Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов
Малевская А.В.
1, Калюжный Н.А.
1, Малевский Д.А.
1, Блохин А.А.
1, Нахимович М.В.1, Ильинская Н.Д.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru, dmalevsky.scell@mail.ioffe.ru, Aleksey.Blokhin@mail.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, Nataya.Ilynskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 5 апреля 2024 г.
Принята к печати: 10 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2024 г.
Выполнены исследования в области постростовой технологии изготовления инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Исследованы различные методы текстурирования и просветления световыводящей поверхности диодов, разработана технология формирования оптических элементов. Проведен анализ взаимосвязи технологии формирования чипов и фотоэлектрических параметров светоизлучающих диодов: интенсивности электролюминесценции, оптической мощности и внешней квантовой эффективности. В результате применения проведенных разработок достигнуто двукратное увеличение оптической мощности диодов, которая составила > 400 mW при токе 800 mА. Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, текстурирование, просветляющее покрытие, оптический элемент.
- A.G. Entrop, A. Vasenev. Energy Proced., 132, 63 (2017). DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.636
- М. Kitamura, Т. Imada, S. Kako, Y. Arakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 2326 (2004). DOI: 10.1143/JJAP.43.2326
- H.-J. Lee, L.-K. Kwac. J. Luminescence, 250, 119086 (2022). DOI: 10.1016./j.jlumin/2022/119086
- H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, Ch.-H. Lee, J.-H. Kim, L.-K. Kwac, Infrared Phys. Technol., 118, 103879 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103879
- H.-J. Lee, I.-K. Jang, D.-K. Kim, Y.-J. Cha, S.W. Cho. Micromachines, 13, 695 (2022). DOI: 10.3390/mi13050695
- E.F. Shubert. Light-Emitting Diodes (Rensselaer Polyt. Inst., NY., USA, 2018), ed. 3, p. 660
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Ф.Ю. Солдатенков, Р.В. Левин, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.Р. Ларионов, В.М. Андреев. ЖТФ, 93 (1), 170 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54078.166-22
- Yuan Qin, Xia Guo, Wen Jing Jiang, Rong Fang, Guang Di Shen. Proc. SPIE-OSA-IEEE Asia Communication and Photonics (Shanghai, China, 2009), v. 7635, p. 763505-1
- R. Windisch, B. Dutta, M. Kuijk, A. Knobloch, S. Meinlschmidt, S. Schoberth, P. Kiesel, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE Trans. Elect. Dev., 47 (7), 1492 (2000)
- А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, Ю.М. Задиранов, П.В. Покровский, А.А. Блохин, А.В. Андреева. ФТП, 55 (11), 1086. DOI: 10.21883/FTP/2021/11/51565/9679
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.М. Андреев. ЖТФ, 94 (4), 632 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.04.57534.261-23
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
