Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Возможности метода ВИМС для анализа профиля имплантированного водорода в кремнии и примесного состава структур "кремний на изоляторе"
Переводная версия: 10.1134/S106378422011002X 
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский радиофизический институт "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского", Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский радиофизический институт "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского", Нижний Новгород, Россия
Email: andnenastik@inbox.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 3 апреля 2020 г.
Принята к печати: 3 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.
Приведены результаты теоретического и экспериментального исследования распределения водорода в кремнии и структурах SiO2-Si при имплантации в режимах, используемых при изготовлении структур "кремний на изоляторе" по технологии водородного переноса. Предложена методика количественного анализа высоких концентраций имплантированного водорода в кремнии методом вторично-ионной масс-спектрометрии, включающая количественную калибровку концентрации атомов водорода и нормировку глубины анализа из времени распыления. Приведены результаты исследований распределения по глубине имплантированного водорода в кремнии и структурах Si-SiO2. Определен примесный состав имплантированных структур. Контролировались также латеральная однородность и временная стабильность имплантированных структур. Ключевые слова: ВИМС, имплантация, водород, структуры "кремний на изоляторе", "допороговое дефектообразование.
- Козловский В.В., Козлов В.А. // ФТП. 1999. Т. 23. Вып. 12. С. 1409-1410
- Варенцов М.Д., Гайдар Г.П., Долголенко А.П., Литовченко П.Г. // ВАНТ. 2010. Т. 27. Вып. 5. С. 27-35
- Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 3. С. 503-507
- Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 8. С. 1495-1496
- Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 3. С. 273-276
- Воротынцев В.М., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Базовые процессы микро- и наноэлектроники. М.: Проспект, 2017. 358 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
