Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 4 » Статья стр. 481
<<<>>>
Влияние деформаций растяжения и сжатия на электропроводные свойства графен-нанотрубных композитов с топологией островкового типа
DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55035.5-23
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.04.55935.5-23
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Грант Президента РФ для молодых кандидатов наук, МК-2289.2021.1.2
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание, FSRR-2023-0008
Слепченков М.М. 1, Барков П.В. 1, Глухова О.Е. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: slepchenkovm@mail.ru, barkovssu@mail.ru, glukhovaoe@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 17 января 2023 г.
В окончательной редакции: 17 января 2023 г.
Принята к печати: 17 января 2023 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2023 г.
PDF версия
B рамках теории функционала плотности в приближении сильной связи с самосогласованным вычислением заряда проведено исследование особенностей атомного строения и электропроводных свойств гибридной графен-нанотрубной пленки с островковой топологией при деформациях одноосного растяжения и сжатия. Гибридная пленка представляет собой композитную структуру, образованную бислойным графеном с конфигурацией слоев AB-типа и горизонтально ориентированными хиральными одностенными углеродными нанотрубками диаметром 1.2 nm. Выявлены закономерности деформационного поведения исследуемой гибридной структуры и установлены пределы ее прочности. Показано, как при деформациях растяжения/сжатия изменяются электрическое сопротивление и вольт-амперная характеристика пленки. Ключевые слова: графен-нанотрубные пленки островкового типа, осевое растяжение/сжатие, сопротивление, вольт-амперная характеристика. DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55035.5-23
  1. S. Rathinavel, K. Priyadharshini, D. Panda. Mater. Sci. Eng. B, 268, 115095 (2021). DOI: 10.1016/j.mseb.2021.115095
  2. F. Zhang, K. Yang, G. Liu, Y. Chen, M. Wang, S. Li, R. Li. Compos. Part A Appl. Sci. Manuf., 160, 107051 (2022). DOI: 10.1016/j.compositesa.2022.107051
  3. B. Cai, H. Yin, T. Huo, J. Ma, Z. Di, M. Li, N. Hu, Z. Yang, Y. Zhang, Y. Su. J. Mater. Chem. C, 8 (10), 3386 (2020). DOI: 10.1039/C9TC06586E
  4. Y. Han, Y. Jiang, C. Gao, ACS Appl. Mater. Interfaces, 7 (15), 8147 (2015). DOI: 10.1021/acsami.5b00986
  5. Y. Li, Q. Ai, L. Mao, J. Guo, T. Gong, Y. Lin, G. Wu, W. Huang, X. Zhang. Sci. Rep., 11, 21006 (2021). DOI: 10.1038/s41598-021-00307-5
  6. W. Du, Z. Ahmed, Q. Wang, C. Yu, Z. Feng, G. Li, M. Zhang, C. Zhou, R. Senegor, C.Y. Yang. 2D Mater., 6 (4), 042005 (2019). DOI: 10.1088/2053-1583/ab41d3
  7. S. Lepak-Kuc, K.Z. Milowska, S. Boncel, M. Szybowicz, A. Dychalska, I. Jozwik, K.K. Koziol, M. Jakubowska, A. Lekawa-Raus. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11 (36), 33207 (2019). DOI: 10.1021/acsami.9b08198
  8. H. Kim, J. Kim, H.S. Jeong, H. Kim, H. Lee, J.M. Ha, S.M. Choi, T.H. Kim, Y.C. Nah, T.J. Shin, J. Bang, S.K. Satijag, J. Koo. Chem. Commun., 54 (41), 5229 (2018). DOI: 10.1039/C8CC02148A
  9. K. Yousefi, J. Environ. Treat. Tech., 9 (1), 224 (2021). DOI: 10.47277/JETT/9(1)232
  10. R.T. Lv, E. Cruz-Silva, M. Terrones. ACS Nano, 8 (5), 4061 (2014). DOI: 10.1021/nn502426c
  11. J. Zhou, Y. Zheng, D. Chen. Nanomaterials, 12 (4), 620 (2022). DOI: 10.3390/nano12040620
  12. L. Cai, X. Xue, M. Liu, H. Li, X. Zhou, G. Yu. APL Mater., 9 (4), 041110 (2021). DOI: 10.1063/5.0045100
  13. B. Abreu, M. Rocha, M. Nunes, C. Freire, E.F. Marques. J. Mater. Sci., 56, 19512 (2021). DOI: 10.1007/s10853-021-06463-3
  14. T. Xu, D. Yang, Z. Fan, X. Li, Y. Liu, C. Guo, M. Zhang, Z.-Z. Yu. Carbon, 152 (134) (2019). DOI: 10.1016/j.carbon.2019.06.005
  15. A. Abdollahi, A. Abnavi, S. Ghasemi, S. Mohajerzadeh, Z. Sanaee. Electrochim. Acta, 320, 134598 (2019). DOI: 10.1016/j.electacta.2019.134598
  16. Y. Li, Z. Li, L. Lei, T. Lan, Y. Li, P. Li, X. Lin, R. Liu, Z. Huang, X. Fen, Y. Ma. Flat. Chem., 15, 100091 (2019). DOI: 10.1016/j.flatc.2019.100091
  17. Y. Zhou, W. Qian, W. Huang, B. Liu, H. Lin, C. Dong. Nanomaterials, 9 (10), 1450 (2019). DOI: 10.3390/nano9101450
  18. Б.Ю. Валеев, А.Н. Токсумаков, Д.Г. Квашнин, Л.А. Чернозатонский. Письма в ЖЭТФ, 115 (2), 103 (2022). [B.Yu. Valeev, A.N. Toksumakov, D.G. Kvashnin, L.A. Chernozatonskii. JETP Lett., 115 (2), 93 (2022). DOI: 10.1134/S0021364022020114]
  19. О.Е. Глухова, М.М. Слепченков, В.В. Митрофанов, П.В. Барков. ФТП, 53 (12), 1686 (2019). [O.E. Glukhova, M.M. Slepchenkov, V.V. Mitrofanov, P.V. Barkov, Semiconductors, 53 (12), 1677 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619160097]
  20. J. Srivastava, A. Gaur. J. Chem. Phys., 155 (24), 244104 (2021). DOI: 10.1063/5.0077099
  21. A.B. Felix, M. Pacheco, P. Orellana, A. Latge. Nanomaterials, 12 (19), 3475 (2022). DOI: 10.3390/nano12193475
  22. J. Srivastava, A. Gaur. Nanoscale Adv., 3 (7), 2030 (2021). DOI: 10.1039/D0NA00881H
  23. E.F. Sheka, L.A. Chernozatonskii. J. Comput. Theor. Nanosci., 7 (9), 1814 (2010). DOI: 10.1166/jctn.2010.1546
  24. S. Zhang, L. Tong, J. Zhang. Natl. Sci. Rev., 5 (3), 310 (2018). DOI: 10.1093/nsr/nwx080
  25. E. Zhou, J. Xi, Y. Guo, Y. Liu, Z. Xu, L. Peng, W. Gao, J. Ying, Z. Chen, C. Gao. Carbon, 133, 316 (2018). DOI: 10.1016/j.carbon.2018.03.023
  26. J. Kuang, Z. Dai, L. Liu, Z. Yang, M. Jin, Z. Zhang. Nanoscale, 7 (20), 9252 (2015). DOI: 10.1039/C5NR00841G
  27. B. Hourahine, B. Aradi, V. Blum, F. Bonafe, A. Buccheri, C. Camacho, C. Cevallos, M.Y. Deshaye, T. Dumitricv a, A. Dominguez, S. Ehlert, M. Elstner, T. van der Heide, J. Hermann, S. Irle, J.J. Kranz, C. Kohler, T. Kowalczyk, T. Kubav r, I.S. Lee, V. Lutsker, R.J. Maurer, S.K. Min, I. Mitchell, C. Negre, T.A. Niehaus, A.M.N. Niklasson, A.J. Page, A. Pecchia, G. Penazzi, M.P. Persson, J. v Rezav c, C.G. S anchez, M. Sternberg, M. Stohr, F. Stuckenberg, A. Tkatchenko, V.W.Z. Yu, T. Frauenheim. J. Chem. Phys., 152 (12), 124101 (2020). DOI: 10.1063/1.5143190
  28. R.S. Mulliken. J. Chem. Phys., 23, 1833 (1955). DOI: 10.1063/1.1740588
  29. S. Datta. Quantum Transport: Atom to Transistor (Cambridge University Press, NY., 2005), p. 285-308
  30. J. Liu, Q. Liang, R. Zhao, S. Lei, W. Hu. Mater. Chem. Front., 4 (2), 354 (2020). DOI: 10.1039/C9QM00517J
  31. O. Braun, J. Overbeck, M.E. Abbassi, S. Kaser, R. Furrer, A. Olziersky, A. Flasby, G.B. Barin, R. Darawish, K. Mullen, P. Ruffieux, R. Fasel, I. Shorubalko, M.L. Perrin, M. Calame. Carbon, 184, 331 (2021). DOI: 10.1016/j.carbon.2021.08.001

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme