Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Теплопроводность и термоэдс соединений системы Cu-Ge-As-Se
Переводная версия: 10.1134/S1063784221010187 
Щетников О.П.1, Мельникова Н.В.
1, Бабушкин А.Н.
1, Кисеев В.М.1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Институт естественных наук и математики, Екатеринбург, Россия 
Email: o.shchetnikov@yandex.ru, nvm.melnikova@gmail.com, alexey.babushkin@urfu.ru
Поступила в редакцию: 1 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 11 июля 2020 г.
Принята к печати: 16 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.
Проанализировано влияние температур (300-400 K) и концентраций на электропроводность, термоэдс и коэффициент теплопроводности кристаллических материалов на основе халькогенидов меди с общей формулой (GeSe)1-x(CuAsSe2)x. Определены механизмы переноса тепла. Выявлена немонотонность температурной зависимости теплопроводности с аномалией при 358 K. Вычислена термоэлектрическая добротность ZT. Ключевые слова: термоэдс, коэффициент Зеебека, теплопроводность, электропроводность, термоэлектрическая добротность, термоэлектрические преобразователи, полупроводники, халькогениды меди.
- О.А. Игнатченко, А.Н. Бабушкин, Н.В. Мельникова. ФТТ, 35 (8), 1983 (1993)
- M. Sist, C. Gatti, P. Nоrby, S. Cenedese, H. Kasai, K. Kato, B.B. Iversen. Chemistry, 23 (28), 6888 (2017). DOI: 10.1002/chem.201700536
- R.M. Imamov, I.I. Petrov. Sov. Phys. Crystallogr., 13, 335 (1968)
- V.E. Zaikova, N.V. Melnikova, A.V. Tebenkov, A.A. Mirzorakhimov, O.P. Shchetnikov, A.N. Babushkin, G.V. Sukhanova. J. Phys. Conf. Ser., 917 (8), 082009 (2017). DOI: 10.1088/1742-6596/917/8/082009
- Н.В. Мельникова, А.Н. Бабушкин, О.В. Савина. ФТВД, 19 (1), 63 (2009)
- Н.В. Мельникова, Л.А. Сайпулаева, П.П. Хохлачев, А.Ю. Моллаев, А.Г. Алибеков, К.В. Курочка, О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин. ФТТ, 57 (10), 1972 (2015). [N.V. Melnikova, L.A. Saipulaeva, P.P. Khokhlachev, A.Y. Mollaev, A.G. Alibekov, K.V. Kurochka, O.L. Kheifets, A.N. Babushkin. Phys. Solid State, 57 (10), 2025 (2015). DOI: 10.1134/S1063783415100200]
- Н.В. Мельникова, Л.Я. Кобелев, В.Б. Злоказов. Письма в ЖТФ, 21 (1), 9 (1995). [N.V. Mel'Nikova, L.Ya. Kobelev, V.B. Zlokazov. Tech. Phys. Lett., 21 (1), 3 (1995).]
- A.S. Okhotin, A.N. Krestovnikov, A.A. Aivazov, A.S. Pushkarskii. Phys. Stat. Sol. (b), 31, 485 (1969). DOI: 10.1002/pssb.19690310206
- Г.Г. Гаджиев, Я.Б. Магомедов, Ш.М. Исмаилов. ТВТ, 8 (1), 213 (1970). [G.G. Gadzhiev, Ya.B. Magomedov, Sh.M. Ismailov. High Temp., 8 (1), 204 (1970).]
- J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications (Pergamon press ltd, Headington Hill Hall, Oxford. 2017) v. 7
- B. Dzundza, L. Nykyruy, T. Parashchuk, E. Ivakin, Y. Yavorsky, L. Chernyak, Z. Dashevsky. Physica B: Physics of Condensed Matter, 588, 412178 (2020). DOI: https://doi.org/10.1016/j.physb.2020.412178
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
