Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs-GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель
Малевская А.В.1, Калюжный Н.А.1, Солдатенков Ф.Ю.1, Левин Р.В.1, Салий Р.А.1, Малевский Д.А.1, Покровский П.В.1, Ларионов В.Р.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 10 ноября 2022 г.
Принята к печати: 11 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2022 г.
Проведена разработка технологии переноса AlGaAs/GaAs-гетероструктур, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, на GaAs-подложку-носитель с использованием серебросодержащей пасты или Au-In-компаунда. Исследован процесс формирования фронтального омического контакта к GaAs n-типа проводимости на основе контактных систем Au(Ge)/Ni/Au и Pd/Ge/Au с удельным переходным контактным сопротивлением (2-5)·10-6 Ω·cm2. Выполнен анализ влияния технологии переноса гетероструктуры и процесса формирования фронтального омического контакта на параметры ИК светодиодов. Минимальное последовательное сопротивление светодиодов площадью 1 mm2 составило 0.16 Ω. Достигнуто значение оптической мощности 270 mW при токе 1.5 A. Ключевые слова: AlGaAs/GaAs-гетероструктура, светодиод, перенос на подложку-носитель, Au-In-компаунд, омические контакты.
- E.F. Shubert. Light-Emitting Diodes (second edition) (Cambridge University Press, 2006)
- Патент US6784462 (2004)
- Электронный ресурс "EPISTAR сorporation" https://www.epistar.com/EpistarEn/prodInfo
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, М.В. Нахимович, В.Р. Ларионов, П.В. Покровский, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (12), 1218 (2021). DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51709.9711
- Ch.C. Lee, Ch.Y.Wang, G. Matijasevic. Transaction Components, Nybrids, Manufactur. Tech., 16 (3), 311 (1993). DOI: 10.1109/33.232058
- Y.-Ch. Sohn, Q. Wang, S.-J. Ham, B.-G. Jeong, K.-D. Jung, M.-S. Choi, W.-B. Kim, Ch.-Y. Moon. Electronic Components and Technology Conference (2007). DOI: 10.1109/ECTC.2007.373863
- A.G. Baca, F. Ren, J.C. Zolper, R.D. Briggs, S.J. Pearton. Thin Solid Films, 309, 599 (1997)
- P.H. Hao, L.C. Wang, Fei Deng, S.S. Lau, J.Y. Cheng. J. Appl. Phys., 79, 4211 (1996)
- D.M. Mitin, F.Yu. Soldatenkov, A.M. Mozharov, A.A. Vasil'ev, V.V. Neplokh, I.S. Mukhin. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 9 (6), 789 (2018). DOI: 10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
