Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние ионов Li на мемристорные свойства конденсаторных структур на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x
Российский научный фонд, 22-19-00171
Ситников А.В.
1,2, Калинин Ю.Е.
1, Бабкина И.В.
1, Никонов А.Е.
1, Копытин М.Н.
1, Янченко Л.И.
1, Шакуров А.Р.
1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: sitnikov04@mail.ru, kalinin48@mail.ru, ivbabkina@mail.ru, nikonov.sasha1994@gmail.com, michaelkopitin@mail.ru, lyanchenko74@yandex.ru, Aleks.shakurov@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 3 июля 2023 г.
Принята к печати: 5 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.
Выявлено влияние Li, B и состава металлических контактов на процессы резистивного переключения в мемристивных структурах металл/нанокомпозит/диэлектрик/металл. После полевого воздействия в структурах Cu/(Co50Fe50)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cu/ситалл, Cu/(Co50Fe50)x(LiNbO3)100-x/d-LiNbO3/Cu/ситалл и Cu/(Co40Fe40B20)x(SiO2)100-x/d LiNbO3/Cu/ситалл при x < 13 at.% обнаружено остаточное напряжение (до 16 mV), обусловленное электромиграцией ионов Li, приводящее к "реверсивному" виду гистерезиса ВАХ и нестабильности временных зависимостей индуцированных резистивных состояний. В структурах Cu/(Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cu/ситалл, Cr/Cu/Cr/(Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cr/Cu/Cr/ситалл, содержащих B, величина остаточного напряжения уменьшается за счет образования химических соединений B c перколированными атомами Li. При ограничении электромиграции ионов Li основным механизмом резистивного переключения выступают процессы электромиграция вакансий кислорода в слое диэлектрического оксида. Подавление остаточного напряжения в структуре Cr/Cu/Cr/(Co50Fe50)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cr/Cu/Cr/ситалл за счет введения буферной прослойки Cr, не растворяющей Li, приводит к отсутствию биполярного резистивного переключения в данных структурах. Ключевые слова: резистивное переключение, мемристивный эффект, нанокомпозит, остаточное напряжение, тонкопленочные структуры.
- C. Li, M. Hu, Yu. Li, H. Jiang, N. Ge, E. Montgomery, Jm. Zhang, Wh. Song, N. Davila, C. Graves, Zh. Li, J. Strachan, P. Lin, Z. Wang, M. Barnell, Q. Wu, R. Williams, J. Yang, Qf. Xia. Nature Electr., 1, 52 (2018). DOI: 10.1038/s41928-017-0002-z
- И.Н. Антонов, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, О.А. Морозов, П.Е. Овчинников. Радиотехника и электроника, 63 (8), 880 (2016). DOI: 10.1134/S003384941808003X [I.N. Antonov, A.I. Belov, A.N. Mikhaylov, O.A. Morozov, P.E. Ovchinnikov. J. Commun. Technol. Electron., 63 (8), 950 (2018). DOI: 10.1134/S106422691808003X]
- A. Serb, J. Bill, A. Khiat, R. Berdan, R. Legenstein, T. Prodromakis. Nat. Commun., 7, 12611 (2016) DOI: 10.1038/ncomms12611
- V.A. Demin, V.V. Erokhin, A.V. Emelyanov, S. Battistoni, G. Baldi, S. Iannotta, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. Organic Electron., 25, 16 (2015). DOI: 10.1016/j.orgel.2015.06.015
- A.V. Emelyanov, D.A. Lapkin, V.A. Demin, V.V. Erokhin, S. Battistoni, G. Baldi, A. Dimonte, A.N. Korovin, S. Iannotta, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. AIP Advances, 6, 111301 (2016). DOI: 10.1063/1.4966257
- К.Э. Никируй, А.В. Емельянов, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, В.А. Демин. Письма в ЖТФ, 45 (8), 19 (2019)
- D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol., 31, 063002 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/6/063002
- J.S. Lee, S. Lee, T.W. Noh. Appl. Phys. Rev., 2 (3), 031303 (2015). DOI: 10.1063/1.4929512
- J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nature Nanotech., 8, 13 (2013). DOI: 10.1038/nnano.2012.240
- В.В. Рыльков, С.Н. Николаев, В.А. Демин, А.В. Емельянов, А.В. Ситников, К.Э. Никируй, В.А. Леванов, М.Ю. Пресняков, А.Н. Талденков, А.Л. Васильев, К.Ю. Черноглазов, А.С. Веденеев, Ю.Е. Калинин, А.Б. Грановский, В.В. Тугушев, А.С. Бугаев. ЖЭТФ, 153 (3), 424 (2018). DOI: 10.7868/S0044451018030094 [V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, V.A. Demin, A.V. Emelyanov, A.V. Sitnikov, K.E. Nikiruy, V.A. Levanov, M.Yu. Presnyakov, A.N. Taldenkov, A.L. Vasiliev, K.Yu. Chernoglazov, A.S. Vedeneev, Yu.E. Kalinin, A.B. Granovsky, V.V. Tugushev, A.S. Bugaev. J. Exp. Theor. Phys., 126, 353 (2018). DOI: 10.1134/S1063776118020152]
- В.А. Леванов, А.В. Емельянов, В.А. Демин, К.Э. Никируй, А.В. Ситников, С.Н. Николаев, А.С. Веденеев, Ю.Е. Калинин, В.В. Рыльков. Радиотехника и электроника, 63 (5), 489 (2018). DOI: 10.7868/S0033849418050145 [V.A. Levanov, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, K.E. Nikirui, A.V. Sitnikov, S.N. Nikolaev, A.S. Vedeneev, Yu.E. Kalinin, V.V. Rylkov. J. Commun. Technol. Electron., 63 (5), 491 (2018). DOI: 10.1134/S1064226918050078]
- К.Э. Никируй, А.В. Емельянов, В.А. Демин, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, П.К. Кашкаров. Письма в ЖТФ, 44 (10), 20 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.10.46095.17099 [K.E. Nikiruy, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, V.V. Rylkov, A.V. Sitnikov, P.K. Kashkarov. Tech. Phys. Lett., 44, 416 (2018). DOI: 10.1134/S106378501805022X]
- V.V. Rylkov, A.V. Sitnikov, S.N. Nikolaev, V.A. Demin, A.N. Taldenkov, M.Yu. Presnyakov, A.V. Emelyanov, A.L. Vasiliev, Yu.E. Kalinin, A.S. Bugaev, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky. JMMM, 459, 197 (2018). DOI: 10.1016/j.jmmm.2017.11.022
- V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, K.Y. Chernoglazov, V.A. Demin, M.Yu. Presnyakov, A.L. Vasiliev, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky, A.V. Sitnikov, Yu.E. Kalinin, N.S. Perov, A.S. Vedeneev. Phys. Rev. B, 95 (14), 144202 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.144202
- А.В. Ситников, И.В. Бабкина, Ю.Е. Калинин, А.Е.`Никонов, М.Н. Копытин, А.Р. Шакуров, О.И. Ремизова, Л.И. Янченко. ЖТФ, 92 (9), 1382 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.09.52930.94-22
- Ю.Е. Калинин, А.Н. Ремизов, А.В. Ситников. ФТТ, 46 (11), 2076 (2004). [Yu.E. Kalinin, A.N. Remizov, A.V. Sitnikov. Phys. Solid State, 46 (11), 2146 (2004). DOI: 10.1134/1.1825563]
- N. Domracheva, M. Caporali, E. Rentschler. Novel Magnetic Nanostructures: Unique Properties and Applications (Elsevier, 2018)
- И.А. Кедринский, В.Г. Яковлев. Li-ионные аккумуляторы (Платан, Красноярск, 2002)
- J. Rahn, E. Huger, L. Dorrer, B. Ruprecht, P. Heitjans, H. Schmidt. Z. Phys. Chem., 226, 439 (2012). DOI: 10.1524/zpch.2012.0214
- Н.П. Лякишева. Диаграммы состояния двойных металлических систем (Машиностроение, М., 1997)
- R. Rupp, B. Caerts, A. Vantomme, J. Fransaer, A. Vlad. J. Phys. Chem. Lett., 10, 5206 (2019). DOI: 10.1021/acs.jpclett.9b02014
- D.M. Gruen, A.R. Krauss, S. Susman, M. Venugopalan, M. Ron. J. Vac. Sci. Technol., 1 (2), 924 (1983). DOI: 10.1116/1.572152
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
