Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Псевдощель, нанокристаллы и электропроводность легированного силикатного стекла
Переводная версия: 10.1134/S106378422102002X 
Абдурахманов Г.1,2, Шиманский В.И.3, Оксенгендлер Б.Л.2, Умирзаков Б.Е.1, Уроков А.Н.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан 
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: fyashjon@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 8 августа 2020 г.
Принята к печати: 1 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 октября 2020 г.
Представление о псевдощели и нанокристаллах использовано для объяснения механизма электропроводности силикатного стекла, легированного оксидами переходных металлов (толстопленочные резисторы). Псевдощель возникает между потолком валентной зоны стекла и примесной зоной, созданной диффузией атомов лигатуры в стекло при спекании. Нанокристаллы образуются в стекле в процессе его варки, претерпевают структурные превращения при высоких температурах и действуют как центры локализации носителей заряда. Достигнуто качественное соответствие модели с экспериментальной температурной зависимостью проводимости легированного стекла в интервале от гелиевых температур до 1100 K. Ключевые слова: силикатное стекло, толстопленочные резисторы, легирование, туннелирование, нанокристаллы, псевдощель.
- Printed Films, ed. by M. Prudenziati, J. Hormadaly (Woodhead Publishing, Cambridge, 2012)
- K.S.R.C. Murthy. Int. J. Adv. Res., 7 (4), 238 (2019). DOI: 10.21474/IJAR01/8811
- S. Bindu, M.S. Suresh. British J. Appl. Sci. Technol., 6 (4), 342 (2015). BJAST.2015.093
- Ming Wen. Sensors and Actuators A: Physical, A 301, 111779 (2020). https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111779
- G. Abdurakhmanov. World J. Cond. Matter Phys., 4 (3), 166 (2014). http://dx.doi.org/10.4236/wjcmp.2014.43021
- G.E. Pike, C.H. Seager. J. Appl. Phys., 48 (12), 5152 (1977)
- D.P.H. Smith, J.C. Anderson. Thin Solid Films, 71, 79 (1980)
- K. Flachbart, V. Pavli k, N. Tomav soviv cova, C.J. Adkins, M. Somora, J. Leib, G. Eska. Phys. Stat. Solidi (b), 205, 399 (1998)
- W. Schoepe. Physica B: Phys. Condens. Matter., 165\&166, 299 (1990)
- F. Johnson, G.M. Crosbie, W.T. Donlon. J. Mater. Sci.: Mat. In Electron., 8 (1), 29 (1997)
- J.M. Himelick. Conduction Mechanisms in Thick Film Resistors. PhD Thesis (Purdue: Purdue University, 1980) https://docs.lib.purdue.edu/dissertations/AAI8027287/
- Y. Zheng, J. Atkinson, R. Sion. J. Phys. D: Appl. Phys., 36, 1153 (2003). DOI https://doi.org/10.1088/0022-3727/36/9/314
- C. Grimaldi. Ch. 5 in: Printed Films ed. by M. Prudenziati, J. Hormadaly (Woodhead Publishing, Cambridge, 2012)
- M. Moroz. in: IMAPS SoCal'15 Technical Symposium (Santa Ana, CA, USA, 2015) http://publicationslist.org/data/M45897/ ref-21/Thick Film Systems for Challenging Applications --- Michail Moroz.pdf
- Kenji Adachi, Hiroko Kuno. J. American Ceram. Society, 83 (10), 2441 (2000). https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01574.x
- D.W. Hammer, J.V. Biggers. Thick Film Hybrid Microcircuit Technology (Wiley Interscience, NY., 1972)
- M. Hrovat, G. Drav ziv c, J. Holc, D. Belaviv c. J. Mater. Sci. Lett., 14, 1048 (1995)
- Г. Абдурахманов. Особенности структуры и транспортных свойств бесщелочных свинцовосиликатных стекол, легированных оксидами металлов. Дисс. доктора физ.-мат. наук. (Ташкент, Институт ядерной физики. 2014)
- Г. Абдурахманов, Г.С. Вахидова. ЖТФ, 65 (7), 187 (1995)
- G. Abdurakhmanov. World J. Cond. Matter. Phys., 1 (2), 19 (2011). DOI: 10.4236/wjcmp.2011.12004
- K. Adachi, S. Iida, K. Hayashi. J. Mater. Res., 9, 1866 (1994)
- B. Morten, M. Prudenziati, M. Sacchi, F. Sirotti. J. Appl. Phys., 83, 2267 (1988)
- G. Abdurakhmanov. American J. Mater. Sci., 1 (1), 12 (2011). DOI: 10.5923/j.materials.20110101.03
- G. Abdurakhmanov, N.G. Abdurakhmanova. Phys. Stat. Sol. (А), 202, 1799 (2005)
- H.Y. Fan. Phys. Rev., 78, 808 (1950)
- H.Y. Fan. Phys. Rev., 82, 900 (1951)
- R. Passler. Solid-State Electronics, 39, 1311 (1996)
- H.D. Vasileff. Phys. Rev., 105, 441 (1957)
- K.P. O'Donnell, X. Chen. Appl. Phys. Lett., 58, 2924 (1991)
- Л.А. Большов, П.С. Кондратенко, Л.В. Матвеев. УФН 189, 691 (2019). DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.08. 038423
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (Мир, М., 1982), т. 1, с. 16. [Пер. с англ.: N.F. Mott and E.A. Davis. Electron Processes in non-crystalline materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)]
- A. Feltz. Amorphe und Glasartige Anorganische Festkorper (Akademie-Verlag, Berlin, 1983)
- Ф. Либау. Структурная химия силикатов (Мир, М., 1988) [Пер. с англ.: F. Liebau. Structural Chemistry of Silicates (Springer-Verlag, Berlin, 1985)]
- Т.А. Сидоров. ЖПС, 6 (1), 98 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
