Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2021, выпуск 11 » Статья стр. 1727
<<<>>>
GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51535.142-21
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.14.55226.142-21
РФФИ и Правительство Новосибирской области, 20-42-540009
Гуляев Д.В. 1, Дмитриев Д.В. 1, Фатеев Н.В. 1, Протасов Д.Ю. 1, Кожухов А.С. 1, Журавлев К.С. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: gulyaev@isp.nsc.ru, ddmitriev@isp.nsc.ru, fateev@isp.nsc.ru, protasov@isp.nsc.ru, kozhukhov@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 28 июня 2021 г.
Принята к печати: 1 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 2 августа 2021 г.
PDF версия
Определен внутренний квантовый выход люминесценции GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктур для инфракрасных светодиодов. Исследовано влияние ростовых условий гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и пост-ростового отжига на квантовый выход гетероструктур. Показано, что совокупной оптимизацией данных процессов удается повысить квантовый выход люминесценции исследуемых гетероструктур до 75-80% при умеренной мощности накачки. Ключевые слова: гетероструктуры, кельвиновская зондовая микроскопия, молекулярно-лучевая эпитаксия.
  1. W.A. Cahyadi, Y. Ho Chung. Opt. Express, 26 (15), 19657 (2018). DOI: 10.1364/OE.26.019657
  2. T. Tamura, Y. Maeda, M. Sekine, M. Yoshida. Electronics, 3, 282 (2014). DOI: 10.3390/electronics3020282
  3. A.C. Caputo. Digital Video Surveillance and Security (Elsevier Inc., 2014)
  4. E.F. Schubert. Light-emitting diodes (second edition) (Cambridge University Press, 2006)
  5. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, В.М. Андреев. ФТП, 55 (7), 614 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51028.9646
  6. S.-Y. Lee, E. Lee, J.-H. Moon, B. Choi, J.-T. Oh, H.-H. Jeong, T.-Y. Seong, H. Amano. Photon. Technol. Lett. IEEE, 32 (17), 1041 (2020). DOI: 10.1109/LPT.2020.3010820
  7. H.-P.D. Yang, J.-N. Liu, F.-I. Lai, H.-Ch. Kuo, J.Y. Chi. J. Modern Opt., 55 (9), 1509 (2008). DOI: 10.1080/09500340701691608
  8. M. Li, H. Zhen, Y. Jing, H. Wang, N. Li. Opt. Quant Electron., 48 (2), 140 (2016). DOI: 10.1007/s11082-016-0415-3
  9. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2174 (1993). DOI: 10.1063/1.110575
  10. R. Windisch, C. Rooman, B. Dutta, A. Knobloch, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE J. Selected Topics in Quant. Electronics, 8 (2), 248 (2002). DOI: 10.1109/2944.999177
  11. T. Kato, H. Susawa, M. Hirotani, T. Saka, Y. Ohashi, E. Shichi, S. Shibata. J. Crystal Growth, 1 07 (1-4), 832 (1991). DOI: 10.1016/0022-0248(91)90565-M
  12. S.-Ch. Ahn, B.-T. Lee, W.-Ch. An, D.-K. Kim, I.-K. Jang, J.-S. So, H.-J. Lee. J. Korean Phys. Society, 69 (1), 91 (2016). DOI: 10.3938/jkps.69.91
  13. D. Ban, H. Luo, H.C. Liu, Z.R. Wasilewski, A.J. SpringThorpe, R. Glew, M. Buchanan. J. Appl. Phys., 96 (9), 5243 (2004). DOI: 10.1063/1.1785867
  14. R. Windisch, B. Dutta, M. Kuijk, A. Knobloch, S. Meinlschmidt, S. Schoberth, P. Kiesel, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE Trans. Electron. Dev., 47 (7), 1492 (2000). DOI: 10.1109/16.848298
  15. L. Han, M. Zhao, X. Tang, W. Huo, Z. Deng, Y. Jiang, W. Wang, H. Chen, Ch. Du, H. Jia. J. Appl. Phys., 127 (8), 085706 (2020). DOI: 10.1063/1.5136300
  16. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 62 (2), 131 (1993). DOI: 10.1063/1.109348
  17. P. Bai, Y. Zhang, T. Wang, Z. Shi, X. Bai, Ch. Zhou, Y. Xie, L. Du, M. Pu, Z. Fu, J. Cao, X. Guo, W. Shen. Semicond. Sci. Technol., 35 (3), 035021 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab6dbf
  18. M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, K.Yu. Telegin, A.V. Lobintsov, S.M. Sapozhnikov, A.I. Danilov, A.V. Podkopaev, V.A. Simakov. Quant. Electron., 47 (8), 693 (2017). DOI: 10.1070/QEL16441
  19. A.L. Weisenhorn, P. Maivald, H.-J. Butt, P.K. Hansma. Phys. Rev. B, 45 (19), 11226 (1992). DOI: 10.1103/physrevb.45.11226
  20. R.F. Kubin, A.N. Fletcher. J. Luminescence, 27 (4), 455 (1982). DOI: 10.1016/0022-2313(82)90045-X
  21. P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, D.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev. J. Luminescence, 203 (4), 127 (2018). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.06.034
  22. Y.-S. Yoo, T.-M. Roh, J.-H. Na, S.J. Son, Y.-H. Cho. Appl. Phys. Lett., 102 (21), 211107 (2013). DOI: 10.1063/1.4807485
  23. T. Murotani, T. Shimanoe, S. Mitsui. J. Crystal Growth, 45, 308 (1978); DOI: 10.1016/0022-0248(78)90453-0
  24. E.C. Larkins, J.S. Harris. Molecular Beam Epitaxy of High-Quality GaAs and AlGaAs, ed. by Robin F.C. Farrow (William Andrew Inc., 1995)
  25. F. Stietz, Th. Allinger, V. Polyakov, J. Woll, A. Goldmann, W. Erfurth, G.J. Lapeyre, J.A. Schaefer. Appl. Surf. Sci., 104/105, 169 (1996). DOI: 10.1016/S0169-4332(96)00140-7
  26. M. Jalonen, M. Toivonen, P. Savolainen, J. Kongas, M. Pessa. Appl. Phys. Lett., 71 (4), 479 (1997). DOI: 10.1063/1.119584
  27. J. Dekker, A. Tukiainen, N. Xiang, S. Orsila, M. Saarinen, M. Toivonen, M. Pessa, N. Tkachenko, H. Lemmetyinen. J. Appl. Phys., 86 (7), 3709 (1999). DOI: 10.1063/1.371283
  28. H.H. Yee, Ch.-P. Yu. Appl. Opt., 42 (15), 2695 (2003). DOI: 10.1364/AO.42.002695
  29. T. Bouragba, M. Mihailovic, F. Reveret, P. Disseix, J. Leymarie, A. Vasson, B. Damilano, M. Hugues, J. Massies, J.Y. Duboz. J. Appl. Phys., 101 (7), 073510 (2007). DOI: 10.1063/1.2719289
  30. H. Peyre, J. Camassel, W.P. Gillin, K.P. Homewood, R. Grey. Mater. Sci. Eng. B, 28 (1-3), 332 (1994). DOI: 10.1016/0921-5107(94)90077-9

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme