Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 5 » Статья стр. 758
<<<>>>
Газочувствительность наноструктурированных покрытий на основе наностержней оксида цинка при комбинированной активации
DOI: 10.21883/JTF.2022.05.52382.314-21
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.05.53683.314-21
Рябко А.А. 1,2, Бобков А.А. 1, Налимова С.С. 1, Максимов А.И. 1, Левицкий В.С. 2, Мошников В.А. 1, Теруков Е.И. 1,2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.a.ryabko93@yandex.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 25 января 2022 г.
Принята к печати: 28 января 2022 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2022 г.
PDF версия
Представлено исследование газочувстительности наноструктурированного покрытия оксида цинка к парам изопропилового спирта в условиях ультрафиолетового облучения, нагрева, а также одновременного нагрева и облучения сенсорного слоя. Показано, что одновременный нагрев до 150oC и ультрафиолетовое облучение обеспечивает увеличение отклика сенсорного покрытия оксида цинка к парам изопропилового спирта. Снижение потребляемой мощности ультрафиолетового светодиода путем увеличения скважности импульсов в 10 раз приводит к незначительному уменьшению отклика сенсорного покрытия в 1.2 раза. Снижение рабочей температуры газовых сенсоров улучшает встраиваемость адсорбционных сенсоров в портативные устройства для контроля качества окружающей атмосферы. Ключевые слова: оксид цинка, наностержни, газовый сенсор, изопропиловый спирт, УФ облучение, комбинированная активация.
  1. Е.А. Форш, Е.А. Гусева. ФТП, 54 (2), 165 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48912.9159 [E.A. Forsh, E.A. Guseva. Semiconductors, 54 (2), 217 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620020098]
  2. S. Mahajan, S. Jagtap. Appl. Mater. Today, 18, 100483 (2020). DOI: 10.1016/j.apmt.2019.100483
  3. V.M. Kondratev, A.D. Bolshakov, S.S. Nalimova. Proceed. 2021 IEEE Conf. Russ. Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 1163 (2021). DOI: 10.1109/ElConRus51938.2021.9396573
  4. D. Burman, R. Ghosh, S. Santra, S.K. Ray, P. Kumar Guha. Nanotechnology, 28, 435502 (2017). DOI: 10.1088/1361-6528/aa87cd
  5. N.H. Hanh, L.V. Duy, C.M. Hung, N.V. Duy, Y.-W. Heo, N.V. Hieu, N.D. Hoa. Sensors and Actuators A, 302, 111834 (2020). DOI: 10.1016/j.sna.2020.111834
  6. G. Katwal, M. Paulose, I.A. Rusakova, J.E. Martinez, O.K. Varghese. Nano Lett., 16, 3014 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05280
  7. S.J. Kim, S.J. Choi, J.S. Jang, N.H. Kim, M. Hakim, H.L. Tuller, I.D. Kim. ACS Nano, 10, 5891 (2016). DOI: 10.1021/acsnano.6b01196
  8. С.С. Карпова, В.А. Мошников, С.В. Мякин, Е.С. Коловангина. ФТП, 47 (3), 369 (2013). [S.S. Karpova, V.A. Moshnikov, S.V. Mjakin, E.S. Kolovangina. Semiconductors, 47 (3), 392 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613030123]
  9. С.С. Налимова, В.А. Мошников, А.И. Максимов, С.В. Мякин, Н.Е. Казанцева. ФТП, 47 (8), 1022 (2013). [S.S. Karpova, V.A. Moshnikov, A.I. Maksimov, S.V. Mjakin, N.E. Kazantseva. Semiconductors, 47 (8), 1026 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613080095]
  10. В.А. Мошников, С.С. Налимова, Б.И. Селезнев. ФТП, 48 (11), 1535 (2014). [V.A. Moshnikov, S.S. Nalimova, B.I. Seleznev. Semiconductors, 48 (11), 1499 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614110177]
  11. D. Degler, U. Weimar, N. Barsan. ACS Sens., 4 (9), 2228 (2019). DOI: 10.1021/acssensors.9b00975
  12. A. Mirzaei, J.-H. Lee, S.M. Majhi, M. Weber, M. Bechelany, H.W. Kim, S.S. Kim. J. Appl. Phys., 126, 241102 (2019). DOI: 10.1063/1.5118805
  13. Х.А. Абдуллин, С.К. Жумагулов, Г.А. Исмаилова, Ж.К. Калкозова, В.В. Кудряшов, А.С. Серикканов. ЖТФ, 90 (7), 1184 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.07.49454.317-19 [Kh.A. Abdullin, S.K. Zhumagulov, G.A. Ismailova, Zh.K. Kalkozova, V.V. Kudryashov, A.S. Serikkanov. Tech. Phys., 65 (7), 1139 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220070026]
  14. C.P. Goyal, D. Goyal, N.S. Ramgir, M. Navaneethan, Y. Hayakawa, C. Muthamizhchelvan, H. Ikeda, S. Ponnusamy. Phys. Solid State, 63, 460 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421030070
  15. R.L. Fomekong, H.M. Tedjieukeng Kamta, J. Ngolui Lambi, D. Lahem, P. Eloy, M. Debliquy, A. Delcorte. J. Alloys Compounds, 731, 1188 (2018). DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.10.089
  16. X. Wang, T. Wang, G. Si, Y. Li, S. Zhang, X. Deng, X. Xu. Sens. Act. B, 302, 127165 (2020). DOI: 10.1016/j.snb.2019.127165
  17. M.A. Haija, A.F.S. Abu-Hani, N. Hamdan, S. Stephen, A.I. Ayesh. J. Alloys Compounds, 690, 461 (2017). DOI: 10.1016/j.jallcom.2016.08.174
  18. И.А. Пронин, Н.Д. Якушова, И.А. Аверин, А.А. Карманов, А.С. Комолов, М.М. Сычев, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. Неорганические материалы, 57 (11), 1207 (2021). DOI: 10.31857/S0002337X21110105 [I.A. Pronin, N.D. Yakushova, I.A. Averin, A.A. Karmanov, A.S. Komolov, M.M. Sychev, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Inorg. Mater., 57 (11), 1140 (2021). DOI: 10.1134/S0020168521110108]
  19. И.А. Пронин, Н.Д. Якушова, М.М. Сычев, А.С. Комолов, С.В. Мякин, А.А. Карманов, И.А. Аверин, В.А. Мошников. ФХС, 45 (3), 274 (2019). DOI: 10.1134/S0132665119010153 [I.A. Pronin, N.D. Yakushova, M.M. Sychev, A.S. Komolov, S.V. Myakin, A.A. Karmanov, I.A. Averin, V.A. Moshnikov. Glass Phys. Chem., 44 (5), 464 (2018). DOI: 10.1134/S1087659618050140]
  20. A. Bobkov, V. Moshnikov, A. Varezhnikov, I. Plugin, F.S. Fedorov, V. Goffman, V. Sysoev, V. Trouillet, U. Geckle, M. Sommer. Sensors, 19 (19), 4265 (2019). DOI: 10.3390/s19194265
  21. Т.В. Пешкова, Д.Ц. Димитров, С.С. Налимова, И.Е. Кононова, Н.К. Николаев, K.И. Папазова, A.С. Бoжиновa, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ЖТФ, 84 (5), 143 (2014). [T.V. Peshkova, D.Ts. Dimitrov, S.S. Nalimova, I.E. Kononova, N.K. Nikolaev, K.I. Papazova, A.S. Bozhinova, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Tech. Phys., 59 (5), 771 (2014). DOI: 10.1134/S1063784214050259]
  22. G. Korotcenkov. Nanomaterials, 11, 1555 (2021). DOI: 10.3390/nano11061555
  23. K.-R. Park, H.-B. Cho, J. Lee, Y. Song, W.-B. Kim, Y.-H. Cho. Sensors and Actuators B: Chemical, 302, 127179 (2020). DOI: 10.1016/j.snb.2019.127179
  24. S.S. Shendage, V.L. Patil, S.A. Vanalakar, S.P. Patil, N.S. Harale, J.L. Bhosale, J.H. Kim, P.S. Patil. Sensors and Actuators B, 240, 426 (2017). DOI: 10.1016/j.snb.2016.08.177
  25. S. Agarwal, S. Kumar, H. Agrawal, M.G. Moinuddin, M. Kumar, S.K. Sharma, K. Awasthi. Sensors and Actuators: B. Chemical, 346, 130510 (2021). DOI: 10.1016/j.snb.2021.130510
  26. G.J. Choi, R.K. Mishra, J.S. Gwag. Mater. Lett., 264, 127385 (2020). DOI: 10.1016/j.matlet.2020.127385
  27. M.A. Anikina, A.A. Ryabko, S.S. Nalimova, A.I. Maximov. J. Phys.: Conf, Series, 012010 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/1851/1/012010
  28. А.С. Божинова, Н.В. Канева, И.Е. Кононова, С.С. Налимова, Ш.А. Сюлейман, К.И. Папазова, Д.Ц. Димитров, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП, 47 (12), 1662 (2013). [A.S. Bozhinova, N.V. Kaneva, I.E. Kononova, S.S. Nalimova, Sh.A. Syuleiman, K.I. Papazova, D.Ts. Dimitrov, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Semiconductors, 47 (12), 1636 (2013). DOI: 10.1134/S106378261312004X]
  29. С.С. Налимова, С.В. Мякин, В.А. Мошников. ФХС, 42 (6), 773 (2016). [S.S. Nalimova, V.A. Moshnikov, S.V. Myakin. Glass Phys. Chem., 42 (6), 597 (2016). DOI: 10.1134/S1087659616060171]
  30. S.S. Nalimova, I.E. Kononova, V.A. Moshnikov, D.Ts. Dimitrov, N.V. Kaneva, L.K. Krasteva, S.A. Syuleyman, А.S. Bojinova, K.I. Papazova, A.Ts. Georgieva. Bulgar. Chem. Commun., 49, 121 (2017)
  31. G. Li, Z. Sun, D. Zhang, Q. Xu, L. Meng, Y. Qin. ACS Sens, 4, 1577 (2019). DOI: 10.1021/acssensors.9b00259
  32. A.A. Ryabko, S.S. Nalimova, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov. Proceed. IEEE Conf. Russ. Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 1180 (2021). DOI: 10.1109/ElConRus51938.2021.9396166
  33. A.S. Chizhov, M.N. Rumyantseva, K.A. Drozdov, I.V. Krylov, M. Batuk, J. Hadermann, D.G. Filatova, N.O. Khmelevsky, V.F. Kozlovsky, L.N. Maltseva, A.M. Gaskov. Sensors and Actuators: B. Chemical, 329, 129035 (2021). DOI: 10.1016/j.snb.2020.129035
  34. J. Wang, S. Fan, Y. Xia, C. Yang, S. Komarneni. J. Hazardous Mater., 381, 120919 (2020). DOI: 10.1016/j.jhazmat.2019.120919
  35. S.S. Nalimova, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov, A.A. Bobkov, D.S. Mazing, A.A. Ryabko, E.A. Levkevich, A.A. Semenova. IEEE Intern. Conf. Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech): Proceed., 223 (2019). DOI: 10.1109/EExPolytech.2019.8906789
  36. J. Yang, W. Han, J. Ma, C. Wang, K. Shimanoe, S. Zhang, Y. Sun, P. Cheng, Y. Wang, H. Zhang, G. Lu. Sensors and Actuators: B. Chemical, 340, 129971 (2021). DOI: 10.1016/j.snb.2021.129971
  37. S.S. Nalimova, A.A. Ryabko, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov. J. Phys.: Conf. Series, 012128 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012128
  38. А.А. Рябко, А.И. Максимов, В.Н. Вербицкий, В.С. Левицкий, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП, 54 (11), 1251 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50098.9480 [A.A. Ryabko, A.I. Maximov, V.N. Verbitskii, V.S. Levitskii, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Semiconductors, 54 (11), 1496 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620110238]
  39. R. Cusco, E. Alarcon-Llado, J. Ibanez, L. Artus, J. Jimenez, B. Wang, M.J. Callahan.  Phys. Rev. B, 75 (16), 165202 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.165202

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme