Вышедшие номера
Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063784220110134
Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Minobrnauka), State Assignments, FSRM-2020-0008
Russian Foundation for Basic Research (RFBR) , Grants, 19-29-12053
Russian Science Foundation (RSF) , Grants, 19-12-00270
Горай Л.И. 1,2,3, Пирогов Е.В. 1,4, Соболев М.С. 1, Поляков Н.К. 1, Дашков А.С. 1, Свечников М.В. 5, Буравлев А.Д. 1,6
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4ООО ”Коннектор Оптикс“, Санкт-Петербург, Россия
5Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lig@pcgrate, zzzavr@gmail.com, Sobolevsms@gmail.com, pnk56@mail.ru, Dashkov.Alexander.OM@gmail.com, svechnikovmv@gmail.com, bour@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 2 апреля 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.

Нами исследовались упруго-напряженные AlGaAs/GaAs сверхмногопериодные (СМП - 100-1000 периодов) сверхрешетки с различной степенью легирования и небольшой разницей в толщине периода. Предложенная методика характеризации, состоящая из согласованного применения метода глубокой рентгеновской рефлектометрии, основанного на строгом методе расчета, а также известного метода высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии, позволили исследовать 100-периодные структуры с 2-nm ширинами Al0.3Ga0.7As барьеров и 10-nm ширинами GaAs ям и с высокой точностью определить толщины слоев и размытость интерфейсов, что можно рассматривать как первый шаг на пути дальнейшего анализа толстых структур на ярких источниках синхротронного излучения. Разница ожидаемых и получившихся в результате восстановления предложенным методом значений толщин слоев составила несколько процентов, в том числе для образцов с высокой степенью легирования (до 1018 cm-3). Все СМП структуры характеризуются резкими интерфейсами со среднеквадратичным отклонением порядка 0.1 nm. На основе полученных данных толщин можно точно определять состав слоев с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Ключевые слова: сверхрешетка, AlGaAs-гетероструктура, рентгеновская рефлектометрия, строгая электромагнитная теория рассеяния.