Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение доминирующего механизма сбоев в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера 0.18 μm при импульсном воздействии протонов низких энергий
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия 
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
Email: A.S.Pilipenko@vniitf.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 13 ноября 2023 г.
Принята к печати: 6 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 27 января 2024 г.
Исследованы сбои во встроенном оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера, облучаемого импульсами протонов низких энергий. Рассмотрены особенности проведения эксперимента по облучению исследуемого образца на лазер-плазменном источнике. Представлены оценка линейных потерь энергии от прямой ионизации протонами чувствительного объема и расчет мощности поглощенной дозы с учетом структуры и химического состава кристалла исследуемого микроконтроллера. Проведено сопоставление результатов с ранее полученными данными по облучению тормозным излучением и анализ карт сбоев. Показано, что сбои в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера обусловлены одиночными радиационными эффектами. Ключевые слова: протонное излучение, тормозное излучение, микроконтроллер, одиночные сбои, низкоэнергетические протоны, импульсное воздействие, лазерное ускорение.
- Радиационная стойкость изделий ЭКБ: Научное издание, под. ред. д-ра техн. наук, проф. А.И. Чумакова (НИЯУ МИФИ, 2015)
- E.L. Petersen, P. Shapiro, J.H. Adams, Jr. E.A. Burke. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-29 (6), 2055 (1982). DOI: 10.1109/tns.1982.4336495
- K.P. Rodbell, D.F. Heidel, H.H.K. Tang, M.S. Gordon, P. Oldiges, C.E. Murray. IEEE Trans. Nucl. Sci., 54 (6), 2474 (2007). DOI: 10.1109/tns.2007.909845
- D.F. Heidel, P.W. Marshall, K.A. LaBel, J.R. Schwank, K.P. Rodbell, M.C. Hakey, M.D. Berg, P.E. Dodd, M.R. Friendlich, A.D. Phan, C.M. Seidleck, M.R. Shaneyfelt, M.A. Xapsos. IEEE Trans. Nucl. Sci., 55 (6), 3394 (2008). DOI: 10.1109/tns.2008.2005499
- B.D. Sierawski, J.A. Pellish, R.A. Reed, R.D. Schrimpf, K.M. Warren, R.A. Weller, M.H. Mendenhall, J.D. Black, A.D. Tipton, M.A. Xapsos, R.C. Baumann, X. Deng, M.J. Campola, M.R. Friendlich, H.S. Kim, A.M. Phan, C.M. Seidleck. IEEE Trans. Nucl. Sci., 56 (6), 3085 (2009). DOI: 10.1109/tns.2009.2032545
- I.J. Kim, K.H. Pae, I.W. Choi, Ch.-L. Lee, H.T. Kim, H. Singhal, J.H. Sung, S.К. Lee, H.W. Lee, P.V. Nickles, T.M. Jeong, Ch.M. Kim, Ch.H. Nam. Phys. Plasmas, 23 (7), 070701 (2016). DOI: 10.1063/1.4958654
- A. Higginson, R.J. Gray, M. King, R.J. Dance, S.D.R. Williamson, N.M.H. Butler, R. Wilson, R. Capdessus, C. Armstrong, J.S. Green, S.J. Hawkes, P. Martin, W.Q. Wei, S.R. Mirfayzi, X.H. Yuan, S. Kar, M. Borghesi, R.J. Clarke, D. Neely, P. McKenna. Nature Сommun., 9 (1), 1 (2018). DOI: 10.1038/s41467-018-03063-9
- M.A. Xapsos, L.W. Massenqill, W.J. Stapor, P. Shapiro, A.B. Campbell, S.E. Kerns, K.W. Fernald, A.R. Knudson. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1419 (1987). DOI: 10.1109/tns.1987.4337491
- ГОСТ Р 59312-2021. РД 134-0191-2011. АППАРАТУРА РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ БОРТОВАЯ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ. Методы испытаний аналоговых и аналого-цифровых интегральных микросхем на стойкость к воздействию одиночных высокоэнергетических протонов и тяжелых заряженных частиц космического пространства на ускорителях заряженных частиц. Электронный ресурс. Режим доступа: https://npalib.ru/2021/02/05/gost-r-59312-2021-id145135/p60/
- А.С. Пилипенко. Радиотехника и электроника, 67 (5), 514 (2022)
- A.S. Pilipenko, M.I. Tikhonov. Microelectronics Reliability, 149, (2023). DOI: 10.1016/j.microrel.2023.115201
- X. Cao, L. Xiao, L. Li, J. Li, T. Wang. IEEE Intern. Conf. IC Design and Technology ( ICICDT), 1--4 (2019). DOI: 10.1109/ICICDT.2019.8790935
- D. Lambert, F. Desnoyers, D. Thouvenot. IEEE Europe. Conf. Radiation and Its Effects on Components and Systems, 148--154(2009). DOI: 10.1109/radecs.2009.5994571
- J.F. Zeigler, J.P. Biersack. SRIM http://www.srim.org
- М.М. Арманов, А.С. Кустов, О.В. Ткачев, К.Д. Кокшарова. ВАНТ. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, (3), 17 (2021)
- В.В. Гаганов, А.В. Грунин, И.Ю. Дроздов, К.А. Игнатов, Ф.К. Киселев, Е.Н. Крылевский, Ю.Г. Кудрявцев, С.А. Лазарев, К.М. Музюкин, А.В. Силаев, Б.В. Цыганков, Я.Я. Петричкович, В.В. Гусев, Л.П. Мироненко. Современные проблемы ядерной и радиационной физики (2017), с. 57--63
- D.G. Mavis, D.R. Alexander, G.L. Dinger. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36 (6), 2239 (1989)
- L.W. Massengill, S.E. Diehl-Nagle. IEEE Trans. Nucl. Sci., 31 (6), 1337 (1984)
- А.С. Пилипенко, А.С. Кустов, Л.С. Зубков. ВАНТ. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, (4), 14 (2022).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
