Особенности рассеяния вторичных электронов в наноканавках были выявлены экспериментально по итогам их сканирования в низковольтном растровом электроном микроскопе. Значимая роль в генерации потока медленных вторичных электронов (МВЭ), создающих изображение в микроскопе, принадлежит вторичным электронам, рассеиваемым одними участками поверхности наноканавки к другим участкам ("внешним" электронам). Поток МВЭ от "внешних" вторичных электронов добавляется к потоку МВЭ от сканируемой точки, что приводит к модификации потока МВЭ, эмитируемого только этой точкой. Это явление особенно значимо для наноканавок с крутыми боковыми стенками. Заметный вклад в рассеяние "внешних" вторичных электронов вносит дно канавки. Вторичные электроны, рассеиваемые внутри канавки, способны покидать ее, перемещаться вдоль поверхности образца, вызывая эмиссию вторичных электронов и из соседних участков рельефной структуры. Это приводит к зависимости изображения наноканавки от расположения соседних канавок. "Внешние" вторичные электроны влияют на эмиссию МВЭ из поверхности, модифицируя состояние ее поверхностных зарядовых ловушек. Ключевые слова: нанометрология, низковольтный растровый электронный микроскоп, рельефная структура, поверхностные зарядовые состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.