Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние поля коронного разряда на формирование голографических дифракционных решеток в пленках As₄₀S_60-xSe_x

DOI: 10.21883/JTF.2023.05.55465.285-22

Переводная версия: 10.21883/TP.2023.05.56072.285-22

Настас А.М.¹, Иову М.С.¹, Присакар А.М.¹, Тридух Г.М.¹, Прилепов В.Д.², Толстик А.Л.³, Сташкевич И.В.³

¹Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

²Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова Moldovan State University, Chisinau, Republic of Moldova

³Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Email: nastas_am@rambler.ru

Поступила в редакцию: 21 декабря 2022 г.

В окончательной редакции: 17 февраля 2023 г.

Принята к печати: 20 февраля 2023 г.

Выставление онлайн: 21 апреля 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние поля коронного разряда на голографическую запись и последующее химическое травление зарегистрированных дифракционных решеток в тонкопленочных структурах Cr/As₄₀S_60-xSe_x. Установлено, что приложение положительного коронного разряда приводит к увеличению голографической чувствительности пленок As-S-Se во время записи, а также повышению дифракционной эффективности как записанных, так и рельефно-фазовых дифракционных решеток, сформированных последующим химическим травлением. Среди исследованных пленок системы As₄₀S_60-xSe_x наилучшие результаты при применении излучения аргонового лазера (488 nm) были получены для пленок As₄₀S₃₉Se₂₁. В этом случае применение коронного разряда привело к увеличению голографической чувствительности в 2 раза, а дифракционной эффективности более чем в 3 раза по сравнению с обычной записью. Соответственно повышение дифракционной эффективности рельефных дифракционных решеток, сформированных с помощью последующего химического травления, составило около 30%. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, голографическая дифракционная решетка, коронный разряд, дифракционная эффективность, селективное травление. DOI: 10.21883/JTF.2023.05.55465.285-22

A. Chirita, T. Galstian, M. Caraman, V. Prilepov, O. Korshak, I. Andries. J. Optoelectron. Advan. Mater. Rapid Commun., 7 (3), 293 (2013)
Е.Ф. Венгер, А.В. Мельничук, А.В. Стронский. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение (Академпер, Киев, 2007), с. 285
A.M. Nastas, M.S. Iovu, I.N. Agishev, I.V. Gavrusenok, E.A. Melnikova, I.V. Stashkevitch, A.L. Tolstik. J. Belarusian State University Physics, 3, 4 (2021). URL: https://doi.org/10.33581/2520224320213000
А.М. Настас, А.М. Андриеш, В.В. Бивол, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. ЖТФ, 79 (2), 139 (2009). [A.M. Nastas, A.M. Andriesh, V.V. Bivol, A.M. Prisakar, G.M. Tridukh. Tech. Phys., 54 (2), 305 (2009). DOI: 10.1134/S1063784209020236
I. Bodurov, T. Yovcheva, I. Vlaeva, A. Viraneva, R. Todorov, G. Spassov, S. Sainov. J. Phys.: Conf. Ser., 398, 012053 (2012). DOI: 10.1088/1742-6596/398/1/012053
J. Dikova, I. Vlaeva, Tz. Babeva, T. Yovcheva, S. Sainov. Op. Laser. Engin., 50 (6), 838 (2012). DOI: 10.1016/j.optlaseng.2012.01.014
I. Vlaeva, R. Todorov, I. Bodurov, T. Yovcheva, S. Sainov. Nanoscien. Nanotechn., 12 eds. E. Balabanova, E. Mileva. Sofia, 113 (2012)
A.V. Stronski, M. Vl ek, P.E. Shepeliavyi, A. Sklena, S.A. Kostyukevich. Semicond. Phys., Quant. Electr. Optoelectron., 2 (1), 111(1999)
A.V. Stronski, M. Vlcek, S.A. Kostyukevich, V.M. Tomchuk, E.V. Kostyukevych, S.V. Svechnikov, A.A. Kudryavtsev, N.L. Moskalenko, A.A. Koptyukh. Semic. Phys., Quant. Electr. Optoelectr., 5 (3), 284 (2002)
J. Teteris, M. Reinfeld. J. Optoelect. Advan. Mater., 5 (5), 1355 (2003)
J. Tasseva, R. Todorov, D. Tsankov, K. Petkov. J. Optoelectr. Advan. Mater., 9 (2), 344 (2007)
В.А. Данько, И.З. Индутный, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый, О.В. Березнева, О.С. Литвин. ФТП, 46 (4), 520 (2012)
C.C. Wu, C.H. Ho, M.H. Yu, W.J. Chou. J. Alloys Comp., 427, 305 (2007)
Р. Кольер, К. Беркхард, Л. Лин. Оптическая голография (Мир, М., 1973), 686 с
Стеклообразные полупроводники в фотоэлектрических системах записи оптической информации, под об. ред. А.М. Андриеш (Штиинца, Кишинев, 1988), 128 с
А.М. Настас, А.М. Андриеш, В.В. Бивол, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. Письма в ЖТФ 32 (1), 89 (2006). [A.M. Nastas, A.M. Andriesh, V.V. Bivol, A.M. Prisakar, G.M. Tridukh. Tech. Phys. Lett., 32 (1), 45 (2006).]
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (Мир, M., 1982), т. 2, 368 с
D.M. Pai, S.W. Ing. Phys. Rev., 173 (3), 729 (1968). DOI: 10.1103/physrev.173.729
M.D. Tabak, P. Warter. J. Phys. Rev., 173 (3), 899 (1968). DOI: 10.1103/physrev.173.899
J.C. Knights, T.A. Davis. J. Phys. Chem. Solids, 35, 543 (1974)
D.M. Pai, R.C. Enck. Onsager Phys. Rev., 11 (12), 5163 (1975)
J. Frenkel. Phys. Rev., 54 (8), 647 (1938). DOI: 10.1103/physrev.54.647
L. Onsager. Phys. Rev., 54, 554 (1938)
А.М. Настас, М.С. Иову, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. ЖТФ, 87 (9), 1395 (2017). DOI: 10.21883/0000000000 [A.M. Nastas, M.S. Iovu, A.M. Prisakar, G.M. Tridukh. Tech. Phys., 62 (9), 1403 (2017). DOI: 10.1134/S1063784217090195]
А.М. Настас, М.С. Иову, А.Л. Толстик. Опт. и спектр., 128 (2), 236 (2020). DOI: 10.21883/0000000000 [A.M. Nastas, M.S. Iovu, A.L. Tolstik. Opt. Spectr., 128 (2), 231 (2020). DOI: 10.1134/S0030400X20020174]
A.M. Nastas, M.S. Iovu, A.M. Prisacar, A.Yu. Meshalkin, S.A. Sergeev. J. Non-Crystall. Solids, 438 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2016.02.004
A. Kikineshi, V. Palyok, A. Mishak, I. Szabo, D.L. Beke. Funct. Mater., 6 (3), 413 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель