Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Измерение внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 19-07-00562
Фролов И.В.
1, Сергеев В.А.
1,2, Радаев О.А.
1
1Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия 
2Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
2Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
Email: ilya-frolov88@mail.ru, sva@ulstu.ru, oleg.radaev.91@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2020 г.
Принята к печати: 26 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2021 г.
Представлен способ измерения внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода, заключающийся в измерении мощности излучения и граничных частот электролюминесценции светодиода при двух малых токах, соответствующих участку роста квантовой эффективности светодиода, и расчете значения внутреннего квантового выхода по соответствующей функциональной зависимости. Для определения внутреннего квантового выхода при других значениях тока измерена токовая зависимость внешнего квантового выхода и рассчитан коэффициент вывода излучения из структуры по результатам измерений внутреннего и внешнего квантового выхода при малом токе. Достоверность способа измерений подтверждена сопоставлением результатов измерений с результатами, полученными известным способом измерений. Ключевые слова: светодиод, внутренний квантовый выход, измерение.
- J.-I. Shim, D.-S. Shin. Nanophotonics, 7 (10), 1601 (2018). DOI: 10.1515/nanoph-2018-0094
- D.-P. Han, K. Yamamoto, S. Ishimoto, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki. Appl. Phys. Express, 12, 032006 (2019). DOI: 10.7567/1882-0786/aafca2
- В.А. Сергеев, А.М. Ходаков, И.В. Фролов. РЭНСИТ, 12 (3), 329 (2020). DOI: 10.17725/rensit.2020.12.301
- О.А. Радаев, В.А. Сергеев, И.В. Фролов. Измерительная техника, 8, 42 (2019). DOI: 10.32446/0368-1025it.2019-8-42-46
- S. Watanabe, N. Yamada, M. Nagashima, Y. Ueki, C. Sasaki, Y. Yamada, T. Taguchi, K. Tadatomo, H. Okagawa, H. Kudo. Appl. Phys. Lett. 83, 4906 (2003). DOI: 10.1063/1.1633672
- G. Chen, M. Craven, A. Kim, A. Munkholm, S. Watanabe, M. Camras, W. Gotz, F. Steranka. Phys. Stat. Sol. A, 205 (5), 1086 (2008). DOI: 10.1002/pssa.200778747
- I.E. Titkov, D.A. Sannikov, Y.-M. Park, J.-K. Son. AIP Adv., 2, 032117 (2012). DOI: 10.1063/1.4739409
- Y. Wang, M. Pan, T. Li. Proc SPIE, 9003, 90030D (2014). DOI: 10.1117/12.2040710
- Способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе GaN. Прудаев И.А., Олешко В.И., Корепанов В.И., Лисицын В.М., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Патент 2503024 РФ, МПК G01R 31/26. ("Национальный исследовательский Томский гос. ун-т" (ТГУ). N 2012112682/28; заявл. 03.04.2012; опубл. 7.12.2013. Бюл. N 36)
- Способ измерения внутреннего квантового выхода светодиода. Сергеев В.А., Фролов И.В. Патент 2740433 РФ, МПК G01R 31/26. (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. N 2020116923/28(028230); заявл. 12.05.2020; опубл. 14.01.21. Бюл. N 2)
- M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, B. Hahn. J. Appl. Phys., 106, 114508 (2009). DOI: 10.1063/1.3266014
- P. Tian, P.R. Edwards, M.J. Wallace, R.W. Martin, J.J.D. Mc Kendry, E. Gu, M.D. Dawson, Z.-J. Qiu, C. Jia, Z. Chen, G. Zhang, L. Zheng, R. Liu. J. Phys. D: Appl. Phys., 50, 075101 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/50/7/075101
- Ф. Шуберт. Светодиоды (Физматлит, М., 2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
