Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2021, выпуск 12 » Статья стр. 1975
<<<>>>
Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si1-xGex при электроимпульсном плазменном спекании
DOI: 10.21883/JTF.2021.12.51763.152-21
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.15.55267.152-21
Russian Foundation for Basic Research, Stability, 20-38-70063
Russian Foundation for Basic Research, Aspirants, 20-32-90032
Дорохин М.В.1, Болдин М.С.1, Ускова Е.А.1, Боряков А.В.2, Демина П.Б. 1, Ерофеева И.В. 1, Здоровейщев А.В.1, Котомина В.Е.1, Кузнецов Ю.М.1, Ланцев Е.А.1, Попов А.А.1, Трушин В.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, boldin@nifti.unn.ru, irfeya@mail.ru, boryakov@phys.unn.ru, demina@phys.unn.ru, zdorovei@gmail.com, kotominav@list.ru, yurakz94@list.ru, elancev@nifti.unn.ru, popov@nifti.unn.ru, trushin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 5 августа 2021 г.
Принята к печати: 6 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2021 г.
PDF версия
Проведено исследование кинетики диффузионных процессов, происходящих при формировании наноструктур поликристаллического Si1-xGex (x=0.20, 0.35) методом электроимпульсного плазменного спекания в интервале температур 20-1200oC. На основе комплексного исследования микроструктуры и фазового состава образцов с размерами частиц от 150 nm до 100 μm совместно с анализом экспериментальных карт спекания изучен механизм формирования твердого раствора Si-Ge. Показано, что при выбранных режимах спекания размер зерен сформированного SiGe соответствует размеру частиц исходного порошка. Ключевые слова: искровое плазменное спекание, SiGe, термоэлектрические характеристики, термоэлектрическая эффективность ZT.
  1. Bo Yu, M. Zebarjadi, H. Wang, K. Lukas, H. Wang, D. Wang, C. Opeil, M. Dresselhaus, G. Chen, Z. Ren. Nano Lett., 12, 2077 (2012)
  2. Л.П. Булат, Л.В. Бочков, И.А. Нефедовa, Р. Ахыска. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, 4 (92), 48 (2014)
  3. N. Mingo, D. Hauser, N.P. Kobayashi M. Plissonnier, A. Shakouri. Nano Lett., 9, 11 (2009)
  4. Д.А. Овсянников, М.Ю. Попов, С.Г. Буга, А.Н. Кириченко, С.А. Тарелкин, В.В. Аксененков, Е.В. Татьянин, В.Д. Бланк. ФТТ, 57 (3), 590 (2015)
  5. И.В. Ерофеева, М.В. Дорохин, А.В. Здоровейщев, Ю.М. Кузнецов, А.А. Попов, Е.А. Ланцев, А.В. Боряков, В.Е. Котомина. ФТП, 52 (12), 1455 (2018)
  6. М.В. Дорохин, П.Б. Демина, И.В. Ерофеева, А.В. Здоровейщев, Ю.М. Кузнецов, М.С. Болдин, А.А. Попов, Е.А. Ланцев, А.В. Боряков. ФТП, 53 (9), 1182 (2019)
  7. М.В. Дорохин, П.Б. Демина, И.В. Ерофеева. А.В. Здоровейщев, Ю.М. Кузнецов, Е.А. Ускова, М.С. Болдин, Е.А. Ланцев, А.А. Попов, В.Н. Трушин. Мат. XXIV Межд. симп. " Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2020), т. 2, с. 551
  8. В.А. Кульбачинский. Российские нанотехнологии, 14 (7-8), 30 (2019). DOI: 10.21517/1992-7223-2019-7-8-30-42
  9. М.Г. Кекуа, Э.В. Хуцишвили. Твердые растворы полупроводниковой системы германий-кремний (Мецниереба, Тбилиси, 1985)
  10. J. Han, T. Jiang, J. Li, Y. Xiang. Method for preparing SiGe thermoelectric. CN 108258110 A (Китай, 2018)
  11. M. Tokita. In Handbook: Advanced Ceramics (Academic Press, 2013), Chapter 11.2.3, р. 1149
  12. H. Stohr, W. Klemm. Anorgang. Algem. Chem., 241 (4), 305 (1939)
  13. P.K. Gogna, J.P. Fleurial, S.K. Bux, R.B. Kaner, R.G. Blair, H. Lee, G. Chen, M.S. Dresselhaus. J. Adv. Functional Mater., 19, 2445 (2009)
  14. М.С. Болдин. Дис. Кинетика электроимпульсного плазменного спекания керамик на основе оксида алюминия канд. физ.-мат. наук. (Нижний Новгород, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2019)
  15. В.Н. Чувильдеев, М.С. Болдин, Я.Г. Дятлова, В.И. Румянцев, С.С. Орданьян. Журн. неорган. химии, 60(8), 1088 (2015)
  16. F. Schaffler, in Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., NY., 2001), р. 149
  17. C. Gayner, K.K. Kar. Prog. Mat. Scienc, 83, 330 (2016)
  18. Р.Г. Родес.  Несовершенства и активные центры в полупроводниках, пер. с англ. п/ред. С.С. Горелика. (Металлургия, М., 1968)
  19. Б.А. Калин. Физическое материаловедение, под общей ред. Б.А. Калина. Том 4. Е.Г. Григорьев, Ю.А. Перлович, Г.И. Соловьев Физические основы прочности. Радиационная физика твердого тела. Компьютерное моделирование (МИФИ, Москва, 2008)
  20. Я.Е. Гегузин. Физика спекания (Наука, М., 1984)
  21. Yu. Kuznetsov, M. Bastrakova, M. Dorokhin, I. Erofeeva, P. Demina, E. Uskova, A. Popov, A. Boryakov. AIP Advances, 10, 065219 (2020) DOI:10.1063/5.0011740
  22. H.H. Silvestri, H. Bracht, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen, E.E. Haller. Semicond. Sci. Tech., 21, 758 (2006). http:/doi.org/10.1088/0268-1242/21/6/008
  23. В.А. Ивенсен. Феноменология спекания и некоторые вопросы теории (Металлургия, М., 1985)
  24. W.J. Huppmann. In: Kuczynski G.C. (eds) Sintering and Catalysis. Materials Science Research (Springer, Boston, 1975), v. 10, p. 312

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme