Вышедшие номера
Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного (λ = 809-850 nm) излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063784220100096
Хвостиков В.П. 1, Калюжный Н.А. 1, Минтаиров С.А. 1, Потапович Н.С. 1, Хвостикова О.А. 1, Сорокина С.В. 1, Шварц М.З. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 17 марта 2020 г.
Принята к печати: 18 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 10 июня 2020 г.

Представлен высокоэффективный фотоэлектрический модуль, оптимизированный для преобразования монохроматического излучения с длиной волны 809-850 nm. Модуль включает четыре фотопреобразователя общей площадью 16 cm2, которые при работе с лазерным излучением мощностью более 1 W обеспечивают рабочее напряжение более 4 V. При разработке и создании AlGaAs/GaAs-структур для приемников-преобразователей излучения использовались метод эпитаксии из жидкой фазы и метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При работе фотоэлектрического модуля в режиме равномерной облученности светоприемной поверхности эффективность преобразования мощного (6.2 W) лазерного излучения превысила 60%. Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, AlGaAs/GaAs, модуль, эпитаксия.