Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 1764
<<<>>>
Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного (λ = 809-850 nm) излучения
DOI: 10.21883/JTF.2020.10.49811.43-20
Переводная версия: 10.1134/S1063784220100096
Хвостиков В.П. 1, Калюжный Н.А. 1, Минтаиров С.А. 1, Потапович Н.С. 1, Хвостикова О.А. 1, Сорокина С.В. 1, Шварц М.З. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 17 марта 2020 г.
Принята к печати: 18 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 10 июня 2020 г.
PDF версия
Представлен высокоэффективный фотоэлектрический модуль, оптимизированный для преобразования монохроматического излучения с длиной волны 809-850 nm. Модуль включает четыре фотопреобразователя общей площадью 16 cm2, которые при работе с лазерным излучением мощностью более 1 W обеспечивают рабочее напряжение более 4 V. При разработке и создании AlGaAs/GaAs-структур для приемников-преобразователей излучения использовались метод эпитаксии из жидкой фазы и метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При работе фотоэлектрического модуля в режиме равномерной облученности светоприемной поверхности эффективность преобразования мощного (6.2 W) лазерного излучения превысила 60%. Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, AlGaAs/GaAs, модуль, эпитаксия.
  1. Oliva E., Dimroth F., Bett A.W. // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2008. Vol. 16. P. 289-295
  2. Fave A., Kaminski A., Gavard M., Mayet L., Laugier A. // Proc. 25th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. 1996. Washington, USA
  3. Olsen L.C., Huber D.A., Dunham G., Addis F.W. // Proc. 22nd IEEE Photovoltaic Specialist Conf. IEEE, N Y. 1991. P. 419-424
  4. Shan T., Qi X. // Inf. Phys. Technol. 2015. Vol. 71. P. 144-150
  5. Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Сорокина С.В., Потапович Н.С., Емельянов В.М., Тимошина Н.Х., Андреев В.М. // ФТП. 2016. Т. 50. Вып. 9. С. 1242-1246. [ Khvostikov V.P., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Emelyanov V.M., Timoshina N.Kh., Andreev V.M.] // Semiconductors. 2016. Vol. 50. N 9. P. 1220-1224. DOI: 10.1134/S1063782616090128]
  6. Хвостиков В.П., Сорокина С.В., Потапович Н.С., Хвостикова О.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З. // ФТП. 2018. Т. 52. Вып. 3. С. 385-389. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45626.8740 [ Khvostikov V.P., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Khvostikova O.A., Timoshina N.Kh., Shvarts M.Z. // Semiconductors. 2018. Vol. 52. N 3. P. 366-370. DOI: 10.1134/S1063782618030120]
  7. Schubert J., Oliva E., Dimroth F., Loeckenhoff R., Bett A.W. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2009. Vol. 56. N 2. P. 170-175
  8. Helmers H., Wagner L., Garza C., Reichmuth S., Oliva E., Philipps S., Lackner D., Bett A. 17th Intern. Conf. Sensors and Measurement Technol. 2015. Nurnberg, Germany. DOI: 10.5162/sensor2015/D1.4
  9. Andreev V., Khvostikov V., Kalinovsky V., Lantratov V., Grilikhes V., Rumyantsev V., Shvarts M., Fokanov V., Pavlov A. Proc. WCPEC-3, 2003. Japan. Osaka
  10. Howell J.T., O'Neill M.J., Fork R.L. // Proc. 5th Wireless transmission conference together with the 4th International Conference on Solar Power from Space, Granada, Spain, 2004. P. 187-194
  11. He T., Yang S.-H., Munoz M.A., Zhang H.-Ya., Zhao Ch.-M., Zhang Yi-Ch., Xu P. // Chin. Phys. Lett. 2014. Vol. 31. N 10. P. 104203. DOI: 10.1088/0256-307X/31/10/104203
  12. Емельянов В.М., Минтаиров С.А., Сорокина С.В., Хвостиков В.П., Шварц М.З. // ФТП. 2016. Т. 50. Вып.1. С. 125-131. DOI: 10.1134/S1063782616010085 [ Emelyanov V.M., Mintairov S.A., Sorokina S.V., Khvostikov V.P., Shvarts M.Z. // Semiconductors. 2016. Vol. 50. N 1. P. 125-131. DOI: 10.1134/S1063782616010085]
  13. Богушевская В.А., Жалнин Б.В., Заяц О.В., Масляков Я.Н., Мацак И.С., Никонов А.А., Обручева Е.В., Тугаенко В.Ю. Известия Академии наук. Энергетика. 2012. Т. 2. Вып. 10
  14. Корнилов В.A., Мацак И.С., Разуваев А.Е., Тугаенко В.Ю. Патент РФ N 2639738. 22.12.2017
  15. Kalyuzhnyy N.A., Emelyanov V.M., Evstropov V.V., Mintairov S.A., Mintairov M.A., Nahimovich M.V., Salii R.A., Shvarts M.Z. // AIP Conf. Proceed. 2019. Vol. 2149. P. 050006. https://doi.org/10.1063/1.5124191
  16. Хвостиков В.П., Сорокина С.В., Потапович Н.С., Хвостикова О.А., Тимошина Н.Х. // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 5. С. 676-679. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44428.8427 [ Khvostikov V.P., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Khvostikova O.A., Timoshina N.Kh. // Semiconductors. 2017. Vol. 51. N 5. P. 645-648. DOI: 10.1134/S1063782617050128]
  17. Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Потапович Н.С., Сорокина С.В., Шварц М.З. // ФТП. 2019. Т. 53. Вып. 8. С. 1135-1139 DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48007.9118. [ Khvostikov V.P, Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Potapovich N.S., Sorokina S.V., Shvarts M.Z. // Semiconductors. 2019. Vol. 53. N 8. P.1110-1113. DOI: 10.1134/S1063782619080116]
  18. Электронный ресурс компании "Синтек" http://sinteclaser.ru/
  19. Паньчак А.Н., Покровский П.В., Малевский Д.А., Ларионов В.Р., Шварц М.З. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 2. С. 26-28. DOI: 10.21883/PJTF.2019.02.47218.17491
  20. Garcia I., Rey-Stolle I., Galiana B., Algora C. // Proc. 4th WCPVE, Hawaii, May 7-12, 2006. P. 830-833
  21. Zayats O.V., Tugaenko V.Yu., Khvostikov V.P. 29th Congress of the International Council of the Aeronautical Sciences, 2014, St. Petersburg, Russia. https://icas.org/ICAS\_ARCHIVE/ICAS2014/data/papers/2014\_0274\_paper.pdf
  22. Kapranov V., Tugaenko V., Marakasov D., Kudryavtsev A. // Proc. 21st International Symposium Atmospheric and Ocean Optics: Atmospheric Physics, 2015, Tomsk, Russia, 96801C. DOI: 10.1117/12.2205492
  23. Тугаенко В.Ю. (РКК "Энергия"). Разработка технологии дистанционного энергоснабжения лазерным инфракрасным излучением. Доклад на НТС ГК "Роскосмос" 15 июня 2017

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme