Вышедшие номера
Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)
Министерство образования и науки Российской Федерации, открытие новых лабораторий, проведение исследований, согласованных с РАН, 2020-2022, 0748-2020-0012
РФФИ, региональный грант, 18-42-130007 р_а
The International Center for Interfacing Magnetism and Superconductivity with Topological Matter MagTop is supported by the Foundation for Polish Science , the IRA Programme co-financed by EU within SG OP , Grant No. MAB/2017/1
Семенов M.Б. 1, Кревчик В.Д. 1, Филатов Д.O.2, Шорохов A.В.1,3,4,5, Шкуринов A.П. 1,6, Ожередов И.А. 1,6, Кревчик П.В.1, Wang Y.H.7, Li T.R.7, Malik A.K.8, Марычев М.О. 2, Байдусь Н.В. 2, Семенов И.M.1
1Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3University of Jyvaskyla, Seminaarinkatu, 15, PO BOX 35, F, Finland
4Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
5International Research Centre Mag Top, Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, P Warsaw, Poland
6Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
7Key Laboratory for Special Function Materials, School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, China
8Department of Physics, Multanimal Modi College Modinagar, Uttar Prasesh, India
Email: Misha29.02.1@gmail.com, physics@pnzgu.ru, dmitry_filatov@inbox.ru, ashkurinov@physics.msu.ru, ozheredov@physics.msu.ru, marychev@yandex.ru, bnv@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 18 марта 2021 г.
Принята к печати: 18 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 27 июня 2021 г.

Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств GaAs p-i-n-фотодиода с двойными асимметричными квантовыми точками (ДАКТ) InAs, полученными методом самоформирования в процессе МОС-гидридной эпитаксии. В зависимости фототока от напряжения обратного смещения при монохроматическом фотовозбуждении ДАКТ на длине волны, соответствующей энергии межзонных оптических переходов между основными состояниями дырок и электронов в квантовых точках (КТ) большего размера, обнаружены 3 пика, связанные с туннелированием фотовозбужденных электронов между КТ, в том числе - диссипативным (с поглощением и испусканием оптических фононов). Результаты эксперимента качественно согласуются с теоретической полевой зависимостью вероятности 1D-диссипативного туннелирования между КТ. Ключевые слова: вертикально-совмещенные двойные асимметричные квантовые точки, InAs, GaAs, туннельные оптические переходы, фотопроводимость, диссипативное туннелирование.