Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотостимулированная электролюминесценция тонкопленочных структур ZnS : Mn
1Специальное конструкторско-технологическое бюро Кольцова, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mesh@koltsov-kb.ru
Поступила в редакцию: 4 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 22 июля 2023 г.
Принята к печати: 27 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 26 сентября 2023 г.
Исследована фотостимулированная электролюминесценция тонкопленочных структур ZnS : Mn. Люминесцирующие структуры - тонкие пленки ZnS : Mn, изолированные слоями Al2О3, были получены методом атомного наслаивания. Внешняя стимулирующая подсветка осуществлялась светом твердотельного лазера с длиной волны 405 nm. Были обнаружены два типа фотостимуляции - добавочная интенсивность, предположительно вызванная появлением носителей, возбужденных подсветкой, и долговременная, природа которой требует дополнительного изучения. Ключевые слова: электролюминесцентный индикатор, сульфид цинка, фотостимуляция электролюминесценции, атомно-слоевое осаждение. DOI: 10.21883/0000000000
- Y.A. Ono. Electroluminescent Displays (World Scientific, Singapore, 1995)
- A.N. Krasnov. Displays, 24 (2), 73 (2003). DOI: 10.1016/S0141-9382(03)00015-5
- А.Н. Георгобиани, П.А. Пипинис. Туннельные явления в люминесценции полупроводников (Мир, М., 1994)
- M.F. Bulaniy, A.V. Kovalenko, B.A. Polezhaev. Inorganic Mater., 39 (3), 222 (2003)
- L. Brus. J. Quantum Electron., 22 (9), 1909 (1986). DOI: 10.1109/JQE.1986.1073184
- K. Sookal, B.S. Cullum, S.M. Angel, C.J. Murphy. J. Phys. Chem., 100 (11), 4551 (1996). DOI: 10.1021/jp952377a
- A.A. Bol, A. Meijerink. Phys. Rev. B., 58, 15997 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevB.58.R15997
- С.И. Кольцов. ЖПХ, 38, 1384 (1965)
- R.L. Puurunen. J. Appl. Phys., 97, 121301 (2005). DOI: 10.1063/1.1940727
- A.A. Malygin. J. Ind. Eng. Chem., 12 (1), 1 (2006)
- S.R. Shalana, V.P. Mahadevan Pillai. Appl. Surf. Sci., 440, 1181 (2018). DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.01.286
- Y.C. Cheng, C.Q. Jin, F. Gao, X.L. Wu, W. Zhong, S.H. Li, P.K. Chu. J. Appl. Phys., 106, 123505 (2009). DOI: 10.1063/1.3270401
- Y.A. Ono, H. Kawakami, M. Fuyama, K. Onisawa. Jpn. J. Appl. Phys., 26, 1482 (1987)
- Б.А. Аронзон, С.Д. Лазарев, Е.З. Мейлихов. Физические свойства полупроводниковых материалов (ИАЭ, М., 1973), т. 1
- C.L. Ballhausen. Introduction to ligand field theory (McGrau-Hill, NY., 1962). [К. Бальхаузен. Введение в теорию поля лигандов (Мир, М., 1964)]
- M.F. Bulanyi, Yu.A. Gulevskii, B.A. Polezhaev. Inorganic Мater., 35 (10), 997 (2000)
- Я.Ф. Кононец. Письма в ЖТФ, 24 (4), 1 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
