Вышедшие номера
Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Орлова Т.А.1, Родин С.Н.1, Соломникова А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет СПбГЭТУ "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2022 г.
В окончательной редакции: 21 февраля 2022 г.
Принята к печати: 21 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2022 г.

Изучена морфология поверхности слоев полуполярного нитрида галлия, синтезированных на наноструктурированных подложках Si(100) либо Si(113) соответственно с V-образным либо U-образным профилем поверхности. Морфология поверхности полуполярных слоев свидетельствует, что разное отношение высоты к ширине (аспектное соотношение) блоков GaN(11-22) и GaN(10-11) связано с более высокой скоростью роста грани GaN(11-22), чем GaN(10-11) и разными скоростями роста полуполярной и полярной граней кристалла при зарождении слоя на наноструктурированной подложке. Ключевые слова: морфология поверхности, полуполярный нитрид галлия, наноструктурированная подложка кремния.