Вышедшие номера
Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Переводная версия: 10.1134/S1063784220120099
Министерство науки и высшего образования Российской федерации, проект тематики научных исследований, 2019-1442
Гладышев А.Г. 1, Бабичев А.В. 1, Андрюшкин В.В. 1, Денисов Д.В.2, Неведомский В.Н. 3, Колодезный Е.С. 1, Новиков И.И. 1, Карачинский Л.Я. 1, Егоров А.Ю.
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях", Санкт-Петербург, Россия
Email: glad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2020 г.
Принята к печати: 13 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2020 г.

Предложен новый метод формирования трехмерных квантово-размерных островков InGaP(As), заключающийся в замещении фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Показано, что при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP формируются трехмерные островки, излучающие в спектральном диапазоне 0.95-0.97 μm при комнатной температуре. Оценочная плотность островков составила 1.3·1010 cm-2. Ключевые слова: эпитаксия, квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, просвечивающая электронная микроскопия.