Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2021, выпуск 10 » Статья стр. 1509
<<<>>>
Формирование наноструктурированных пленок MoS2, WS2, MoO2 и гетероструктур на их основе
DOI: 10.21883/JTF.2021.10.51364.102-21
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.13.52225.102-21
Фонд развития теоретической физики и математики ” БАЗИС“, 2.1 - Стипендии (категория «Студент»), 20-2-1-58-1
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований международными научными коллективами, 20-42-08004
Логинов А.Б. 1, Исмагилов Р.Р. 1, Бокова-Сирош С.Н. 2, Божьев И.В. 1,3, Образцова Е.Д.2, Логинов Б.А. 4, Образцов А.Н.1,5
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
3Центр квантовых технологий Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
5University of Eastern Finland, Department of Physics and Mathematics, Joensuu, Finland
Email: loginov.ab15@physics.msu.ru, ismagil@polly.phys.msu.ru, bokova.sirosh@gmail.com, bozhjev.ivan@physics.msu.ru, b-loginov@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 6 апреля 2021 г.
Принята к печати: 6 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 июня 2021 г.
PDF версия
Синтезированы тонкопленочные покрытия из двумерных материалов WS2, MoS2, MoO2 и композитов на их основе, исследованы морфологические и структурные свойства осаждаемых покрытий. Получение пленок производилось методом осаждения из газовой фазы с использованием порошкообразных прекурсоров MoO3, WO3 и S. Определены зависимости структурно-морфологических свойств, химического состава получаемых пленок от параметров процесса осаждения. Среди прочих получены пленки, состоящие из вертикально ориентированных пластин как из чистого MoO2, так и из MoO2, покрытого тонким слоем MoS2, поликристаллические пленки, состоящие из кристаллитов WS2 правильной треугольной формы, а также однородные сплошные пленки WS2 толщиной порядка 20 nm с площадью покрытия порядка 2x2 mm. Были получены также пленки, состоящие из наложенных друг на друга кристаллитов WS2 правильной треугольной формы и кристаллитов MoS2 без правильной огранки. Ключевые слова: двумерные материалы, дихалькогениды переходных металлов, гетероструктуры, АСМ.
  1. F. Giannazzo, G. Greco, F. Roccaforte, S.S. Sonde. Crystals, 8 (2), 2 (2018). DOI: 10.3390/cryst8020070
  2. P. Bharadwaj, L. Novotny. Opt. Photonics News, 26 (7), 24 (2015). DOI: 10.1364/OPN.26.7.000024
  3. M. Mittendorff, S. Winnerl, T.E. Murphy. Adv. Opt. Mater., 9 (3), 2001500 (2021). DOI: 10.1002/adom.202001500
  4. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306 (5696), 666 (2004). DOI: 10.1126/science.1102896
  5. S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier, O.V. Yazyev, A. Kis. Nat. Rev. Mater., 2 (8), 17033 (2017). DOI: 10.1038/natrevmats.2017.33
  6. K.F. Mak, J. Shan. Nat. Photonics, 10 (4), 4 (2016). DOI: 10.1038/nphoton.2015.282
  7. E.C. Ahn. Npj 2D Mater. Appl., 4 (1), 1 (2020). DOI: 10.1038/s41699-020-0152-0
  8. K.S. Novoselov, A. Mishchenko, A. Carvalho, A.H. Castro. Neto. Science, 353 (6298), aac9439 (2016). DOI: 10.1126/science.aac9439
  9. S. Xie, Y. Han, L. Huang, K. Kang, K.U. Lao, P. Poddar, C. Park, D.A. Muller, R.A. DiStasio Jr., J. Park. Science, 359 (6380), 1131 (2018). DOI: 10.1126/science.aao5360
  10. R. K. Chowdhury, R. Maiti, A. Ghorai, A. Midya, S.K. Ray. Nanoscale, 8 (27), 13429 (2016). DOI: 10.1039/C6NR01642A
  11. W. Chen, E.J.G. Santos, W. Zhu, E. Kaxiras, Z. Zhang. Nano Lett., 13 (2), 509 (2013). DOI: 10.1021/nl303909f
  12. E. Pu1, D. Liu, P. Ren, W. Zhou, D. Tang, B. Xiang, Y. Wang, J. Miao. AIP Adv., 7 (2), 025015 (2017). DOI: 10.1063/1.4977543
  13. Z. Wu, M. Ouyang, D. Wang, X. Liu. J. Alloys Compd., 832, 154970 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.154970
  14. M. Okada, A. Kutana, Y. Kureishi, Y. Kobayashi, Y. Saito, T. Saito, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Gupta, Y. Miyata, B.I. Yakobson, H. Shinohara, R. Kitaura. ACS Nano, 12 (3), 2498 (2018). DOI: 10.1021/acsnano.7b08253
  15. P.K. Sahoo, S. Memaran, Y. Xin, L. Balicas, H. R. Gutierrez. Nature, 553 (7686), 63 (2018). DOI: 10.1038/nature25155
  16. S. Behura, K.-C. Chang, Y. Wen, R. Debbarma, P. Nguyen, S. Che, S. Deng, M.R. Seacrist, V. Berry. IEEE Nanotechnol. Mag., 11 (2), 33 (2017). DOI: 10.1109/MNANO.2017.2676184
  17. С.А. Смагулова, П.В. Винокуров, А.А. Семенова, Е.И. Попова, Ф.Д. Васильева, Е.Д. Образцова, П.В. Федотов, И.В. Антонова. ФТП, 54 (4), 376 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.04.49145.9332 [S.A. Smagulova, P.V. Vinokurov, A.A. Semenova, E.I. Popova, F.D. Vasylieva, E.D. Obraztsova, P.V. Fedotov, I.V. Antonova. Semiconductors, 54 (4), 454 (2020), DOI: 10.1134/S1063782620040193]
  18. A.B. Loginov, I.V. Bozhev, S.N. Bokova-Sirosh, E.D. Obraztsova, R.R. Ismagilov, B.A. Loginov, A.N. Obraztsov. Appl. Surf. Sci., 494, 1030 (2019). DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.07.254
  19. J. Berkowitz, J. R. Marquart. J. Chem. Phys., 39 (2), 275 (1963). DOI: 10.1063/1.1734241
  20. R. Srivastava, L.L. Chaset. Solid State Communications, 11, 349 (1972)
  21. Y. Wang, S.-Q. Jiang, A.F. Goncharov, F.A. Gorelli, X.-J. Chen, D. Plav sienka, R. Martov nak, E. Tosatti, M. Santoro. J. Chem. Phys., 148 (1), 014503 (2018). DOI: 10.1063/1.5011333
  22. X. Chen, G. Liu, W. Zheng, W. Feng, W. Cao, W. Hu, P.A. Hu. Adv. Funct. Mater., 26 (46), 8537 (2016). DOI: 10.1002/adfm.201603674
  23. A. Berkdemir, H.R. Gutierrez, A.R. Botello-Mendez, N. Perea-Lopez, A.L. Eli as, C.-I. Chia, B. Wang, V.H. Crespi, F. Lopez-Uri as, J.-C. Charlier, H. Terrones, M. Terrones. Sci. Rep., 3 (1), 1 (2013). DOI: 10.1038/srep01755

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme