Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Резистивное переключение в структурах ITO/SiN_x/Si

DOI: 10.21883/JTF.2021.01.50286.128-20

Переводная версия: 10.1134/S1063784221010126

Комаров Ф.Ф.^1,2, Романов И.А.³, Власукова Л.А.³, Пархоменко И.Н.³, Цивако А.А.⁴, Ковальчук Н.С.⁴

¹Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко БГУ, Минск, Беларусь A.N. Sevchenko Institute of Applied Physical Problems of Belarussian State University, Minsk, Belarus

A.N. Sevchenko Institute of Applied Physical Problems of Belarussian State University, Minsk, Belarus

²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

³Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

⁴ОАО "Интеграл", Минск, Беларусь JSC Integral, Minsk, Belarus

Email: komarovf@bsu.by

Поступила в редакцию: 13 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 1 июля 2020 г.

Принята к печати: 7 июля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiN_x/Si. Пленка нитрида кремния толщиной ~200 nm с изменяющимся по глубине соотношением Si/N нанесена методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Результаты исследования вольт-амперных характеристик структур ITO/SiN_x/Si-p показали, что механизм проводимости в состоянии с высоким сопротивлением определяется свойствами нитридной пленки и описывается моделью Пула-Френкеля, учитывающей перескоковый характер движения электронов между ловушками. Изменение полярности приложенного к структуре напряжения приводит к разрушению проводящих каналов в нитридной пленке и переключению структуры в состояние с высоким сопротивлением. Для структуры ITO/SiNx/Si обнаружен эффект фотопереключения, что открывает новые возможности использования мемристоров в системах кремниевой оптоэлектроники. Ключевые слова: нитрид кремния, избыток кремния, мемристор, вольт-амперные характеристики, механизмы проводимости.

L.O. Chua. IEEE Trans. Circuit Theory, 18, 507 (1971). DOI: 10.1109/TCT.1971.1083337
D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature Lett., 453, 80 (2008). DOI: 10.1038/nature06932
Y.H. Liu, T.-C. Zhan, T. Wang, W.-J. Tsai, T.-C. Lu, K.-C. Chen, C.-Y. Lu. IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (12), 5155 (2019). DOI: 10.1109/TED.2019.2949251
A.A. Gismatulin, V.A. Gritsenko, T.-J. Yen, A. Chin. Appl. Phys. Lett., 115 (25), 253502 (2019). DOI: 10.1063/1.5127039
K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko. J. Appl. Phys., 109 (9), 093705 (2011). DOI: 10.1063/1.3587452
X. Jiang, Z. Ma, H. Yang, J. Yu, W. Wang, W. Zhang, W. Li, J. Xu, L. Xu, K. Chen, X. Huang, D.J. Feng. Appl. Phys., 116 (12), 123705 (2014). DOI: 10.1063/1.4896552
T.J. Yen, A. Chin, V. Gritsenko. Sci. Rep., 2020, 10 (1), 1 (2020). DOI: 10.1038/s41598-020-59838-y
I. Parkhomenko, L. Vlasukova, F. Komarov, O. Milchanin, M. Makhavikou, A. Mudryi, V. Zhivulko, J. Zuk, P. Kopycinski, D. Murzalinov. Thin Solid Films, 626, 70 (2017). DOI: 10.1016/j.tsf.2017.02.027
T. Anutgan, M. Anutgan, I. Atilgan, B. Katircioglu. Appl. Phys. Lett., 111 (5), 053502 (2017). DOI: 10.1063/1.4997029
A. Emboras, I. Goykhman, B. Desiatov, N. Mazurski, L. Stern, J. Shappir, U. Levy. Nano Lett., 13 (12), 6151 (2013). DOI: 10.1021/nl403486x
C. Ri os, M. Stegmaier, P. Hosseini, D. Wang, T. Scherer, C.D. Wright, H. Bhaskaran, W.H.P. Pernice. Nature Photon., 9 (11), 725 (2015). DOI: 10.1038/NPHOTON.2015.182
A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.V. Guseinov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, D.V. Efimovykh, S.V. Tikhov, A.P. Kasatkin, O.N. Gorshkov, D.J. Tetelbaum, A.I. Bobrov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, E.G. Gryaznov, A.P. Yatmanov. Mater. Sci. Eng.: B, 194, 48 (2015). DOI: 10.1016/j.mseb.2014.12.029
I. Valov, M.N. Kozicki. J. Phys. D: Appl. Phys., 46 (7), 074005 (2013). DOI: 10.1088/0022-3727/46/7/074005
M.R. Boon. Thin Solid Films, 11 (1), 183 (1972). DOI: 10.1016/0040-6090(72)90357-4
D.V. Gritsenko, S.S. Shavi meev, V.V. Atuchin, T.I. Grigor'eva, L.D. Pokrovskivi, O.P. Pchelyakov, V.A. Gritsenko, A.L. Aseev, V.G. Lifshits. Phys. Solid State, 48 (2), 224 (2006). DOI: 10.1134/S1063783406020053

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель