Вышедшие номера
Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A3B5-гетероструктур
Малевская А.В. 1, Ильинская Н.Д. 1, Задиранов Ю.М. 1, Блохин А.А.1, Малевский Д.А. 1, Покровский П.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, Natalia.Ilynskaya@mail.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, bloalex@yandex.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, P.Pokrovskiy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 25 августа 2021 г.
Принята к печати: 31 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 31 октября 2021 г.

Проведены исследования и разработки постростовых технологий изготовления каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge. Рассмотрены этапы формирования антиотражающего покрытия, омических контактов и разделительной меза-структуры. Исследована технология травления контактного слоя n+-GaAs с использованием методов плазмохимического, жидкостного химического и ионно-лучевого травления. Коэффициент отражения излучения от поверхности гетероструктуры с антиотражающим покрытием TiOx/SiO2 (при x, близком к 2) составил менее 3% в диапазоне длин волн 450-850 nm. Величина контактного переходного сопротивления омических контактов n- и p-типов проводимости составила 3·10-5-3·10-6 Ωcm2, достигнуто снижение степени затенения фоточувствительной области при увеличенной проводимости контактных шин. Снижены токи утечки по поверхности мезаструктуры до величин 10-9 A при напряжении менее 1 V. Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, омические контакты, антиотражающее покрытие, мезаструктура.
  1. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev. Concentrator Photovoltaics, ed. by A. Luque, V. Andreev. Springer Ser. in Optical Sciences (Springer, Berlin-Heidelberg, 2007), v. 130, p. 25. DOI: 10.1007/978-3-540-68798-6\_2
  2. M.A. Green, E.D. Dunlop, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, N. Kopidakis, X. Hao. Prog. Photovolt. Res. Appl., 29 (1), 3 (2020). DOI: 10.1002/pip.3371
  3. H. Apostoleris, M. Stefancich, M. Chiesa. Concentrating photovoltaics (CPV): the path ahead. 1st ed. (Springer, 2018)
  4. У. Моро. Микролитография (Мир, М., 1990)
  5. H.J. Levinson. Principles of lithography. 3rd ed. (Washington, SPIE, 2010), p. 504
  6. А.В. Малевская, Ю.М. Задиранов, А.А. Блохин, В.М. Андреев. Письма в ЖТФ, 45 (20), 15 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48386.17916
  7. Н.А. Калюжный, А.С. Гудовских, В.В. Евстропов, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 44 (11), 1568 (2010)
  8. О.К. Мокеев, А.С. Романцев. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и микросхем (Высшая школа, М., 1979)
  9. Microlithography. Science and Technology, ed. by B.W. Smith, K. Suzuki. 2nd ed. (Taylor \& Francis Group, 2007)
  10. M.E. Levinshtein. Semiconductor Тechnology (Wiley-Interscience publication, USA, 1997)
  11. A.V. Malevskaya, D.A. Malevski, N.D. Il'inskaya. J. Phys. Conf. Ser., 690 (1), 012039 (2016)
  12. А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, В.М. Андреев. Письма в ЖТФ, 45 (24), 14 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.24.48795.17953
  13. Д.И. Соловецкий. Механизмы плазмохимического травления материалов. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Книга III (Наука, М., 2000)
  14. M. de Lafontaine, E. Pargon, C. Petit-Etienne, G. Gay, A. Jaouad, M.-J. Gour, M. Volatier, S. Fafard, V. Aimez, M. Darnon. Sol. Energ. Mat. Sol. C., 195, 49 (2019). DOI: 10.1016/j.solmat.2019.01.048

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.