Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 4 » Статья стр. 583
<<<
Измерение подвижности носителей заряда в образцах с низкой проводимостью методом полевого транзистора с использованием стоковых характеристик
DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55048.283-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.04.55948.283-22
Russian Science Foundation, 19-13-00332-Π
Парфенов П.С.1, Корженевский Ю.Г.1, Бабаев А.А.1, Литвин А.П.1, Соколова А.В.1, Федоров А.В.1
1Университет ИТМО, Международный научно-образовательный центр физики наноструктур, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 3 февраля 2023 г.
Принята к печати: 5 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2023 г.
PDF версия
При измерении подвижности носителей заряда методом полевого транзистора в материалах с низкой проводимостью, а также в полупроводниковых материалах с высокой плотностью ловушечных состояний, таких как нанокристаллы и поликристаллические пленки, результаты бывают сильно искажены из-за накопления заряда в транзисторной структуре. Проведено сравнительное исследование измерения подвижности носителей заряда в проводящих полимерах, нанокристаллах и поликристаллических пленках при помощи анализа стоковых и сток-затворных характеристик. Показано, что использование для расчета подвижности носителей заряда стоковых характеристик вместо сток-затворных характеристик помогает избежать систематической погрешности при измерении. Ключевые слова: полевой транзистор, подвижность носителей заряда, стоковые характеристики, накопление заряда, нанокристаллы.
  1. V. Podzorov. MRS Bull., 38, 15 (2013). DOI: 10.1557/mrs.2012.306
  2. J. Zaumseil, H. Sirringhaus. Chem. Rev., 107, 1296 (2007). DOI: 10.1021/cr0501543
  3. П.С. Парфенов, Н.В. Бухряков, Д.А. Онищук, А.А. Бабаев, А.В. Соколова, А.П. Литвин. ФТП, 56 (2), 236 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51968.9734 [P.S. Parfenov, N.V. Bukhryakov, D.A. Onishchuk, A.A. Babaev, A.V. Sokolova, A.P. Litvin. Semiconductors, 56 (2), 175 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.02.53049.9734]
  4. M. Kaisti. Biosens. Bioelectron., 98, 437 (2017). DOI: 10.1016/j.bios.2017.07.010
  5. H.H. Choi, K. Cho, C.D. Frisbie, H. Sirringhaus, V. Podzorov. Nat. Mater., 17, 2 (2018). DOI: 10.1038/nmat5035
  6. J.M. Luther, M. Law, Q. Song, C.L. Perkins, M.C. Beard, A.J. Nozik. ACS Nano, 2, 271 (2008). DOI: 10.1021/nn7003348
  7. О.В. Александров, С.А. Мокрушина. ФТП, 52 (6), 637 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45929.8717 [O.V. Aleksandrov, S.A. Mokrushina. Semiconductors, 52 (6), 783 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618060027]
  8. Y. Liu, M. Gibbs, J. Puthussery, S. Gaik, R. Ihly, H.W. Hillhouse, M. Law. Nano Lett., 10, 1960 (2010). DOI: 10.1021/nl101284k
  9. V. Podzorov, M.E. Gershenson, Ch. Kloc, R. Zeis, E. Bucher. Appl. Phys. Lett., 84, 3301 (2004). DOI: 10.1063/1.1723695
  10. H. Roger. ETH Zurich., 2013. DOI: 10.3929/ETHZ-A-010103856
  11. Z. Qin, H. Gao, J. Liu, K. Zhou, J. Li, Y. Dang, L. Huang, H. Deng, X. Zhang, H. Dong, W. Hu. Adv. Mater., 31, 1903175 (2019). DOI: 10.1002/adma.201903175
  12. M.I. Nugraha, R. Hausermann, S. Watanabe, H. Matsui, M. Sytnyk, W. Heiss, J. Takeya, M.A. Loi. ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 4719 (2017). DOI: 10.1021/acsami.6b14934
  13. M.J. Speirs, D.N. Dirin, M. Abdu-Aguye, D.M. Balazs, M.V. Kovalenko, M.A. Loi. Energy Environ. Sci., 9, 2916 (2016). DOI: 10.1039/C6EE01577H
  14. B. Jeong, L. Veith, T.J.A.M. Smolders, M.J. Wolf, K. Asadi. Adv. Mater., 33, 2100486 (2021). DOI: 10.1002/adma.202100486
  15. E.V. Ushakova, A.P. Litvin, P.S. Parfenov, A.V. Fedorov, M. Artemyev, A.V. Prudnikau, I.D. Rukhlenko, A.V. Baranov. ACS Nano, 6, 8913 (2012). DOI: 10.1021/nn3029106
  16. X. Zhang, Q. Zeng, Y. Xiong, T. Ji, C. Wang, X. Shen, M. Lu, H. Wang, S. Wen, Y. Zhang, X. Yang, X. Ge, W. Zhang, A.P. Litvin, A.V. Baranov, D. Yao, H. Zhang, B. Yang, A.L. Rogach, W. Zheng. Adv. Funct. Mater., 30, 1910530 (2020). DOI: 10.1002/adfm.201910530
  17. S.A. Rutledge, A.S. Helmy. J. Appl. Phys., 114, 133708 (2013). DOI: 10.1063/1.4824104
  18. S.H. Kim. Bull. Korean Chem. Soc., 38, 1460 (2017). DOI: 10.1002/bkcs.11327
  19. Y. Kim, M. Chang, S. Cho, M. Kim, H. Kim, E. Choi, H. Ko, J. Hwang, B. Park. J. Alloys Compd., 804, 213 (2019). DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.06.352
  20. A.K. Diallo, M. Gaceur, S.B. Dkhil, Y. Didane, O. Margeat, J. Ackermann, C. Videlot-Ackermann. Colloids Surf. A Physicochem. Eng. Asp., 500, 214 (2016). DOI: 10.1016/j.colsurfa.2016.04.036
  21. Y. Kim, B. Park. J. Phys. Chem. C Nanomater. Interfaces, 123, 30689 (2019). DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b08819
  22. F. Paulus, C. Tyznik, O.D. Jurchescu, Y. Vaynzof. Adv. Funct. Mater., 31, 2101029 (2021). DOI: 10.1002/adfm.202101029
  23. F.M. Li, G.-W. Hsieh, S. Dalal, M.C. Newton, J.E. Stott, P. Hiralal, A. Nathan, P.A. Warburton, H.E. Unalan, P. Beecher, A.J. Flewitt, I. Robinson, G. Amaratunga, W.I. Milne. IEEE Trans. Electron Devices, 55, 3001 (2008). DOI: 10.1109/TED.2008.2005180
  24. B. Ebenhoch, S.A.J. Thomson, K. Geneviv cius, G. Juv ska, I.D.W. Samuel. Org. Electron., 22, 62 (2015). DOI: 10.1016/J.ORGEL.2015.03.013

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme