Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga₂O₃/GaAs:Cr

DOI: 10.61011/JTF.2023.11.56495.140-23

Ministry of Education and Science of the Russian Federation, № 220, 075-15-2022-1132

Калыгина В.М.

¹, Киселева О.С.¹, Копьев В.В.

¹, Кушнарев Б.О.

¹, Олейник В.Л.

¹, Петрова Ю.С.

¹, Цымбалов А.В.

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Email: Kalygina@ngs.ru

Поступила в редакцию: 2 июня 2023 г.

В окончательной редакции: 8 сентября 2023 г.

Принята к печати: 11 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены данные о чувствительности гетероструктур Ga₂O₃/GaAs:Cr к длинноволновому и ультрафиолетовому (λ=254 nm) излучениям. Образцы получены высокочастотным магнетронным напылением пленки оксида галлия на не нагретые подложки GaAs:Cr. Пластины арсенида галлия с пленкой Ga₂O₃ делили на две части: одну половину не подвергали отжигу, а вторую отжигали в аргоне при 500^oC в течение 30 min. Независимо от наличия или отсутствия темообработки исследованные структуры проявляли фотовольтаический эффект и способны работать в автономном режиме. Показано, что заметная чувствительность к длинноволновому излучению появляется в образцах только после термического отжига пленок оксида галлия. Времена отклика и восстановления таких детекторов УФ излучения не превышают 1 s. Ключевые слова: темновой ток, фототок, ультрафиолетовое излучение, структуры Ga₂O₃/GaAs:Cr, автономный режим работы, отжиг.

W. Mi, J. Ma, Z. Li, C. Luan, H. Xiao. J. Mater. Sci.: Mater. Electron, 26, 7889 (2015). DOI: 10.1007/s10854-015-3440-2
Y. Zhang, F. Alema, A. Mauze, O.S. Koksaldi, R. Miller, A. Osinsky, J.S. Speck, APL Mater., 7, 022506 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5058059
T. Uchida, R. Jinno, S. Takemoto, K. Kaneko, S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 57 (4), 040314 (2018). DOI: 10.7567/JJAP.57.040314
X. Wang, Z. Chen, D. Guo, X. Zhang, Z. Wu, P. Li, W. Tang. Opt. Mater. Express, 8 (9), 2918 (2018). https://doi.org/10.1364/OME.8.002918
Z. Li, Z. An, Y. Xu, Y. Cheng, Y. Cheng, D. Chen, Q. Feng, S. Xu, J. Zhang, C. Zhang, Y. Hao. J. Mater. Sci., 54, 10335 (2019)
M.-Q. Lia, N. Yanga, G.-G. Wanga, H.-Y. Zhanga, J.-C.Hana. Appl. Surf. Sci., 471, 694 (2019). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.12.045
В.М. Калыгина, В.В. Вишникина, Ю.С. Петрова, И.А. Прудаев, Т.М. Яскевич. ФТП, 49 (3), 357 (2015)
J. Yua, J. Louc, Z. Wang, S. Jic, J.Chend, M. Yub, B. Peng, Y. Hu, L. Yuan, Y. Zhang, R. Jia. J. Alloys Compd., 872, 159508 (2021)
M. Hong, J.P. Mannaerts, J.E. Bower, J. Kwo, M. Passlack, W.-Y. Hwang, L.W. Tu. J. Cryst. Growth, 175, 422 (1997)
M. Holland, C.R. Stanley, W. Reid, R.J.W. Hill, D.A.J. Moran, I. Thayne, G.W. Paterson, A.R. Long. J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 1706 (2007). https://doi.org/10.1116/1.2778690
J. Hwang, C.C. Chang, M.F. Chen, C.C. Chen, K. Lin, F.C. Tang, M. Hong, J. Kwo. J. Appl. Phys., 94 (1), 348 (2003)
P.D. Ye, G.D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, G. Chu, S. Nakahara, J.P. Mannaerts, M. Hong, K.K. Ng, J.D. Bu. Appl. Phys. Lett., 83 (1), 180 (2003)
X. Zhang, D. Jiang, M. Zhao, H. Zhang, M. Li, M. Xing, J. Han, A.E. Romanov. J. Phys.: Conf. Series, 1965, 012066 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/1965/1/012066
B.R. Tak, M.-M. Yang, M. Alexe, R. Singh. Cryst., 11 (9), 1046 (2021). https://doi.org/10.3390/cryst11091046
L. Huang, Q. Feng, G. Han, F. Li, X. Li, L.Fang, X. Xing, J. Zhang, Y. Hao. IEEE Photon. J., 9 (4), 6803708 (2017)
Y. Qin, S. Long, H. Dong, Q. He, G. Jian, Y. Zhang, X. Hou, P. Tan, Z. Zhang, H. Lv, Q. Liu, M. Liu. Chin. Phys. B, 28 (1), 018501 (2019). DOI: 10.1088/1674-1056/28/1/018501

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель