Вышедшие номера
Экспериментальное определение механических свойств анодного элемента рентгеновского литографа
Минобрнауки РФ , ИССЛЕДОВАНИЯ И РАЗРАБОТКИ ПО ПРИОРИТЕТНЫМ НАПРАВЛЕНИЯМ РАЗВИТИЯ НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА РОССИИ НА 2014—2020 ГОДЫ, ГК № 14.581.21.0021, УН RFMEFI58117X0021
Дюжев Н.А. 1, Гусев Е.Э. 1, Дедкова А.А. 1, Товарнов Д.А.1, Махиборода М.А. 1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: bubbledouble@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 2 апреля 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.

Изготовлен анодный элемент рентгеновского литографа в виде мембранной структуры PolySi/Si3N4/SiO2 по групповой технологии. Модернизирована конструкция стенда для определения механических свойств мембран. Критическое давление мембранной структуры диаметром 250 μm изменялось в диапазоне от 0.484 до 0.56 MPa для 15 образцов. Механическая прочность структуры PolySi*/Si3N4/SiO2 составила 3.13 GPa. Новая модель в пакете Comsol показала хорошую корреляцию между экспериментальным критическим давлением и теоретической механической прочностью мембраны. Представлено распределение механических напряжений по мембране посредством моделирования и аналитического расчета. Доказано, что область разрыва структуры локализована на границе мембрана/подложка. Ключевые слова: механическая прочность, мембраны, тонкие пленки, поликристаллический кремний, оксид кремния, нитрид кремния.
  1. Дюжев Н.А., Демин Г.Д., Пестов А.Е., Салащенко Н.Н., Чхало Н.И. // Микроэлектроника-2019. С. 429
  2. Wu B., Kumar A. // Appl. Phys. Rew. 2014. Vol. 1. N 1. DOI: 10.1063/1.4863412
  3. Chkhalo N.I., Lopatin A.Ya., Pestov A.E., Salashchenko N.N., Gemin G.D., Dyuzhev N.A., Makhiboroda M.A. // Proc. SPIE. 2019. Vol. 110221M. DOI: 10.1117/12.2522105
  4. Шпейзман В.В., Николаев В.И., Поздняков А.О., Бобыль А.В., Тимашов Р.Б., Аверкин А.И. // ЖТФ. 2020. Т. 90. Вып. 1. С. 79--84. [ SHpejzman V.V., Nikolaev V.I., Pozdnyakov A.O., Bobyl' A.V., Timashov R.B., Averkin A.I. // Tech. Phys. 2020. Vol. 90. N 1. P. 79--84. DOI: 10.21883/JTF.2020.01.48665.148-19]
  5. Gusev E.E., Borisova A.V., Dedkova A.A., Salnikov A.A., Kireev V.Y. // 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus). 2019. N 8657243. P. 1990--1994. DOI: 10.1109/eiconrus.2019.8657243
  6. Савиных А.С., Канель Г.И., Разоренов С.В. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 6. [ Savinykh A.S., Kanel G.I., Razorenov S.V. // Tech. Phys. 2010. Vol. 55. N 6. P. 839--843. DOI: 10.1134/S1063784210060150]
  7. Жиляев Ю.В., Раевский С.Д., Грабко Д.З., Леу Д.С., Компан М.Е., Юсупова Ш.А., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 9. C. 20--25. [ Zhilyaev Y.V., Raevskii S.D., Grabko D.Z., Leu D.S., Kompan M.E., Yusupova S.A., Shcheglov M.P. // Tech. Phys. Lett. 2005. Vol. 31. N 5. P. 367--369. DOI: 10.1134/1.1931770]
  8. Vlasov A., Civinskaya T., Shahnov A. // MES-2016. 2016
  9. Шикунов С.Л., Курлов В.Н. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 12. С. 1871--1878. [ Shikunov S.L., Kurlov V.N. // Tech. Phys. 2017. Vol. 62. N 12. P. 1869--1876. DOI: 10.1134/S1063784217120222]
  10. Mueller M.G., Fornabaio M., Zagar G., Mortensen A. // Acta Mater. 2016. Vol. 105. P. 165--175. DOI: 10.1016/j.actamat.2015.12.006
  11. Ramnath Venkatraman, John C. Bravman // J. Mater. Res. 1992. Vol. 7. N 8. P. 2040--2048. DOI: https://doi.org/10.1557/JMR.1992.2040
  12. Tsuchiya Т., Inoue A., Sakata J. // Sensors and Actuators. 2000. Vol. 82. P. 286-290. DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00363-5
  13. Sharpe W.N., Pulskamp J., Gianola D.S., Eberl C., Polcawich R.G., Thompson R.J. // Experiment. Mechan. 2007. Vol. 47. P. 649--658. DOI: 10.1007/s11340-006-9010-z
  14. Jinling Yang // J. Microelectromechan. System. 2008. Vol. 17. N 5
  15. Petersen K. // Proceed. IEEE. 1982. Vol. 70. N 5. P. 420--457
  16. Tai-Ran Hsu. MEMS and Microsystems: Design and Manufacture. Boston: McGraw-Hill Education, 2002. 436 p
  17. Marc Madou. Fundamentals of Microfabrication. London: Taylor \& Francis, 1997. 589 p
  18. Qing An Huang. Micro Electro Mechanical Systems. Singapore: Springer, 2018. 1479 p
  19. Edwards R.L., Coles G., Sharpe W.N. // Experiment. Mechan. 2004. Vol. 44. N 1. P. 49--54. DOI: 10.1007/bf02427976
  20. Tsuchiya Т., Sakata J., Taga Y. // MRS Proceedings. 1998. Vol. 505. P. 285--290. DOI:10.1557/proc-505-285
  21. Ozaki T., Koga T., Fujitsuka N., Makino H., Hohjo H., Kadoura H. // Sensors Actuators A-Physical. 2018. Vol. 278. P. 48--59. DOI: 10.1016/j.sna.2018.05.034
  22. Vayrette R., Raskin J.-P., Pardoen T. // Eng. Fract. Mechan. 2015. Vol. 150. P. 222--238
  23. Boyce B.L., Grazier J.M., Buchheit T.E., Shaw M.J. // J. Microelectromech. Syst. 2007. Vol. 16. N 2. P. 179--190
  24. Kaiser B., Drabe C., Grab hoff T., Conrad H., Schenk H. // J. Micromech. Microeng. 2015. Vol. 25. DOI: 10.1088/0960-1317/25/8/085003
  25. Sharpe W.N., Bagdahn J. // Mechan. Mater. 2004. Vol. 36. N 1--2. P. 3--11. DOI: 10.1016/s0167-6636(03)00027-9
  26. Sharpe W.N., Turner K.T. // FATIGUE 99 --- Proceedings of the Seventh International Fatigue Congress. 1999. P. 1837--1844.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.