Импульсная проводимость в Ag-Pd-резисторах, индуцированная импульсами лазера
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов 2018 года фундаментальных научных исследований, проводимый ФГБУ РФФИ совместно с субъектами Российской Федерации, 18-48-180005 р_а
Александров В.А.1, Бесогонов В.В.2, Калюжный Д.Г.1,2
1Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Ижевский государственный технический университет им. М.Т. Калашникова, Ижевск, Россия
Email: ava@udman.ru, vbesog@mail.ru, dikdik@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 1 февраля 2022 г.
Принята к печати: 2 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2022 г.
Экспериментально изучена импульсная ЭДС в резистивных толстопленочных Ag-Pd-элементах при облучении их поверхности пучком лазерного излучения. Получены зависимости импульсной ЭДС от координаты воздействия луча лазера на поверхность пленки. Показано, что подача постоянного смещающего напряжения на толстопленочный резистивный элемент позволяет существенно увеличить амплитуду однополярных импульсов ЭДС, индуцированных импульсами лазера. Установлено, что амплитуда и частота сигналов ЭДС зависят соответственно от мощности и частоты импульсов лазерного излучения. Показано, что по значению импульсной ЭДС можно контролировать параметры падающего на поверхность мощного лазерного излучения в реальном масштабе времени. Разработана конструкция приемника для регистрации параметров лазерного излучения на основе Ag-Pd-чувствительного элемента. Проведена оценка чувствительности устройства для измерения мощности и частоты следования импульсов. Ключевые слова: измерение параметров лазеров, толстопленочный резистор, термо-ЭДС.
- В.Г. Недорезов. Технология керметных резистивных структур и компоненты на их основе (Пенза, ПГУ, 2005)
- В.Г. Недорезов, С.В. Подшибякин, Н.К. Юрков. Известия вуз, Поволжский регион. Технические науки, 4 (16), 33 (2010)
- Y.C. Shin, J. Song, K.M. Kim, B.J. Choi, S. Choi, H.J. Lee, G.H. Kim, T. Eom, C.S. Hwang. Appl. Phys. Lett., 92 (16), 162904 (2008). DOI:10.1063/1.2912531
- J. Xu, Y. Shun, Q. Pan, J. Qin. Sensors and Actuators B: Chemical, 66 (1), 161 (2000)
- S.F. Bamsaoud, S.B. Rane, R.N. Karekar, R.C. Aiyer. Sensors and Actuators B: Chemica, 153 (2), 382 (2011). DOI: 10.1016/j.snb.2010.11.003
- S.F. Bamsaoud, S.B. Rane, R.N. Karekar, R.C. Aiyer. Mater. Chem. Phys., 133 (2-3), 681 (2012). DOI: 10.1016/j.matchemphys.2012.01.052
- V.A. Alexandrov, V.V. Besogonov. IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering, 560, (2019). DOI: 10.1088/1757-899X/560/1/012099
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (Наука, M., 1978)
- Д.Г. Калюжный, В.А. Александров, В.В. Бесогонов. Прикладная физика, 3, 81 (2016)
- I.V. Bodnar', V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. J. Appl. Spectroscopy, 73 (4), 567 (2006)
- В.А. Александров, Д.Г. Калюжный, В.В. Бесогонов. Патент РФ на изобретение N 2636256, 33 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.