Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 5 » Статья стр. 696
<<<>>>
Влияние поля коронного разряда на формирование голографических дифракционных решеток в пленках As40S60-xSex
DOI: 10.21883/JTF.2023.05.55465.285-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.05.56072.285-22
Настас А.М.1, Иову М.С.1, Присакар А.М.1, Тридух Г.М.1, Прилепов В.Д.2, Толстик А.Л.3, Сташкевич И.В.3
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: nastas_am@rambler.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 17 февраля 2023 г.
Принята к печати: 20 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 21 апреля 2023 г.
PDF версия
Исследовано влияние поля коронного разряда на голографическую запись и последующее химическое травление зарегистрированных дифракционных решеток в тонкопленочных структурах Cr/As40S60-xSex. Установлено, что приложение положительного коронного разряда приводит к увеличению голографической чувствительности пленок As-S-Se во время записи, а также повышению дифракционной эффективности как записанных, так и рельефно-фазовых дифракционных решеток, сформированных последующим химическим травлением. Среди исследованных пленок системы As40S60-xSex наилучшие результаты при применении излучения аргонового лазера (488 nm) были получены для пленок As40S39Se21. В этом случае применение коронного разряда привело к увеличению голографической чувствительности в 2 раза, а дифракционной эффективности более чем в 3 раза по сравнению с обычной записью. Соответственно повышение дифракционной эффективности рельефных дифракционных решеток, сформированных с помощью последующего химического травления, составило около 30%. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, голографическая дифракционная решетка, коронный разряд, дифракционная эффективность, селективное травление. DOI: 10.21883/JTF.2023.05.55465.285-22
  1. A. Chirita, T. Galstian, M. Caraman, V. Prilepov, O. Korshak, I. Andries. J. Optoelectron. Advan. Mater. Rapid Commun., 7 (3), 293 (2013)
  2. Е.Ф. Венгер, А.В. Мельничук, А.В. Стронский. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение (Академпер, Киев, 2007), с. 285
  3. A.M. Nastas, M.S. Iovu, I.N. Agishev, I.V. Gavrusenok, E.A. Melnikova, I.V. Stashkevitch, A.L. Tolstik. J. Belarusian State University Physics, 3, 4 (2021). URL: https://doi.org/10.33581/2520224320213000
  4. А.М. Настас, А.М. Андриеш, В.В. Бивол, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. ЖТФ, 79 (2), 139 (2009). [A.M. Nastas, A.M. Andriesh, V.V. Bivol, A.M. Prisakar, G.M. Tridukh. Tech. Phys., 54 (2), 305 (2009). DOI: 10.1134/S1063784209020236
  5. I. Bodurov, T. Yovcheva, I. Vlaeva, A. Viraneva, R. Todorov, G. Spassov, S. Sainov. J. Phys.: Conf. Ser., 398, 012053 (2012). DOI: 10.1088/1742-6596/398/1/012053
  6. J. Dikova, I. Vlaeva, Tz. Babeva, T. Yovcheva, S. Sainov. Op. Laser. Engin., 50 (6), 838 (2012). DOI: 10.1016/j.optlaseng.2012.01.014
  7. I. Vlaeva, R. Todorov, I. Bodurov, T. Yovcheva, S. Sainov. Nanoscien. Nanotechn., 12 eds. E. Balabanova, E. Mileva. Sofia, 113 (2012)
  8. A.V. Stronski, M. Vl ek, P.E. Shepeliavyi, A. Sklena, S.A. Kostyukevich. Semicond. Phys., Quant. Electr. Optoelectron., 2 (1), 111(1999)
  9. A.V. Stronski, M. Vlcek, S.A. Kostyukevich, V.M. Tomchuk, E.V. Kostyukevych, S.V. Svechnikov, A.A. Kudryavtsev, N.L. Moskalenko, A.A. Koptyukh. Semic. Phys., Quant. Electr. Optoelectr., 5 (3), 284 (2002)
  10. J. Teteris, M. Reinfeld. J. Optoelect. Advan. Mater., 5 (5), 1355 (2003)
  11. J. Tasseva, R. Todorov, D. Tsankov, K. Petkov. J. Optoelectr. Advan. Mater., 9 (2), 344 (2007)
  12. В.А. Данько, И.З. Индутный, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый, О.В. Березнева, О.С. Литвин. ФТП, 46 (4), 520 (2012)
  13. C.C. Wu, C.H. Ho, M.H. Yu, W.J. Chou. J. Alloys Comp., 427, 305 (2007)
  14. Р. Кольер, К. Беркхард, Л. Лин. Оптическая голография (Мир, М., 1973), 686 с
  15. Стеклообразные полупроводники в фотоэлектрических системах записи оптической информации, под об. ред. А.М. Андриеш (Штиинца, Кишинев, 1988), 128 с
  16. А.М. Настас, А.М. Андриеш, В.В. Бивол, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. Письма в ЖТФ 32 (1), 89 (2006). [A.M. Nastas, A.M. Andriesh, V.V. Bivol, A.M. Prisakar, G.M. Tridukh. Tech. Phys. Lett., 32 (1), 45 (2006).]
  17. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (Мир, M., 1982), т. 2, 368 с
  18. D.M. Pai, S.W. Ing. Phys. Rev., 173 (3), 729 (1968). DOI: 10.1103/physrev.173.729
  19. M.D. Tabak, P. Warter. J. Phys. Rev., 173 (3), 899 (1968). DOI: 10.1103/physrev.173.899
  20. J.C. Knights, T.A. Davis. J. Phys. Chem. Solids, 35, 543 (1974)
  21. D.M. Pai, R.C. Enck. Onsager Phys. Rev., 11 (12), 5163 (1975)
  22. J. Frenkel. Phys. Rev., 54 (8), 647 (1938). DOI: 10.1103/physrev.54.647
  23. L. Onsager. Phys. Rev., 54, 554 (1938)
  24. А.М. Настас, М.С. Иову, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. ЖТФ, 87 (9), 1395 (2017). DOI: 10.21883/0000000000 [A.M. Nastas, M.S. Iovu, A.M. Prisakar, G.M. Tridukh. Tech. Phys., 62 (9), 1403 (2017). DOI: 10.1134/S1063784217090195]
  25. А.М. Настас, М.С. Иову, А.Л. Толстик. Опт. и спектр., 128 (2), 236 (2020). DOI: 10.21883/0000000000 [A.M. Nastas, M.S. Iovu, A.L. Tolstik. Opt. Spectr., 128 (2), 231 (2020). DOI: 10.1134/S0030400X20020174]
  26. A.M. Nastas, M.S. Iovu, A.M. Prisacar, A.Yu. Meshalkin, S.A. Sergeev. J. Non-Crystall. Solids, 438 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2016.02.004
  27. A. Kikineshi, V. Palyok, A. Mishak, I. Szabo, D.L. Beke. Funct. Mater., 6 (3), 413 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme