Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов
Малевская А.В.
1, Калюжный Н.А.
1, Малевский Д.А.
1, Блохин А.А.
1, Нахимович М.В.1, Ильинская Н.Д.
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia 
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru, dmalevsky.scell@mail.ioffe.ru, Aleksey.Blokhin@mail.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, Nataya.Ilynskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 5 апреля 2024 г.
Принята к печати: 10 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2024 г.
Выполнены исследования в области постростовой технологии изготовления инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Исследованы различные методы текстурирования и просветления световыводящей поверхности диодов, разработана технология формирования оптических элементов. Проведен анализ взаимосвязи технологии формирования чипов и фотоэлектрических параметров светоизлучающих диодов: интенсивности электролюминесценции, оптической мощности и внешней квантовой эффективности. В результате применения проведенных разработок достигнуто двукратное увеличение оптической мощности диодов, которая составила > 400 mW при токе 800 mА. Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, текстурирование, просветляющее покрытие, оптический элемент.
- A.G. Entrop, A. Vasenev. Energy Proced., 132, 63 (2017). DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.636
- М. Kitamura, Т. Imada, S. Kako, Y. Arakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 2326 (2004). DOI: 10.1143/JJAP.43.2326
- H.-J. Lee, L.-K. Kwac. J. Luminescence, 250, 119086 (2022). DOI: 10.1016./j.jlumin/2022/119086
- H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, Ch.-H. Lee, J.-H. Kim, L.-K. Kwac, Infrared Phys. Technol., 118, 103879 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103879
- H.-J. Lee, I.-K. Jang, D.-K. Kim, Y.-J. Cha, S.W. Cho. Micromachines, 13, 695 (2022). DOI: 10.3390/mi13050695
- E.F. Shubert. Light-Emitting Diodes (Rensselaer Polyt. Inst., NY., USA, 2018), ed. 3, p. 660
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Ф.Ю. Солдатенков, Р.В. Левин, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.Р. Ларионов, В.М. Андреев. ЖТФ, 93 (1), 170 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54078.166-22
- Yuan Qin, Xia Guo, Wen Jing Jiang, Rong Fang, Guang Di Shen. Proc. SPIE-OSA-IEEE Asia Communication and Photonics (Shanghai, China, 2009), v. 7635, p. 763505-1
- R. Windisch, B. Dutta, M. Kuijk, A. Knobloch, S. Meinlschmidt, S. Schoberth, P. Kiesel, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE Trans. Elect. Dev., 47 (7), 1492 (2000)
- А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, Ю.М. Задиранов, П.В. Покровский, А.А. Блохин, А.В. Андреева. ФТП, 55 (11), 1086. DOI: 10.21883/FTP/2021/11/51565/9679
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.М. Андреев. ЖТФ, 94 (4), 632 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.04.57534.261-23
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
