Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 9 » Статья стр. 1340
<<<>>>
Влияние ионов Li на мемристорные свойства конденсаторных структур на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x
DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56221.145-23
Российский научный фонд, 22-19-00171
Ситников А.В. 1,2, Калинин Ю.Е. 1, Бабкина И.В. 1, Никонов А.Е. 1, Копытин М.Н. 1, Янченко Л.И. 1, Шакуров А.Р. 1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: sitnikov04@mail.ru, kalinin48@mail.ru, ivbabkina@mail.ru, nikonov.sasha1994@gmail.com, michaelkopitin@mail.ru, lyanchenko74@yandex.ru, Aleks.shakurov@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 3 июля 2023 г.
Принята к печати: 5 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.
PDF версия
Выявлено влияние Li, B и состава металлических контактов на процессы резистивного переключения в мемристивных структурах металл/нанокомпозит/диэлектрик/металл. После полевого воздействия в структурах Cu/(Co50Fe50)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cu/ситалл, Cu/(Co50Fe50)x(LiNbO3)100-x/d-LiNbO3/Cu/ситалл и Cu/(Co40Fe40B20)x(SiO2)100-x/d LiNbO3/Cu/ситалл при x < 13 at.% обнаружено остаточное напряжение (до 16 mV), обусловленное электромиграцией ионов Li, приводящее к "реверсивному" виду гистерезиса ВАХ и нестабильности временных зависимостей индуцированных резистивных состояний. В структурах Cu/(Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cu/ситалл, Cr/Cu/Cr/(Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cr/Cu/Cr/ситалл, содержащих B, величина остаточного напряжения уменьшается за счет образования химических соединений B c перколированными атомами Li. При ограничении электромиграции ионов Li основным механизмом резистивного переключения выступают процессы электромиграция вакансий кислорода в слое диэлектрического оксида. Подавление остаточного напряжения в структуре Cr/Cu/Cr/(Co50Fe50)x(LiNbO3)100-x/s-LiNbO3/Cr/Cu/Cr/ситалл за счет введения буферной прослойки Cr, не растворяющей Li, приводит к отсутствию биполярного резистивного переключения в данных структурах. Ключевые слова: резистивное переключение, мемристивный эффект, нанокомпозит, остаточное напряжение, тонкопленочные структуры.
  1. C. Li, M. Hu, Yu. Li, H. Jiang, N. Ge, E. Montgomery, Jm. Zhang, Wh. Song, N. Davila, C. Graves, Zh. Li, J. Strachan, P. Lin, Z. Wang, M. Barnell, Q. Wu, R. Williams, J. Yang, Qf. Xia. Nature Electr., 1, 52 (2018). DOI: 10.1038/s41928-017-0002-z
  2. И.Н. Антонов, А.И. Белов, А.Н. Михайлов, О.А. Морозов, П.Е. Овчинников. Радиотехника и электроника, 63 (8), 880 (2016). DOI: 10.1134/S003384941808003X [I.N. Antonov, A.I. Belov, A.N. Mikhaylov, O.A. Morozov, P.E. Ovchinnikov. J. Commun. Technol. Electron., 63 (8), 950 (2018). DOI: 10.1134/S106422691808003X]
  3. A. Serb, J. Bill, A. Khiat, R. Berdan, R. Legenstein, T. Prodromakis. Nat. Commun., 7, 12611 (2016) DOI: 10.1038/ncomms12611
  4. V.A. Demin, V.V. Erokhin, A.V. Emelyanov, S. Battistoni, G. Baldi, S. Iannotta, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. Organic Electron., 25, 16 (2015). DOI: 10.1016/j.orgel.2015.06.015
  5. A.V. Emelyanov, D.A. Lapkin, V.A. Demin, V.V. Erokhin, S. Battistoni, G. Baldi, A. Dimonte, A.N. Korovin, S. Iannotta, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. AIP Advances, 6, 111301 (2016). DOI: 10.1063/1.4966257
  6. К.Э. Никируй, А.В. Емельянов, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, В.А. Демин. Письма в ЖТФ, 45 (8), 19 (2019)
  7. D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol., 31, 063002 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/6/063002
  8. J.S. Lee, S. Lee, T.W. Noh. Appl. Phys. Rev., 2 (3), 031303 (2015). DOI: 10.1063/1.4929512
  9. J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nature Nanotech., 8, 13 (2013). DOI: 10.1038/nnano.2012.240
  10. В.В. Рыльков, С.Н. Николаев, В.А. Демин, А.В. Емельянов, А.В. Ситников, К.Э. Никируй, В.А. Леванов, М.Ю. Пресняков, А.Н. Талденков, А.Л. Васильев, К.Ю. Черноглазов, А.С. Веденеев, Ю.Е. Калинин, А.Б. Грановский, В.В. Тугушев, А.С. Бугаев. ЖЭТФ, 153 (3), 424 (2018). DOI: 10.7868/S0044451018030094 [V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, V.A. Demin, A.V. Emelyanov, A.V. Sitnikov, K.E. Nikiruy, V.A. Levanov, M.Yu. Presnyakov, A.N. Taldenkov, A.L. Vasiliev, K.Yu. Chernoglazov, A.S. Vedeneev, Yu.E. Kalinin, A.B. Granovsky, V.V. Tugushev, A.S. Bugaev. J. Exp. Theor. Phys., 126, 353 (2018). DOI: 10.1134/S1063776118020152]
  11. В.А. Леванов, А.В. Емельянов, В.А. Демин, К.Э. Никируй, А.В. Ситников, С.Н. Николаев, А.С. Веденеев, Ю.Е. Калинин, В.В. Рыльков. Радиотехника и электроника, 63 (5), 489 (2018). DOI: 10.7868/S0033849418050145 [V.A. Levanov, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, K.E. Nikirui, A.V. Sitnikov, S.N. Nikolaev, A.S. Vedeneev, Yu.E. Kalinin, V.V. Rylkov. J. Commun. Technol. Electron., 63 (5), 491 (2018). DOI: 10.1134/S1064226918050078]
  12. К.Э. Никируй, А.В. Емельянов, В.А. Демин, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, П.К. Кашкаров. Письма в ЖТФ, 44 (10), 20 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.10.46095.17099 [K.E. Nikiruy, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, V.V. Rylkov, A.V. Sitnikov, P.K. Kashkarov. Tech. Phys. Lett., 44, 416 (2018). DOI: 10.1134/S106378501805022X]
  13. V.V. Rylkov, A.V. Sitnikov, S.N. Nikolaev, V.A. Demin, A.N. Taldenkov, M.Yu. Presnyakov, A.V. Emelyanov, A.L. Vasiliev, Yu.E. Kalinin, A.S. Bugaev, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky. JMMM, 459, 197 (2018). DOI: 10.1016/j.jmmm.2017.11.022
  14. V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, K.Y. Chernoglazov, V.A. Demin, M.Yu. Presnyakov, A.L. Vasiliev, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky, A.V. Sitnikov, Yu.E. Kalinin, N.S. Perov, A.S. Vedeneev. Phys. Rev. B, 95 (14), 144202 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.144202
  15. А.В. Ситников, И.В. Бабкина, Ю.Е. Калинин, А.Е.`Никонов, М.Н. Копытин, А.Р. Шакуров, О.И. Ремизова, Л.И. Янченко. ЖТФ, 92 (9), 1382 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.09.52930.94-22
  16. Ю.Е. Калинин, А.Н. Ремизов, А.В. Ситников. ФТТ, 46 (11), 2076 (2004). [Yu.E. Kalinin, A.N. Remizov, A.V. Sitnikov. Phys. Solid State, 46 (11), 2146 (2004). DOI: 10.1134/1.1825563]
  17. N. Domracheva, M. Caporali, E. Rentschler. Novel Magnetic Nanostructures: Unique Properties and Applications (Elsevier, 2018)
  18. И.А. Кедринский, В.Г. Яковлев. Li-ионные аккумуляторы (Платан, Красноярск, 2002)
  19. J. Rahn, E. Huger, L. Dorrer, B. Ruprecht, P. Heitjans, H. Schmidt. Z. Phys. Chem., 226, 439 (2012). DOI: 10.1524/zpch.2012.0214
  20. Н.П. Лякишева. Диаграммы состояния двойных металлических систем (Машиностроение, М., 1997)
  21. R. Rupp, B. Caerts, A. Vantomme, J. Fransaer, A. Vlad. J. Phys. Chem. Lett., 10, 5206 (2019). DOI: 10.1021/acs.jpclett.9b02014
  22. D.M. Gruen, A.R. Krauss, S. Susman, M. Venugopalan, M. Ron. J. Vac. Sci. Technol., 1 (2), 924 (1983). DOI: 10.1116/1.572152

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme