Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 5
>>>
Характеризация электрофизическими методами монокристаллического алмаза, легированного бором (обзор)
DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54059.110-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.01.55435.110-22
Зубков В.И. 1, Соломникова А.В. 1, Соломонов А.В. 1, Колядин А.В.2, Butler J.E.1,3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ООО НПК "Алмаз", Сестрорецк, Россия
3Cubic Carbon Ceramics, MD Huntingtown, USA
Email: vzubkovspb@mail.ru, solomnikova-anna@yandex.ru, avsolomonov@etu.ru, koliaidin56@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 10 октября 2022 г.
Принята к печати: 17 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2022 г.
PDF версия
На базе как результатов собственных исследований, так и работ других авторов проведен критический анализ существующих методов контроля концентрации примесей и основных носителей заряда в широкозонных полупроводниках, а также рассмотрены вопросы совершенствования современной диагностики основных электрофизических свойств монокристаллического алмаза. Установлено, что для полупроводникового алмаза принципиально важным оказывается раздельное определение концентрации примеси и концентрации свободных носителей заряда, что является следствием очень малой (менее 1%) степени ионизации внедренной примеси. Показаны преимущества и перспективность спектроскопии адмиттанса как диагностического метода. При исследовании образцов алмаза, легированных бором, обнаружено уменьшение энергии активации дырок с примесного уровня бора от 325 до 100 meV при увеличении концентрации бора с 2·1016 до 4·1019 cm-3. Сделано предположение, что причиной различия в энергиях активации, получаемых измерениями на постоянном и переменном токе, являются измеряемые соответствующим прибором токи проводимости либо смещения. Для сильно легированных образцов монокристаллического алмаза с концентрацией бора NA≥5·1018 cm-3 при температурах 120-150 K зарегистрирован переход к прыжковому механизму проводимости по примесной (акцепторной) зоне с термической энергией активации 10-20 meV. На базе результатов собственных исследований и работ других авторов проведен критический анализ существующих методов контроля концентрации примеси и основных носителей заряда в широкозонных полупроводниках, а также рассмотрены вопросы совершенствования современной диагностики основных электрофизических свойств монокристаллического алмаза. Установлено, что для полупроводникового алмаза принципиально важным оказывается раздельное определение концентрации примеси и концентрации свободных носителей заряда, что является следствием очень малой (менее 1%) степени ионизации внедренной примеси. Показаны преимущества и перспективность спектроскопии адмиттанса как диагностического метода применительно к сверхширокозонным полупроводникам, предлагаются решения, направленные на корректную интерпретацию экспериментальных данных. Большая энергия ионизации примеси бора в алмазе (370 meV) приводит к сильной частотной дисперсии измеряемой барьерной емкости. Показано, что для корректных измерений концентрации носителей заряда методом ВФХ в условиях нарушения квазистатичности необходимо использование низких частот и высоких температур. Проводится сопоставление результатов электрофизических исследований с традиционными измерениями концентрации примеси в алмазе оптическими методами. При температурных измерениях адмиттанса образцов монокристаллического алмаза, легированного бором, обнаружено уменьшение энергии активации дырок с примесного уровня бора от 325 до 100 meV при увеличении концентрации бора NA с 2·1016 до 4·1019 cm-3, а также при NA≥5·1018 cm-3 при температурах 120-150 K зарегистрирован переход к прыжковому механизму проводимости по примесной (акцепторной) зоне с термической энергией активации 10-20 meV. Ключевые слова: монокристаллический алмаз, примесь бора, концентрация носителей заряда, энергия активации, адмиттансная спектроскопия, вольт-фарадные измерения.
  1. A. Traore, P. Muret, A. Fiori, D. Eon, E. Gheeraert, J. Pernot. Appl. Phys. Lett., 104, 052105 (2014). DOI: 10.1063/1.4864060
  2. P.N. Volpe, P. Muret, J. Pernot, F. Omnes, T. Teraji, Y. Koide, F. Jomard, D. Planson, P. Brosselard, N. Dheilly, B. Vergne, S. Scharnholz. Appl. Phys. Lett., 97, 223501 (2010). DOI: 10.1063/1.3520140
  3. R. Pilotti, M. Angelone, S. Loreti, G. Pagano, M. Pillon, F. Sarto, M. Marinelli, E. Milani, G. Prestopino, C. Verona, G. Verona-Rinati. Proc. Sci., 240, 1 (2016). DOI: 10.22323/1.240.0180
  4. A. Metcalfe, G.R. Fern, P.R. Hobson, D.R. Smith, G. Lefeuvre, R. Saenger. J. Instrum., 12, C01066 (2017). DOI: 10.1088/1748-0221/12/01/C01066
  5. E. Kohn, A. Denisenko. Thin Solid Films, 515, 4333 (2007). DOI: 10.1016/j.tsf.2006.07.179
  6. M.W. Geis, T.C. Wade, C.H. Wuorio, T.H. Fedynyshyn, B. Duncan, M.E. Plaut, J.O. Varghese, S.M. Warnock, S.A. Vitale, M.A. Hollis. Phys. Status Solidi Appl. Mater. Sci., 215, 1800681 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201800681
  7. S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki (Eds.). Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials, Cambridge, 2018), DOI: 10.1016/C2016-0-03999-2
  8. S.J. Rashid, A. Tajani, L. Coulbeck, M. Brezeanu, A. Garraway, T. Butler, N.L. Rupesinghe, D.J. Twitchen, G.A.J. Amaratunga, F. Udrea, P. Taylor, M. Dixon, J. Isberg. Diam. Relat. Mater., 15, 317 (2006). DOI: 10.1016/j.diamond.2005.06.019
  9. D.J. Twitchen, A.J. Whitehead, S.E. Coe, J. Isberg, J. Hammersberg, T. Wikstrom, E. Johansson. IEEE Trans. Electron Devices, 51, 826 (2004). DOI: 10.1109/TED.2004.826867
  10. J. Achard, F. Silva, R. Issaoui, O. Brinza, A. Tallaire, H. Schneider, K. Isoird, H. Ding, S. Kone, M.A. Pinault, F. Jomard, A. Gicquel. Diam. Relat. Mater., 20 (2), 145 (2011). DOI: 10.1016/j.diamond.2010.11.014
  11. P. Sittimart, S. Ohmagari, T. Yoshitake. Jpn. J. Appl. Phys., 60, SBBD05 (2021). DOI: 10.35848/1347-4065/abd537
  12. М.П. Духновский, Е.Н. Куликов, А.К. Ратникова, Ю.Ю. Федоров, С.А. Богданов, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, А.Б. Мучников, О.Ю. Кудряшов, К.А. Леонтьев. Электронная техника. Cерия 1 СВЧ-Техника, 3 (518), 40 (2013)
  13. O. Auciello, S. Pacheco, A.V. Sumant, C. Gudeman, S. Sampath, A. Datta, R.W. Carpick, V.P. Adiga, P. Zurcher, Z. Ma, H.C. Yuan, J.A. Carlisle, B. Kabius, J. Hiller, S. Srinivasan. IEEE Microw. Mag., 8 (6), 61 (2007). DOI: 10.1109/MMM.2007.907816
  14. M. Liao. Funct. Diam., 1, 29 (2021). DOI: 10.1080/26941112.2021.1877019
  15. Н.И. Алексеев, В.В. Лучинин. Электроника алмаза (Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб., 2019)
  16. E. Berdermann, M. Pomorski, W. de Boer, M. Ciobanu, S. Dunst, C. Grah, M. Kiv s, W. Koenig, W. Lange, W. Lohmann, R. Lovrinv cic, P. Moritz, J. Morse, S. Mueller, A. Pucci, M. Schreck, S. Rahman, M. Trager. Diam. Relat. Mater., 19, 358 (2010). DOI: 10.1016/j.diamond.2009.11.019
  17. S.P. Lansley, H.J. Looi, M.D. Whitfield, R.B. Jackman. Diam. Relat. Mater., 8 (2--5), 946 (1999). DOI: 10.1016/s0925-9635(98)00423-3
  18. P.J. Sellin, A. Galbiati. Appl. Phys. Lett., 87, 093502 (2005). DOI: 10.1063/1.2035885
  19. Р.А. Хмельницкий, Г.В. Чучева, Н.Х. Талипов. Синтетический алмаз для электроники и оптики (ИКАР, М., 2017)
  20. В.А. Беспалов, В.М. Глазов, Э.А. Ильичев, Ю.А. Климов, С.В. Куклев, А.Е. Кулешов, Р.М. Набиев, Г.Н. Петрухин, Б.Г. Потапов, Г.С. Рычков, Д.С. Соколов, В.В. Фандеев, Е.А. Фетисов, С.С. Якушов. ЖТФ, 85 (4), 74 (2015). [V.A. Bespalov, V.M. Glazov, E.A. Il'ichev, Y.A. Klimov, S.V. Kuklev, A.E. Kuleshov, R.M. Nabiev, G.N. Petrukhin, B.G. Potapov, G.S. Rychkov, D.S. Sokolov, V.V. Fandeev, E.A. Fetisov, S.S. Yakushov. Tech. Phys., 60, 553 (2015).] DOI: 10.1134/S1063784215040076
  21. G. Chicot, T.N. Tran Thi, A. Fiori, F. Jomard, E. Gheeraert, E. Bustarret, J. Pernot. Appl. Phys. Lett., 101, 3 (2012). DOI: 10.1063/1.4758994
  22. H. El-Hajj, A. Denisenko, A. Kaiser, R.S. Balmer, E. Kohn. Diam. Relat. Mater., 17, 1259 (2008). DOI: 10.1016/j.diamond.2008.02.015
  23. P.N. Volpe, N. Tranchant, J.C. Arnault, S. Saada, F. Jomard, P. Bergonzo. Phys. Status Solidi --- Rapid Res. Lett., 6, 59 (2012). DOI: 10.1002/pssr.201105480
  24. M. Kunze, A. Vescan, G. Dollinger, A. Bergmaier, E. Kohn. Carbon NY., 37, 787 (1999). DOI: 10.1016/S0008-6223(98)00272-3
  25. В.И. Зубков, М.Ф. Панов, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.В. Зубкова, И.А. Ламкин, J.E. Butler, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов. Нано- и микросистемная техника, 12, 22 (2015)
  26. S. Eaton-Magana, A. Troy, C.M. Breeding. J. Gems \& Gemmol., 26, 25 (2021). DOI: 10.15964/j.cnki.027jgg.2021.06.003
  27. В.С. Бормашов, С.А. Тарелкин, С.Г. Буга, А.П. Волков, А.В. Голованов, М.С. Кузнецов, Н.В. Корнилов, Д.В. Тетерук, С.А. Терентьев, В.Д. Бланк. Заводская лаборатория. Диагностика Материалов, 83, 36 (2017)
  28. V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, P.M. Lytvyn, S.O. Ivakhnenko, T.V. Kovalenko, I.M. Danylenko, S.V. Malyuta. Semicond. Physics, Quantum Electron. Optoelectron., 24, 261 (2021)
  29. Y.D. Li, Y.S. Chen, M.J. Su, Q.F. Ran, C.X. Wang, H.A. Ma, C. Fang, L.C. Chen. Chin. Phys. B, 29, 078101 (2020). DOI: 10.1088/1674-1056/ab90e8
  30. U.F.S. D'Haenens-Johansson, A. Katrusha, K.S. Moe, P. Johnson, W. Wang, Gems \& Gemol., 51, 260 (2015). DOI: 10.5741/GEMS.51.3.260
  31. P.L. Diggle, U.F.S. D'Haenens-Johansson, B.L. Green, C.M. Welbourn, T.N. Tran Thi, A. Katrusha, W. Wang, M.E. Newton. Phys. Rev. Mater., 4, 093402 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.093402
  32. A. Bogatskiy, J.E. Butler. Diam. Relat. Mater., 53, 58 (2015). DOI: 10.1016/j.diamond.2014.12.010
  33. А.А. Майер. Процессы роста кристаллов: уч. пособие (РХТУ им. Д.И. Менделеева, М., 1999)
  34. A. Paoletti, A. Tucciarone (еds.). The Physics of Diamond, in: Proc. Int. Sch. Phys. "Enrico Fermi" (1997), p. 607
  35. J.C. Angus. Diam. Relat. Mater. 49, 77 (2014). DOI: 10.1016/j.diamond.2014.08.004
  36. P.M. Martineau, M.P. Gaukroger, K.B. Guy, S.C. Lawson, D.J. Twitchen, I. Friel, J.O. Hansen, G.C. Summerton, T.P.G. Addison, R. Burns. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 364205 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364205V
  37. V. Mortet, A. Soltani. Appl. Phys. Lett., 99 (20), 202105 (2011). DOI: 10.1063/1.3662403
  38. A. Tallaire, J. Achard, F. Silva, O. Brinza, A. Gicquel. Comptes Rendus Phys., 14, 169 (2013). DOI: 10.1016/j.crhy.2012.10.008`
  39. A.L. Vikharev, M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov. Mater. Today Commun., 22, 100816 (2020). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2019.100816
  40. M. Schwander, K. Partes. Diam. Relat. Mater., 20, 1287 (2011). DOI: 10.1016/j.diamond.2011.08.005
  41. J.J. Gracio, Q.H. Fan, J.C. Madaleno. J. Phys. D: Appl. Phys., 43 (37), 374017 (2010). DOI: 10.1088/0022-3727/43/37/374017
  42. B.V. Spitsyn, L.L. Bouilov, B.V. Derjaguin. J. Cryst. Growth., 52 (1), 219 (1981). DOI: 10.1016/0022-0248(81)90197-4
  43. Д.И. Соболев, А.М. Горбачев, А.Л. Вихарев, Г.Г. Денисов. Плазменный реактор для высокоскоростного осаждения алмазных пленок из газовой фазы (Патент РФ RU 2416677, 2002)
  44. J.E. Butler, Y.A. Mankelevich, A. Cheesman, J. Ma, M.N.R. Ashfold. J. Phys.: Condens. Matter., 21 (36), 364201 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364201
  45. A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev. Diam. Relat. Mater., 20, 1225 (2011). DOI: 10.1016/j.diamond.2011.06.030
  46. E.A. Surovegina, E.V. Demidov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, A.L. Viharev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, A.B. Muchnikov, V.V. Chernov, D.B. Radishchev, D.E. Batler. Semiconductors, 50, 1569 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616120204
  47. А.Я. Вуль, О.А. Шендерова (ред.). Детонационные наноалмазы. Технология, структура, свойства и применения (Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе, СпБ, 2016)
  48. П.П. Шарин, А.В. Сивцева, В.И. Попов.ЖТФ, 91 (2), 287 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.02.50364.203-20 [P.P. Sharin, A.V. Sivtseva, V.I. Popov. Tech. Phys., 66, 275 (2021). DOI: 10.1134/S1063784221020183]
  49. A.M. Panich, M. Salti, O. Prager, E. Swissa, Y.V. Kulvelis, E.B. Yudina, A.E. Aleksenskii, S.D. Goren, A.Y. Vul', A.I. Shames. Magn. Reson. Med., 86 (2), 935 (2021). DOI: 10.1002/mrm.28762
  50. V.A. Plotnikov, S.V. Makarov, D.G. Bogdanov, A.S. Bogdanov. AIP Conf. Proc., 1785, 040045 (2016). DOI: 10.1063/1.4967102
  51. K. Hanada. Surf. Eng., 25, 487 (2009). DOI: 10.1179/174329409X433939
  52. E. Osawa, D. Ho. J. Med. Allied Sci., 2, 31 (2012)
  53. J. Barzola-Quiquia, E. Osmic, T. Luhmann, W. Bohlmann, J. Meijer, W. Knolle, B. Abel. Diam. Relat. Mater., 123, 108891 (2022)
  54. Y. Mindarava, R. Blinder, C. Laube, W. Knolle, B. Abel, C. Jentgens, J. Isoya, J. Scheuer, J. Lang, I. Schwartz, B. Naydenov, F. Jelezko. Carbon, 170, 182 (2020). DOI: 10.1016/j.carbon.2020.07.077
  55. Y. Mita. Phys. Rev. B --- Condens. Matter Mater. Phys., 53, 11360 (1996). DOI: 10.1103/PhysRevB.53.11360
  56. O.N. Lopatin, A.G. Nikolaev, V.F. Valeev, V.I. Nuzhdin, R.I. Khaibullin. Crystallogr. reports, 63 (3), 327 (2018). DOI: 10.1134/S1063774518030161
  57. V.G. Vins, A.P. Yelisseyev, D.V. Smovzh, S.A. Novopashin, Diam. Relat. Mater., 86, 79 (2018). DOI: 10.1016/j.diamond.2018.04.022
  58. A.T. Collins, Diam. Relat. Mater., 8, 1455 (1999). DOI: 10.1016/s0925-9635(99)00013-8
  59. B. Dischler. Handbook of Spectral Lines in Diamond. Vol. 1: Tables and Interpretations (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2012), DOI: 10.1007/978-3-642-22215-3
  60. M. Ruf, N.H. Wan, H. Choi, D. Englund, R. Hanson. J. Appl. Phys., 130, 070901 (2021). DOI: 10.1063/5.0056534
  61. E. Abe, K. Sasaki. J. Appl. Phys., 123, 161101 (2018). DOI: 10.1063/1.5011231
  62. А.К. Вершовский, А.К. Дмитриев. ЖТФ, 90 (8), 1353 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.08.49547.73-20 [A.K. Vershovskii, A.K. Dmitriev. Tech. Phys., 65, 1301 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220080216]
  63. A.J. Healey, A. Stacey, B.C. Johnson, D.A. Broadway, T. Teraji, D.A. Simpson, J.P. Tetienne, L.C.L. Hollenberg. Phys. Rev. Mater., 4, 104605 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.104605
  64. D.B. Radishev, M.A. Lobaev, S.A. Bogdanov, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, M.N. Drozdov. J. Lumin., 239, 118404 (2021). DOI: 10.1016/j.jlumin.2021.118404
  65. S. Pezzagna, J. Meijer. Appl. Phys. Rev., 8 (2021). DOI: 10.1063/5.0007444
  66. A.I. Zeleneev, S.V. Bolshedvorskii, L.A. Zhulikov, V.V. Sochenko, O.R. Rubinas, V.N. Sorokin, A.N. Smolyaninov, A.V. Akimov. AIP Conf. Proc., 2241, 020039 (2020). DOI: 10.1063/5.0012326
  67. C. Wang, C. Kurtsiefer, H. Weinfurter, B. Burchard. J. Phys. B At. Mol. Opt. Phys., 39, 37 (2006). DOI: 10.1088/0953-4075/39/1/005
  68. T. Luhmann, R. John, R. Wunderlich, J. Meijer, S. Pezzagna. Nat. Commun., 10, 4956 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-12556-0
  69. A. Pershin, G. Barcza, O. Legeza, A. Gali. Npj Quantum Inf., 7, 99 (2021). DOI: 10.1038/s41534-021-00439-6
  70. R. Fukuta, Y. Murakami, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune, F. Ishikawa. Jpn. J. Appl. Phys., 60 (3), 035501 (2021). DOI: 10.35848/1347-4065/abdc31
  71. A.A. Razgulov, S.G. Lyapin, A.P. Novikov, E.A. Ekimov. Diam. Relat. Mater., 116, 108379 (2021). DOI: 10.1016/j.diamond.2021.108379
  72. В.А. Кукушкин. ЖТФ, 89 (2), 258 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.02.47080.181-18. [V.A. Kukushkin. Tech. Phys., 64 (2), 226 (2019). DOI: 10.1134/S1063784219020105 ]
  73. S.J. Charles, J.W. Steeds, D.J.F. Evans, J.E. Butler. Mater. Lett., 57, 3690 (2003). DOI: 10.1016/S0167-577X(03)00152-6
  74. J. Barjon, E. Chikoidze, F. Jomard, Y. Dumont, M.A. Pinault-Thaury, R. Issaoui, O. Brinza, J. Achard, F. Silva. Phys. Status Solidi a --- Appl. Mater. Sci., 209, 1750 (2012). DOI: 10.1002/pssa.201200136
  75. S.A. Manifold, G. Klemencic, E.L.H. Thomas, S. Mandal, H. Bland, S.R. Giblin, O.A. Williams. Carbon, 179, 13 (2021). DOI: 10.1016/j.carbon.2021.02.079
  76. N. Lambert, A. Taylor, P. Hubi k, J. Bul r, J. More-Chevalier, H. Karaca, C. Fleury, J. Voves, Z. v Soban, D. Pogany, V. Mortet. Diam. Relat. Mater., 109, 108003 (2020). DOI: 10.1016/j.diamond.2020.108003
  77. А.В. Красильников, Н.Б. Родионов, А.П. Большаков, В.Г. Ральченко, С.К. Вартапетов, Ю.Е. Сизов, С.А. Мещанинов, А.Г. Трапезников, В.П. Родионова, В.Н. Амосов, А.Н. Хмельницкий, Р.А. Кириченко. ЖТФ, 92, 596 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.04.52247.226-21
  78. Ю.В. Гуляев, А.Ю. Митягин, В.С. Фещенко, Г.В. Чучева. ДАН, 450 (4), 401 (2013)
  79. H. Kawarada, Y. Araki, T. Sakai, T. Ogawa, H. Umezawa. Phys. Status Solidi (А), 185, 79 (2001). DOI: 10.1002/1521-396X(200105)185:1<79::AID-PSSA79>3.0.CO;2-8
  80. C.E. Nebel, D. Shin, B. Rezek, N. Tokuda, H. Uetsuka, H. Watanabe, J.R. Soc. Interface, 4, 439 (2007). DOI: 10.1098/rsif.2006.0196
  81. Y.V. Pleskov. Russ. J. Electrochem., 38, 1275 (2002). DOI: 10.1023/A:1021651920042
  82. F. Gao, C.E. Nebel. ACS Appl. Mater. Interfaces., 8 (28), 18640 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b07024
  83. V. Mortet, A. Taylor, M. Davydova, J. Jiranek, L. Fekete, L. Klimv sa, D. v Simek, N. Lambert, S. Sedlakova, J. Kopev cek, P. Hazdra. Diam. Relat. Mater., 122, 108887 (2022). DOI: 10.1016/j.diamond.2022.108887
  84. V. Zubkov, A. Solomnikova, A. Koliadin, J.E. Butler. Mater. Today Commun., 24, 100995 (2020). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2020.100995
  85. В.И. Зубков, Д.Э. Батлер. Электроника и микроэлектроника СВЧ, 1, 68 (2015)
  86. M.A. Lobaev, A.M. Gorbachev, A.L. Vikharev, D.B. Radishev, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, J.E. Butler. Phys. Status Solidi B, 256 (3), 1800606 (2019). DOI: 10.1002/pssb.201800606
  87. N. Mirsaleh-Kohan, W.D. Robertson, R.N. Compton. Mass Spectrom. Rev., 27, 237 (2008). DOI: 10.1002/mas.20162
  88. P. Blood, J.W. Orton. The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (Academic Press, London, 1992)
  89. D.K. Schroder. Semiconductor Material and Device Characterization: Third Edition (John Wiley \& Sons, Inc., 2005), DOI: 10.1002/0471749095
  90. V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, S.G. Buga, M.S. Kuznetsov, S.A. Terentiev, A.N. Semenov, V.D. Blank. Diam. Relat. Mater., 35, 19 (2013). DOI: 10.1016/j.diamond.2013.02.011
  91. E.P. Visser, G.J. Bauhuis, G. Janssen, W. Vollenberg, J.P. van Enckevort, L.J. Giling. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 7365 (1992). DOI: 10.1088/0953-8984/4/36/011
  92. T.H. Borst, O. Weis. Phys. Status Solidi (A), 154, 423 (1996). DOI: 10.1002/pssa.2211540130
  93. Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, В.И. Зубков. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 87, 35 (2021). DOI: 10.26896/1028-6861-2021-87-1-35-44
  94. P.N. Brunkov, A.A. Gutkin, M.E. Rudinsky, O.I. Ronghin, A.A. Sitnikova, A.A. Shakhmin, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev, A.Y. Egorov, V.E. Zemlyakov, S.G. Konnikov. Semiconductors, 45, 811 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611060078
  95. B. Sermage, Z. Essa, N. Taleb, M. Quillec, J. Aubin, J.M. Hartmann, M. Veillerot. J. Appl. Phys., 119, 155703 (2016). DOI: 10.1063/1.4946890
  96. Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков. ФТП, 53 (2), 281 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47114.8966
  97. В.Ф. Лебедев, Д.В. Булыга, А.В. Колядин. Письма в ЖТФ, 46, 7 (2020)
  98. P.R. Griffiths, J.A. De Haseth. Fourier Transform Infrared Spectrometry: 2nd Edition (Wiley-Blackwell, 2007), DOI: 10.1002/047010631X
  99. D. Howell, A.T. Collins, L.C. Loudin, P.L. Diggle, U.F.S. D'Haenens-Johansson, K.V. Smit, A.N. Katrusha, J.E. Butler, F. Nestola. Diam. Relat. Mater., 96, 207 (2019). DOI: 10.1016/j.diamond.2019.02.029
  100. J. Walker. Reports Prog. Phys., 42, 1605 (1979). DOI: 10.1088/0034-4885/42/10/001
  101. V.I. Polyakov, A.I. Rukovishnikov, N.M. Rossukanyi, V.G. Ralchenko. Diam. Relat. Mater., 10, 593 (2001). DOI: 10.1016/S0925-9635(00)00492-1
  102. Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Наука, Л., 1972)
  103. В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (Элмор, СпБ, 2007)
  104. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Наука, Л., 1981)
  105. A.R. Peaker, V.P. Markevich, J. Coutinho. J. Appl. Phys., 123, 161559 (2018). DOI: 10.1063/1.5011327
  106. G.H. Glover. Solid State Electron., 16, 973 (1973). DOI: 10.1016/0038-1101(73)90196-2
  107. D.S. Frolov, V.I. Zubkov. Semicond. Sci. Technol., 31, 125013 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/12/125013
  108. О.В. Константинов, О.А. Мезрин. ФТП, 17, 305 (1983)
  109. Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 17, 1068 (1983)
  110. T. Humer-Hager. Semicond. Sci. Technol., 3, 553 (1988). DOI: 10.1088/0268-1242/3/6/007
  111. В.И. Зубков. ФТП, 40, 1236 (2006). DOI: 10.1134/S1063782606100149
  112. A.T. Collins, E.C. Lightowlers, In: The Properties of Diamond, ed. by J.E. Field (Academic, London, 1979), p. 3
  113. G.Sh. Gildenblat, P.E. Shmidt. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters: vol. 1. Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, London, 1996)
  114. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Наука, М., 1984)
  115. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, O.N. Poklonskaya, A.I. Kovalev, A.G. Zabrodskii. J. Appl. Phys., 119 (24), 245701 (2016)
  116. V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, E.O. Bugge, M. Weyers, G. Trankle, Phys. Rev. B, 70, 075312 (2004). DOI: 10.1103/PhysRevB.70.075312
  117. C.S. Hung, J.R. Gliessman. Phys. Rev., 96 (1954) 1226. DOI: 10.1103/PhysRev.96.1226
  118. H. Fritzsche. Phys. Rev., 99, 406 (1955). DOI: 10.1103/PhysRev.99.406
  119. T.H. Borst, O. Weis. Diam. Relat. Mater., 4, 948 (1995). DOI: 10.1016/0925-9635(94)00263-0
  120. J.-P. Lagrange, A. Deneuville, E. Gheeraert. Diam. Relat. Mater., 7, 1390 (1998)
  121. Д. Блейкмор. Физика твердого тела (Мир, М., 1988)
  122. A.V. Los, M.S. Mazzola. Phys. Rev. B, 65, 165319 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.65.165319
  123. G. Vincent, D. Bois, P. Pinard. J. Appl. Phys., 46, 5173 (1975). DOI: 10.1063/1.322194
  124. D.L. Losee. J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975). DOI: 10.1063/1.321865
  125. J. Bardeen, G.L. Pearson. Phys. Rev., 75, 865 (1949)
  126. J.C. Bourgoin, J. Krynicki, B. Blanchard. Phys. Status Solidi, 52, 293 (1979). DOI: 10.1002/pssa.2210520132
  127. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Н. Деревяго. Журнал БГУ. Физика, 2 (2), 28 (2020)
  128. S. Nath, J.I.B. Wilson. Diam. Relat. Mater., 5, 65 (1996). DOI: 10.1016/0925-9635(96)80007-0
  129. Y. Koide, S. Koizumi, H. Kanda, M. Suzuki, H. Yoshida, N. Sakuma, T. Ono, T. Sakai. Diam. Relat. Mater., 14, 2011 (2005). DOI: 10.1016/j.diamond.2005.08.006
  130. V.I. Polyakov, A.I. Rukovishnikov, B.M. Garin, L.A. Avdeeva, R. Heidinger, V.V. Parshin, V.G. Ralchenko. Diam. Relat. Mater., 14, 604 (2005). DOI: 10.1016/j.diamond.2004.10.001
  131. A.J. Chiquito, O.M. Berengue, E. Diagonel, J.C. Galzerani, J.R. Moro. J. Appl. Phys., 101 (3), 033714 (2007). DOI: 10.1063/1.2436984
  132. V.I. Zubkov, O.V. Kucherova, S.A. Bogdanov, A.V. Zubkova, J.E. Butler, V.A. Ilyin, A.V. Afanas'ev, A.L. Vikharev. J. Appl. Phys., 118, 145703 (2015). DOI: 10.1063/1.4932664
  133. V.I. Zubkov, A.V. Solomnikova, J.E. Post, E. Gaillou, J.E. Butler. Diam. Relat. Mater., 72, 87 (2017). DOI: 10.1016/j.diamond.2017.01.011
  134. A.T. Collins, E.C. Lightowlers. Phys. Rev., 171, 843 (1968)
  135. F. Capasso, G. Margaritondo (eds.). Heterojunction Band Discontinuities: Physics and Device Applications (North-Holland, Amsterdam, 1987)
  136. W.-H. Chang, W.Y. Chen, M.C. Cheng, C.Y. Lai, T.M. Hsu, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 64, 125315 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.64.125315
  137. V.I. Zubkov, C.M.A. Kapteyn, A.V. Solomonov, D. Bimberg. J. Phys.: Condens. Matter., 17 (15), 2435 (2005). DOI: 10.1088/0953-8984/17/15/014
  138. В.И. Зубков, И.С. Шулгунова, А.В. Соломонов, M. Geller, A. Marent, D. Bimberg, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, В.М. Устинов. Известия РАН. Серия физическая, 71, 111 (2007)
  139. V.I. Zubkov, I.V. Ivanova, M. Weyers. Appl. Phys. Lett., 119, 043503 (2021). DOI: 10.1063/5.0056842
  140. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (Мир, М., 1984)
  141. О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, И.Н. Яковлев, А.В. Соломонов. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 76 (3), 24 (2010)
  142. В.И. Зубков, О.В. Кучерова, И.Н. Яковлев, А.В. Соломонов. Микроэлектроника, 44, 234 (2015)
  143. E. Gaillou, J.E. Post, D. Rost, J.E. Butler. Am. Mineral., 97, 1 (2012). DOI: 10.2138/am.2012.3925
  144. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Физматгиз, М., 1963)
  145. J.W. Glesener, K.A. Snail, A.A. Morrish. Appl. Phys. Lett., 62, 181 (1993)
  146. H. Pinto, R. Jones, J.P. Goss, P.R. Briddon. J. Phys.: Conf. Ser., 281 (1), 012023 (2011). DOI: 10.1088/1742-6596/281/1/012023
  147. Г.А. Буга, С.Г. Бланк, В.Д. Терентьев, С.А. Кузнецов, М.С. Носухин, С.А. Кульбачинский, В.А. Кречетов, А.В. Кытин, В.Г. Кытин. ЖЭТФ, 131, 662 (2007)
  148. В.И. Фистуль. Сильнолегированные полупроводники (Наука, М., 1967)
  149. K. Thonke. Semicond. Sci. Technol., 18, S20 (2003). DOI: 10.1088/0268-1242/18/3/303
  150. T. Inushima, T. Matsushita, S. Ohya, H. Shiomi. Diam. Relat. Mater., 9 (3), 1066 (2000). DOI: 10.1016/S0925-9635(00)00226-0
  151. K. Oyama, S.-G. Ri, H. Kato, M. Ogura, T. Makino, D. Takeuchi, N. Tokuda, H. Okushi, S. Yamasaki. Appl. Phys. Lett., 94, 152109 (2009). DOI: 10.1063/1.3120560

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme