Вышедшие номера
Моделирование распределения температуры в зоне сублимационного роста графена на SiC подложке
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, 075-15-2021-1349
Лебедев С.П. 1, Приображенский С.Ю., Плотников А.В.1, Мынбаева М.Г. 1, Лебедев А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lebedev.sergey@mail.ioffe.ru, sereyozha@yandex.ru, xdernx@gmail.com, Mgm@mail.ioffe.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 24 сентября 2022 г.
Принята к печати: 3 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 31 октября 2022 г.

Представлены результаты моделирования распределения температуры в зоне роста графеновых слоев методом термического разложения поверхности подложек карбида кремния в установке с индукционным нагревом. Расчеты параметров нагрева элементов установки выполнены с использованием коммерческого пакета COMSOL Multiphysics с учетом электрофизических, тепловых и магнитных свойств материалов, из которых изготовлены элементы ростовой установки. Приведена численная оценка неоднородности нагрева пластин карбида кремния по их площади во время роста графеновых слоев при заданной температуре. Показано, что латеральное распределение температуры по площади пластины имеет радиальную симметрию с уменьшением значений в направлении центра. Ключевые слова: графен, карбид кремния, моделирование, распределение температуры, сублимационный рост.
  1. H. Matsunami, 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices \& ICs. Proceedings (Cat. N 00CH37094), 2000, p. 3-9, DOI: 10.1109/ISPSD.2000. 856762
  2. S. Castelletto, A. Peruzzo, C. Bonato, B.C. Johnson, M. Radulaski, H. Ou, F. Kaiser, J. Wrachtrup. ACS Photonics, 9 (5), 1434 (2022). DOI: 10.1021/acsphotonics.1c01775
  3. A.A. Lebedev, V.Yu. Davydov, D.Yu. Usachov, S.P. Lebedev, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, M.S. Dunaevskiy, E.V. Gushchina, K.A. Bokai, J. Pezold. Semiconductors, 52 (14), 1882 (2018)
  4. J.C. Zhang, L. Lin, K.C. Jia, L.Z. Sun, H.L. Peng, Z.F. Liu. Adv. Mater., 32, 1903266 (2020). DOI: 10.1002/adma.201903266
  5. S.Y. Karpov, Y.N. Makarov, M.S. Ramm. Phys. Status Solidi B, 202 (1), 201 (1997). DOI: 10.1002/1521-3951(199707)202:1<201::AID-PSSB201>3.0.CO;2-T
  6. Y.E. Egorov, A.O. Galyukov, S.G. Gurevich, Y.N. Makarov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, M.S. Ramm, A.D. Roenkov, A.S. Segal, Y.A. Vodakov, A.N. Vorob'ev, A.I. Zhmakin. Mater. Sci. Forum, 264--268, 61 (1998). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.61
  7. M.S. Ramm, E.N. Mokhov, S.E. Demina, M.G. Ramm, A.D. Roenkov, Yu.A. Vodakov, A.S. Segal, A.N. Vorob'ev, S.Y. Karpov, A.V. Kulik, Yu.N. Makarov. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 107 (1999). DOI: 10.1016/S0921-5107(9800456-5)
  8. M. Selder, L. Kadinski, Yu. Makarov, F. Durst, P. Wellmann, T. Straubinger, D. Hofmann, S. Karpov, M. Ramm. J. Cryst. Growth, 211, 333 (2000). DOI: 10.1016/S00220248(99)00853-2
  9. M.T. Ha, S.M. Jeong J. Korean Ceram. Soc., 59 (2), 153 (2022). DOI:10.1007/s43207-022-00188-y
  10. M. Horii, N. Takahashi, T. Narita. IEEE Transactions on Magnetics, 36 (4), 1085 (2000), DOI: 10.1109/20.877629
  11. M. Streblau. TEM J., 3 (2), 162 (2014)
  12. S.P. Lebedev, D.G. Amel'chuk, I.A. Eliseyev, I.P. Nikitina, P.A. Dementev, A.V. Zubov, A.A. Lebedev. Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures, 28 (4), 321 (2020). DOI: 10.1080/1536383X.2019.1697684
  13. E. Lahderanta, A.A. Lebedev, M.A. Shakhov, V.N. Stamov, K.G. Lisunov, S.P. Lebedev. J. Phys.: Condens. Matter., 32 (11), 115704 (2020). DOI: 10.1088/1361-648X/ab5bb6

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.