Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение сопротивления тонких пленок Bi₂Se₃ и гетероструктур Bi₂Se₃ на графене при растягивающих деформациях

Небогатикова Н.А.¹, Антонова И.В.^1,2, Соотс Р.А.¹, Кох К.А.³, Климова Е.С.³, Володин В.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

³Институт геологии и минералогии им. С.Л. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия Institute of Geology and Mineralogy named after. S.L. Sobolev SB RAS, Novosibirsk, Russia

Institute of Geology and Mineralogy named after. S.L. Sobolev SB RAS, Novosibirsk, Russia

Email: nadonebo@gmail.com, nadonebo@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 13 ноября 2023 г.

В окончательной редакции: 8 декабря 2023 г.

Принята к печати: 18 декабря 2023 г.

Выставление онлайн: 27 января 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Создание вертикальных гетероструктур Bi₂Se₃ на графене, полученных методом физического осаждения из газовой фазы, приводит не только к более совершенной структуре и проводимости слоя Bi₂Se₃, но и к улучшению механических свойств. Пленки Bi₂Se₃ с толщиной 20-40 nm на CVD-графене слабо меняли свое сопротивление при растягивающих деформациях, создаваемых при изгибе структур. Было установлено, что сопротивление возрастает всего на 20-30% при растяжении до 3.3%. При выращивании Bi₂Se₃ на слое напечатанного графена сформирована неоднородная по площади и толщине пленка Bi₂Se₃, трескающаяся при деформации более 1.5%. Ключевые слова: вертикальные гетероструктуры, Bi₂Se₃ на графене, растягивающие деформации, изменение сопротивления.

X. Li, L. Tao, Z. Chen, H. Fang, X. Li, X. Wang, J.-B. Xu, H. Zhu. Appl. Phys. Rev., 4, 021306 (2017). DOI: 10.1063/1.4983646
T.D. Thanh, N.D. Chuong, H.V. Hien, T. Kshetri, L.H. Tuan, N.H. Kim, J.H. Lee. Prog. Mat. Sci., 96, 51 (2018). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2018.03.007
J.A. Miwa, M. Dendzik, S.S. Gronborg, M. Bianchi, J.V. Lauritsen, P. Hofmann, S. Ulstrup. ACS Nano, 9 (6), 6502 (2015). DOI: 10.1021/acsnano.5b02345
J.M. Woods, Y. Jung, Y.J. Xie, W. Liu, Y. Liu, H. Wang, J.J. Cha. ACS Nano, 10 (2), 2004 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.5b06126
C. Zhang, C. Li, J. Yu, S. Jiang, S. Xu, C. Yang, Y.J. Liu, X. Gao, A. Liu, B. Man. Sens. Actuat. B Chem., 258, 163 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2017.11.080
I.V. Antonova, K.A. Kokh, N.A. Nebogatikova, E.A. Suprun, V.A. Golyshov, O.E. Tereshenko. Crystal Growth and Design, 22 (9), 5335 (2022). DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00431
X. Gao, M. Zhou, Y. Cheng, G. Ji. Philosophical Magazine, 96 (2), 208 (2016). DOI: 10.1080/14786435.2015.1128126
A. Politano, G. Chiarello. Nano Research, 8, 1847 (2015) DOI: 10.1007/s12274-014-0691-9
K. Song, D. Soriano, A.W. Cummings, R. Robles, P. Ordejon, S. Roche. Nano Lett., 18 (3), 2033 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b05482
C. Lee, X. Wei, J.W. Kysar, J. Hone. Science, 321 (5887), 385 (2008). DOI: 10.1126/science.1157996
H. Qiao, J. Yuan, Z. Xu, C. Chen, S. Lin, Y. Wang, J. Song, Y. Liu, Q. Khan, H.Y. Hoh, C.-X. Pan, S. Li, Q. Bao. ACS Nano, 9 (2), 1886 (2015). DOI: 10.1021/nn506920z
G. Cao. Polymers, 6 (9), 2404 (2014). DOI: 10.3390/polym6092404
H. Yan, C. Vajner, M. Kuhlman, L. Guo, L. Li, P.T. Araujo, H.-T. Wang. Appl. Phys. Lett., 109 (3), 032103 (2016). DOI: 10.1063/1.4958986
R.M. Elder, M.R. Neupane, T.L. Chantawansri. Appl. Phys. Lett., 107 (7), 073101 (2015). DOI: 10.1063/1.4928752
K.A. Kokh, N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, D.A. Kustov, V.A. Golyashov, E.S. Goldyreva, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, O.E. Tereshchenko. Materials Research Bulletin, 129, 110906 (2020). DOI: 10.1016/j.materresbull.2020.110906
J. Zhang, Z. Peng, A. Soni, Y. Zhao, Y. Xiong, B. Peng, J. Wang, M.S. Dresselhaus, Q. Xiong. Nano Lett., 11 (6), 2407 (2011). DOI: 10.1021/nl200773n
S. Ryu, J. Maultzsch, M.Y. Han, P. Kim, L.E. Brus. ACS Nano, 5 (5), 4123 (2011). DOI: 10.1021/nn200799y
A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev B, 61 (20), 14095 (2000). DOI: 10.1103/PhysRevB.61.14095
I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, N.P. Stepina, V.A. Volodin, V.V. Kirienko, M.G. Rybin, E.D. Obrazstova, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko. J. Mater. Sci., 56, 9330 (2021). DOI: 10.1007/s10853-021-05836-y
X. He, L. Gao, N. Tang, J. Duan, F. Xu, X. Wang, X. Yang, W. Ge, B. Shen. Appl. Phys. Lett., 105 (8), 083108 (2014). DOI: 10.1063/1.4894082

Учредители

Издатель