84 (4), 251 (1974)
- F.M. Al-Ghamdi, A. Ennawy, R.J. Bennett, A. Vradis. J. King Abdulaziz University-Science, 5 (1), 99 (1993). DOI: 10.4197/Sci.5-1.9
- I. Giaever. Phys. Rev. Lett., 5 (10), 464(1960). DOI: 10.1103/PhysRevLett.5.464
- I. Giaever, K. Megerle. Phys. Rev., 122 (4), 1101(1961). DOI: 10.1103/PhysRev.122.1101
- L.J. Zeng, S. Nik, T. Greibe, P. Krantz, C.M. Wilson, P. Delsing, E. Olsson. J. Phys. D: Appl. Phys., 48 (39), 395308 (2015). DOI: 10.1088/0022-3727/48/39/395308
- S. Fritz, L. Radtke, R. Schneider, M. Weides, D. Gerthsen. J. Appl. Phys., 125 (16), 165301 (2019). DOI: 10.1063/1.5089871
- А. Выставкин, Д. Шуваев, Л. Кузьмин, М. Тарасов, Э. Адерстед, М. Вилландер, Т. Клаесон. ЖЭТФ, 115 (3), 1085 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
