Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов

DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50868.332-20

Бахадырханов М.К. ¹, Кенжаев З.Т. ²

¹Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

²Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан Berdakh Karakalpak State University, Nukus, Uzbekistan

Email: bahazeb@yandex.com, Zoir1991@bk.ru

Поступила в редакцию: 2 декабря 2020 г.

В окончательной редакции: 2 декабря 2020 г.

Принята к печати: 8 декабря 2020 г.

Выставление онлайн: 23 февраля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована стабильность обогащенного никелем поверхностного слоя кремния при термообработках. При термообработках ниже 900^oC обогащенный никелем слой сохраняется. Установлено, что легирование кремниевого фотоэлемента никелем приводит к улучшению эффективности независимо от глубины залегания p-n-перехода. Оптимальные условия диффузии никеля в кремний - T=800-850^oC, t=30 min. Наблюдался рост тока короткого замыкания фотоэлементов, легированных никелем, во всей исследованной области спектра. Показано, что легирование никелем до формирования p-n-перехода фотоэлемента является более эффективным и технологичным. Улучшение параметров фотоэлемента при легировании никелем в основным связано с свойствами поверхностного слоя. Ключевые слова: кремний, фотоэлемент, легирование никелем, диффузия, термоотжиг, кластер, поверхностный слой.

М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников. Письма в ЖТФ, 45 (19), 3 (2019). [M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, S.V. Koveshnikov. Tech. Phys. Lett., 45 (10), 959 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100031]
M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, D. Melebaev, Kh.F. Zikrillayev, G.A. Ikhtiyarova. Appl. Solar Energy., 56 (1), 13 (2020). DOI: 10.3103/S0003701X2001003X
J. Lindroos, D.P. Fenning, D.J. Backlund, E. Verlage, A. Gorgulla, S.K. Estreicher, H. Savin, T. Buonassisi. J. Appl. Phys., 113, 204906 (2013). DOI: 10.1063/1.4807799
F.H.M. Spit, D. Gupta, K.N. Tu. Phys. Rev. B, 39 (2), 1255 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevB.39.1255
M.K. Bahadirkhanov, B.K. Ismaylov, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev, S.B. Isamov. Intern. J. Adv. Sci. Technol., 29 (9s), 6308 (2020)
V.L. Mazalova, O.V. Farberovich, A.V. Soldatov. J. Phys.: Conf. Series, 640, 012025 (2015). DOI:10.1088/1742-6596/640/1/012025
М.К. Бахадирханов, Б.К. Исмайлов. Приборы, 6 (240), 44 (2020)
А.С. Астащенков, Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Доклады БГУИР, 8 (38), 37 (2018)
D.J. Backlund, S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 81, 235213 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235213
D.J. Fisher. Diffusion in Silicon 10 Years of Research (Scitec publications, 2010)
Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Наука, Л., 1972)
Е.П. Неустроев, С.А. Смагулова, И.В. Антонова, Л.Н. Сафронов. ФТП, 38 (7), 791 (2004). [E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, I.V. Antonova, L.N. Safronov. Semiconductors, 38 (7), 758 (2004). DOI: 10.1134/1.1777595]
В.И. Орлов, Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов. ФТП, 53 (4), 433 (2019). [V.I. Orlov, N.A. Yarykin, E.B. Yakimov. Semiconductors, 53 (4), 411 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47672.9020]
И.Б. Чистохин, К.Б. Фрицлер. Письма в ЖТФ, 46 (21), 11 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.21.50188.18455
V.V. Hung, P.T.T. Hong, B.V. Khue. Proc. Natl. Conf. Theor. Phys., 35, 73 (2010)
И.Е. Панайотти, Е.И. Теруков, И.С. Шахрай. Письма в ЖТФ, 46 (17), 3 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49883.18377
M.A. Green, Y. Hishikawa, W. Wart, et al. (version 54), Prog Photovolt Res Appl., 27, 565 (2019). https://doi.org/10.1002/pip.3171
Б.И. Фукс. ФТП, 48 (12), 1704 (2014)
А.Г. Рябухин, Е.Г. Новоселова, И.И. Самарин. Вестник ЮУрГУ, 10, 34 (2005)
A.A. Istratov, P. Zhang, R.J. McDonald, A.R. Smith, M. Seacrist, J. Moreland, J. Shen, R. Wahlich, E.R. Weber. J. Appl. Phys., 97 (02), 023505 (2005). DOI: 10.1063/1.1836852

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель